【題目】A、B、C為電子層數(shù)小于或等于3的元素,A元素原子M層電子數(shù)為K層電子數(shù)的,B元素原子M層電子數(shù)為次外層與最內(nèi)層電子數(shù)之差,C元素原子L層達(dá)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需電子數(shù)為該層電子數(shù)的。由此推斷三種元素原子的核電荷數(shù)及元素名稱分別是A__________;B________;C________。

【答案】11、鈉 16、硫 8、氧

【解析】

電子層從里向外依次是K、L、MN,據(jù)此分析;A元素原子M層電子數(shù)為K層電子數(shù)的,則M層有一個(gè)電子,據(jù)此分析;B元素原子M層電子數(shù)為次外層與最內(nèi)層電子數(shù)之差,則M層電子數(shù)為8-2=6,據(jù)此分析;C元素原子L層達(dá)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需電子數(shù)為該層電子數(shù)的,L層穩(wěn)定結(jié)構(gòu)含有8個(gè)電子,據(jù)此分析解答。

A元素原子M層電子數(shù)為K層電子數(shù)的12,則M層有1個(gè)電子,所以A元素為鈉元素,其核電荷數(shù)為11;B元素原子M層電子數(shù)為次外層與最內(nèi)層電子數(shù)之差,則M層電子數(shù)=8-2=6,所以B元素為硫元素,其核電荷數(shù)為16;C元素原子L層達(dá)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需電子數(shù)為該層電子數(shù)的13,L層的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)為8電子結(jié)構(gòu),則L層電子數(shù)為6,所以C元素為氧元素,其核電荷數(shù)為8,故A的元素名稱為鈉,B的元素名稱為硫,C的元素名稱為氧,故答案為11、鈉 ;16、硫;8、氧。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】某無色的混合氣體甲中可能含有NO2NO、CO2、O2、NH3、N2中的幾種,將100mL甲氣體經(jīng)過如圖所示的實(shí)驗(yàn)裝置進(jìn)行處理,結(jié)果得到酸性溶液,而幾乎無氣體剩余,則甲氣體的組成為(不考慮Na2O2NO2、NO的反應(yīng))

A.NO2CO2、N2B.NH3、NOCO2

C.NH3、N2CO2D.NO、O2NH3

【答案】B

【解析】

該氣體無色,說明其中不含NO2;氣體通過濃硫酸體積減小,說明其中有NH3;氣體通過足量Na2O2后顯紅棕色,說明其中含有CO2NO,故不含O2;最后通入水中無氣體剩余,說明其中不存在N2,選項(xiàng)B正確,故答案為B。

型】單選題
結(jié)束】
19

【題目】A、B、CD是四種常見氣體單質(zhì)。E的相對(duì)分子質(zhì)量比F16,且F為紅棕色。有關(guān)的轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖所示(反應(yīng)條件與部分反應(yīng)的生成物略去)。

請(qǐng)回答下列問題:

1D的化學(xué)式為__Y的化學(xué)式為__,E的化學(xué)式為__

2Y與氧化銅反應(yīng),每生成1molB消耗3mol氧化銅,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為__。

3YE在一定條件下可反應(yīng)生成BZ,這是一個(gè)具有實(shí)際意義的反應(yīng),可消除E對(duì)環(huán)境的污染,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為__。

4)氣體F和氣體SO2在通常條件下同時(shí)通入盛有BaCl2溶液的洗氣瓶中(如圖所示),洗氣瓶中是否有沉淀生成?__,理由是__。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,下列說法錯(cuò)誤的是( )

A.室溫下44gCO2含有的分子數(shù)是NA

B.常溫下,46gNO2N2O4的混合氣體中含有的氮原子數(shù)目為NA

C.常溫下,22.4LH2O含有10NA個(gè)電子

D.120g石墨能寫a個(gè)字,則平均每個(gè)字約含有個(gè)碳原子

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】錫為ⅣA族元素,四碘化錫是常用的有機(jī)合成試劑(SnI4,熔點(diǎn)144.5℃,沸點(diǎn)364.5℃,易水解)。實(shí)驗(yàn)室以過量錫箔為原料通過反應(yīng)Sn+2I2SnI4制備SnI4。下列說法錯(cuò)誤的是(

