分析 (1)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氫,溫度越高,氯化硅的水解速率越大,氯化氫的揮發(fā)越強(qiáng);將兩個(gè)方程式相加即得則由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式,注意焓變進(jìn)行相應(yīng)的改變;
(2)鋇礦粉時(shí)生成的BaCl2是碳酸鋇溶解于酸中與酸反應(yīng)生成的;
(3)根據(jù)氫氧化鐵和氫氧化鎂完全沉淀所需溶液的PH值,氫氧化鈣溶解度隨溫度升高減小確定濾渣A的成分;控制溫度是為了除去鈣離子;
(4)根據(jù)從溶液中析出固體的方法以及含硅酸鹽的儀器為玻璃儀器來(lái)分析解答.
解答 解:(1)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氫,水解方程式為:SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl,溫度高時(shí),氯化硅的水解速率增大,氯化氫的揮發(fā)增強(qiáng),且氯化氫能污染環(huán)境,溫度較低時(shí),能防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率,防止反應(yīng)過(guò)于劇烈;
①SiCl4(s)+H2(g)═SiHCl3(s)+HCl(g)△H1=47kJ•mol-1
②SiHCl3(s)+H2(g)═Si(s)+3HCl(g)△H2=189kJ•mol-1
根據(jù)蓋斯定律,由①+②可得:SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236 kJ•mol-1
故答案為:能防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率;SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236 kJ•mol-1;
(2)碳酸鋇和鹽酸反應(yīng)生成氯化鋇,反應(yīng)的離子方程式為:BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑;
故答案為:BaCO3+2H+=Ba2++CO2↑+H2O;
(3)當(dāng)pH=3.4時(shí),鐵離子完全生成沉淀,當(dāng)pH=12.4時(shí),鎂離子完全沉淀生成氫氧化鎂,Mg(OH)2,所以當(dāng)pH=12.5時(shí),濾渣A的成分是氫氧化鎂,氫氧化鈣;控制溫度70℃的目的是確保鈣離子完全除去;
故答案為:Mg(OH)2,Ca(OH)2;確保鈣離子完全除去(或溫度越高,Ca(OH)2溶解度越小);
(4)從溶液中制取固體的方法是:蒸發(fā)濃縮→冷卻結(jié)晶→過(guò)濾→洗滌,實(shí)驗(yàn)室中蒸發(fā)濃縮用到的含硅酸鹽的儀器即為玻璃儀器,有蒸發(fā)皿、玻璃棒,酒精燈;
故答案為:3.
點(diǎn)評(píng) 本題考查制備實(shí)驗(yàn)方案、物質(zhì)分離和提純、對(duì)條件控制分析與評(píng)價(jià)、化學(xué)計(jì)算等,充分考查了學(xué)生的分析、理解能力及知識(shí)遷移運(yùn)用的能力,難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 白磷的分子式:P | B. | 次氯酸的結(jié)構(gòu)式:H-Cl-O | ||
C. | 氟離子的結(jié)構(gòu)示意圖: | D. | 過(guò)氧化氫的電子式: |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 氯氣通入水中:Cl2+H2O?2H++Cl-+ClO- | |
B. | KI溶液與H2SO4酸化的H2O2溶液混合:2 I-+H2O2+2 H+=2 H2O+I2 | |
C. | 向NH4HCO3溶液中滴加過(guò)量Ba(OH)2溶液:HCO3-+OH-+Ba2+=H2O+BaCO3↓ | |
D. | 高錳酸鉀酸性溶液吸收二氧化硫:SO2+MnO4-+4H+=SO42-+Mn2++2H2O |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 3:2:2 | B. | 1:2:3 | C. | 1:3:3 | D. | 3:1:1 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | CO2分子比例模型: | |
B. | 氨基 | |
C. | 原子結(jié)構(gòu)示意圖表示12C,也可以表示14C | |
D. | 乙炔的最簡(jiǎn)式 CH≡CH |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | HCl | B. | Na2SO4 | C. | NaCl | D. | CuSO4 |
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