Question

【題目】a、b、c、d、e、f分別是H、C、N、Na、Si、Cu六種元素中的其中一種，已知：圖1表示的是六種元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體，f形成的某種單質(zhì)硬度最大。

回答下列問題：

(1)a、b、f三種元素的電負(fù)性從小到大的順序?yàn)?/span>________(用元素符號表示)。

(2)元素b的單質(zhì)的一個(gè)分子中含有________個(gè)σ鍵和_________個(gè)π鍵。

(3)元素c的單質(zhì)的晶體堆積方式類型是_______________________；若c單質(zhì)分別與氟氣和氯氣形成化合物甲和乙，則甲的晶格能________乙的晶格能(填“＞”“＜”或“＝”)。

(4)元素d的基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為__________________。

(5)元素e和f可形成化合物丙(丙的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示)，則丙的化學(xué)式為_________；丙的晶體類型為_______________，在丙中，每個(gè)e原子周圍最近的e原子數(shù)目為_____，若晶胞的邊長為a pm，則丙的密度為____________g·cm－3(用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。

Answer 1

【答案】 H<C<N 1 2 體心立方堆積 > 3d104s1 SiC 原子晶體 12

【解析】試題分析：本題為《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》的選做題，主要考查元素的推斷，價(jià)電子排布式的書寫，電負(fù)性的比較，σ鍵和π鍵的判斷，金屬晶體的堆積方式，離子晶體晶格能的比較，用“均攤法”確定晶體的化學(xué)式以及晶體的計(jì)算。c、d均是熱和電的良導(dǎo)體，c、d為金屬元素，由圖知d單質(zhì)的熔點(diǎn)高于c單質(zhì)，則c為Na，d為Cu；f形成的某種單質(zhì)硬度最大，f單質(zhì)的熔點(diǎn)是六種單質(zhì)中最高的，f為C；H、N的單質(zhì)形成分子晶體，H2的相對分子質(zhì)量小于N2，H2的熔點(diǎn)低于N2，Si的單質(zhì)形成原子晶體，根據(jù)圖中熔點(diǎn)高低順序，a為H，b為N，e為Si。

（1）a、b、f依次為H、N、C，非金屬性：NCH，則三種元素電負(fù)性由小到大的順序?yàn)?/span>HCN。

（2）b的單質(zhì)為N2，N2的結(jié)構(gòu)式為NN，一個(gè)N2分子中含有1個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵。

（3）c的單質(zhì)為Na，Na屬于鉀型，Na的晶體堆積方式為體心立方堆積。Na單質(zhì)分別與氟氣和氯氣形成的化合物甲和乙依次為NaF、NaCl，由于F-半徑小于Cl-半徑，NaF的晶格能大于NaCl的晶格能，則甲的晶格能乙的晶格能。

（4）d為Cu，Cu的原子序數(shù)為29，基態(tài)Cu原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，基態(tài)Cu原子的價(jià)電子排布式為3d104s1。

（5）用“均攤法”，丙的晶胞中含e（Si）為8+6=4，含f（C）為4，丙的化學(xué)式為SiC；丙的晶體類型為原子晶體。在丙的晶胞中，e原子構(gòu)成面心立方結(jié)構(gòu)，每個(gè)e原子周圍最近的e原子有12個(gè)。1個(gè)晶胞的體積為（a10-10cm）3，1mol晶胞的體積為（a10-10cm）3NA，1mol晶胞的質(zhì)量為440g=160g，丙的密度為160g [（a10-10cm）3NA]= g/cm3。