A. 加入碎瓷片的目的是防止暴沸

B. SnI4可溶于CCl4

C. 裝置Ⅰ中a為冷凝水進(jìn)水口

D. 裝置Ⅱ的主要作用是吸收揮發(fā)的I2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】(1)某元素原子的核電荷數(shù)是電子層數(shù)的5倍,其質(zhì)子數(shù)是最外層電子數(shù)的3倍,該元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖是________。

(2)已知某粒子的結(jié)構(gòu)示意圖為

試回答:

當(dāng)xy10時(shí),該粒子為________(原子陽離子陰離子”)。

當(dāng)y8時(shí),粒子可能為(填名稱)________、________________、________、________

寫出y3y7的元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物發(fā)生反應(yīng)的離子方程式__________________________。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】熱催化合成氨面臨的兩難問題是:采用高溫增大反應(yīng)速率的同時(shí)會(huì)因平衡限制導(dǎo)致NH3產(chǎn)率降低。我國科研人員研制了Ti-H-Fe雙溫區(qū)催化劑(Ti-H區(qū)域和Fe區(qū)域的溫度差可超過100℃)。Ti-H-Fe雙溫區(qū)催化合成氨的反應(yīng)歷程如圖所示,其中吸附在催化劑表面上的物種用*標(biāo)注。下列說法正確的是(

A. ①為NN的斷裂過程

B. ①②③在高溫區(qū)發(fā)生,④⑤在低溫區(qū)發(fā)生

C. ④為N原子由Fe區(qū)域向Ti-H區(qū)域的傳遞過程

D. 使用Ti-H-Fe雙溫區(qū)催化劑使合成氨反應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)槲鼰岱磻?yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】非線性光學(xué)晶體在信息、激光技術(shù)、醫(yī)療、國防等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。我國科學(xué)家利用CsCO3XO2X=Si、Ge)和H3BO3首次合成了組成為CsXB3O7,的非線性光學(xué)晶體;卮鹣铝袉栴}:

1C、O、Si三種元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?/span>__;第一電離能I1Si__I1Ge)(填)。

2)基態(tài)Ge原子核外電子排布式為__;SiO2,GeO2具有類似的晶體結(jié)構(gòu),其中熔點(diǎn)較高的是__,原因是__

3)如圖為H3BO3晶體的片層結(jié)構(gòu),其中B的雜化方式為__;硼酸在熱水中比在冷水中溶解度顯著增大的主要原因是__

4)以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。CsSiB3O7,屬正交晶系(長方體形),晶胞參數(shù)為apm、bpmcpm。如圖為沿y軸投影的晶胞中所有Cs原子的分布圖和原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。據(jù)此推斷該晶胞中Cs原子的數(shù)目為__;CsSiB3O7的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,則CsSiB3O7晶體的密度為__g·cm-3(用代數(shù)式表示)。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】甲、乙、丙、丁是由H+、Na+Al3+、Ba2+、OH-Cl-、HCO3-離子中的兩種組成的溶液,可以發(fā)生如圖轉(zhuǎn)化,下列說法正確的是

A. 甲為HCl,乙為NaHCO3

B. 溶液丙中還可以大量共存的離子有:Fe2+、NO3-SO42-

C. 在甲中滴加丁開始反應(yīng)的離子方程式:HCO3-+Ba2++OH-=BaCO3↓+H2O

D. 白色沉淀A可能溶解在溶液D

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】如圖所示,將儀器A中的濃鹽酸滴加到盛有MnO2的燒瓶中,加熱后產(chǎn)生的氣體依次通過裝置BC,然后再通過加熱的石英玻璃管D(放置有鐵粉)。請(qǐng)回答:

1)儀器A的名稱是________,燒瓶中反應(yīng)的化學(xué)方程式是_____________________

2)裝置B中盛放液體是___,氣體通過裝置B的目的是__________________,裝置C中盛放的液體是_________

3D中反應(yīng)的化學(xué)方程式是__________________________________________。

4)燒杯E中盛放的液體是_____,反應(yīng)的離子方程式是___________

5)資料表明D中產(chǎn)物有以下性質(zhì):受熱易升華,冷卻后易凝華;H2Og)劇烈反應(yīng).為收集D中產(chǎn)物,在DE之間,除增加收集裝置外,還需要增加__裝置。

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