【題目】A、B、C、D、E代表前四周期原子序數(shù)依次增大的五種元素。A、D同主族且有兩種常見(jiàn)化合物DA2DA3;工業(yè)上電解熔融C2A3制取單質(zhì)C;B、E除最外層均只有2個(gè)電子外,其余各層全充滿(mǎn),E位于元素周期表的ds區(qū);卮鹣铝袉(wèn)題:

(1)B、C中第一電離能較大的是___________(用元素符號(hào)填空)。

(2)DA2分子的VSEPR模型是___________

(3)實(shí)驗(yàn)測(cè)得C與氯元素形成化合物的實(shí)際組成為C2Cl6,其球棍模型如圖所示。已知C2Cl6在加熱時(shí)易升華,與過(guò)量的NaOH溶液反應(yīng)可生成Na[C(OH)4]。

C2Cl6屬于______晶體(填晶體類(lèi)型),其中C原子的雜化軌道類(lèi)型為____雜化。

[C(OH)4]-中存在的化學(xué)鍵有________。

(4)B、C的氟化物晶格能分別是2957 kJ·mol-1 、5492 kJ·mol-1 ,二者相差很大的原因是____________

(5)DE形成化合物晶體的晶胞如下圖所示:

①在該晶胞中,E的配位數(shù)為__________

②原子坐標(biāo)參數(shù)可表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。上圖晶胞中,原子的坐標(biāo)參數(shù)為a(0,0,0);b(1/2,0,1/2);c(1/2,1/2,0)。則d原子的坐標(biāo)參數(shù)為_______

③已知該晶胞的密度為ρg/cm3,則其中兩個(gè)D原子之間的距離為____pm(列出計(jì)算式即可)。

【答案】Mg平面三角形分子sp3極性共價(jià)鍵、配位鍵Al3+Mg2+電荷多,半徑小4(1,,×1010

【解析】

A、D同主族且有兩種常見(jiàn)化合物DA2DA3,AO元素,DS元素;工業(yè)上電解熔融C2A3制取單質(zhì)C,CAl元素;B的原子序數(shù)在AC之間,B最外層只有2個(gè)電子,其余各層全充滿(mǎn),BMg元素;E最外層只有2個(gè)電子,其余各層全充滿(mǎn),E位于元素周期表的ds區(qū),EZn元素。

(1)第一電離能:Mg>Al。

(2)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷DA2VSEPR模型。

(3)①Al2Cl6加熱時(shí)易升華,Al2Cl6屬于分子晶體,Al形成4個(gè)σ鍵,Al上沒(méi)有孤電子對(duì),Alsp3雜化。

②[Al(OH)4]-中含配位鍵和極性共價(jià)鍵。

(4)Al3+所帶電荷數(shù)大于Mg2+,Al3+的半徑小于Mg2+,AlF3的晶格能大于MgF2

(5)①均攤法和晶胞結(jié)構(gòu)確定E的配位數(shù)。

根據(jù)坐標(biāo)系和晶胞中位置分析。

用“均攤法”確定晶胞中所含D、E的個(gè)數(shù),確定晶體的化學(xué)式,由密度計(jì)算1mol晶體的體積,繼而計(jì)算晶胞的體積和晶胞的邊長(zhǎng),2個(gè)D之間的距離是面對(duì)角線的一半。

A、D同主族且有兩種常見(jiàn)化合物DA2DA3,AO元素,DS元素;工業(yè)上電解熔融C2A3制取單質(zhì)C,CAl元素;B的原子序數(shù)在AC之間,B最外層只有2個(gè)電子,其余各層全充滿(mǎn),BMg元素;E最外層只有2個(gè)電子,其余各層全充滿(mǎn),E位于元素周期表的ds區(qū),EZn元素。

(1)B、C分別是Mg、Al,Al的價(jià)電子排布式為3s23p1,Mg的價(jià)電子排布式為3s2,Mg3s全充滿(mǎn)較穩(wěn)定,第一電離能:Mg>Al,第一電離能較大的是Mg。答案為:Mg

(2)DA2SO2,SO2中中心原子S上的孤電子對(duì)數(shù)為×(6-2×2)=1,Sσ鍵電子對(duì)數(shù)為2,S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為1+2=3,SO2VSEPR模型是平面三角形。答案為:平面三角形

(3)①Al2Cl6加熱時(shí)易升華,Al2Cl6屬于分子晶體根據(jù)Al2Cl6的結(jié)構(gòu)示意圖,Al形成4個(gè)σ鍵,Al上沒(méi)有孤電子對(duì),Alsp3雜化。答案為:分子 sp3

②[Al(OH)4]-Al3+OH-之間為配位鍵,OH-內(nèi)OH之間為極性共價(jià)鍵,[Al(OH)4]-中含配位鍵和極性共價(jià)鍵。答案為:極性共價(jià)鍵、配位鍵

(4)Al3+所帶電荷數(shù)大于Mg2+,Al3+的半徑小于Mg2+,AlF3的晶格能大于MgF2。答案為:Al3+Mg2+電荷多,半徑小

(5)①均攤法,晶胞中含S(D):4個(gè),含Zn(E):8×+6×=4個(gè),DE的個(gè)數(shù)比為1:1,D的配位數(shù)為4,E的配位數(shù)為4。答案為:4

原子的坐標(biāo)參數(shù):a(0,0,0);b(1/2,0,1/2);c(1/2,1/2,0),b位于前面的面心,c位于下底面的面心,d位于右側(cè)面的面心,d原子的坐標(biāo)參數(shù)為(1,)。答案為:(1,,

均攤法,晶胞中含S(D):4個(gè),含Zn(E):8×+6×=4個(gè),DE的個(gè)數(shù)比為1:1,晶體的化學(xué)式為ZnS,1molZnS的質(zhì)量為97g,1mol晶體的體積為cm3;1個(gè)晶胞的體積為cm3,晶胞的邊長(zhǎng)為cm,兩個(gè)D原子之間的距離為面對(duì)角線的一半,兩個(gè)D原子之間的距離為×cm=××1010pm。答案為:××1010

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熔點(diǎn)/℃

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