多晶硅(硅單質(zhì)的一種)被稱為“微電子大廈的基石”,制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主,它環(huán)境污染很大,能遇水強(qiáng)烈水解且水解完全,放出大量的熱.研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉(主要成分為BaCO3,且含有鐵、鎂等離子)制備BaCl2?2H2O,工藝流程如下:

已知:
①溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是3.4、12.4
②濾液溫度25℃,Ksp[Fe(OH)3]=2.2×10-38回答下列問題:
(1)SiCl4發(fā)生水解反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 

(2)用H2還原SiCl4蒸氣可制取純度很高的硅,當(dāng)反應(yīng)中有1mol電子轉(zhuǎn)移時(shí)吸收59KJ熱量,則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為
 

(3)加鋇礦粉并調(diào)節(jié)pH=7的目的是①
 
,②
 

(4)過濾②后的濾液中Fe3+濃度為
 

(5)生成濾渣A的離子方程式
 
考點(diǎn):物質(zhì)分離和提純的方法和基本操作綜合應(yīng)用
專題:實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)題
分析:流程分析可知四氯化硅控制溫度40°C,加入水水解生成原硅酸和氯化氫,過濾得到鹽酸溶液,加入鋇礦粉主要成分為BaCO3,且含有鐵、鎂等離子,調(diào)節(jié)溶液pH=7,使BaCO3轉(zhuǎn)化為BaCl2,同時(shí)使Fe3+完全沉淀,過濾得到濾渣為氫氧化鐵,濾液加入氫氧化鈉溶液調(diào)節(jié)溶液pH=12.5,控制70°C,得到氫氧化鎂沉淀,過濾得到濾液為氯化鋇溶液蒸發(fā)濃縮,冷卻結(jié)晶,過濾洗滌得到氯化鋇晶體;
(1)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氫;
(2)依據(jù)熱化學(xué)方程式書寫方法得到由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式,注意焓變的計(jì)算;
(3)pH=3.4時(shí),三價(jià)鐵離子轉(zhuǎn)化為氫氧化鐵,當(dāng)調(diào)節(jié)PH=7時(shí)能促使三價(jià)鐵離子沉淀完全;  
(4)依據(jù)溶度積常數(shù)計(jì)算;
(5)根據(jù)氫氧化鐵和氫氧化鎂完全沉淀所需溶液的PH值確定濾渣A的成分.
解答: 解:(1)用H2還原SiCl4蒸氣可制取純度很高的硅,當(dāng)反應(yīng)中有1mol電子轉(zhuǎn)移時(shí)吸收59KJ熱量,轉(zhuǎn)移4mol電子吸收熱量236KJ,反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol,
故答案為:SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol;
(2)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氫,水解方程式為:SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl,故答案為:SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl;
(3)pH=3.4時(shí),三價(jià)鐵離子完全生成沉淀,使Fe3+完全沉淀;鹽酸和碳酸鋇反應(yīng)生成氯化鋇和二氧化碳、水,加鋇礦粉并調(diào)節(jié)pH=7的作用是使BaCO3轉(zhuǎn)化為BaCl2,同時(shí)使使Fe3+完全沉淀,
故答案為:使BaCO3轉(zhuǎn)化為BaCl2;使Fe3+完全沉淀生成氫氧化鐵沉淀;       
(4)pH=7溶液中鐵離子全部沉淀,c(OH-)=10-7mol/L,Ksp[Fe(OH)3]=c(Fe3+)c3(OH-)=2.2×10-38,c(Fe3+)=
2.2×10-38
(10-7)3
=2.2×10-17mo/L;
故答案為:2.2×10-17mo/L;
(5)當(dāng)pH=3.4時(shí),鐵離子完全生成沉淀,當(dāng)pH=12.4時(shí),鎂離子完全沉淀生成氫氧化鎂,Mg(OH)2,所以當(dāng)pH=12.5時(shí),濾渣A的成分是氫氧化鎂,反應(yīng)的離子方程式為:Mg2++2OH-=Mg(OH)2↓,故答案為:Mg2++2OH-=Mg(OH)2↓.
點(diǎn)評(píng):本題考查了BaCl2?2H2O制備實(shí)驗(yàn)方案的設(shè)計(jì)方法,題目難度中等,為高考的熱點(diǎn),正確理解制備流程、反應(yīng)原理為解答關(guān)鍵,涉及了制備方案的設(shè)計(jì)、熱化學(xué)方程式、離子方程式書寫,試題充分考查了學(xué)生的分析、理解能力及靈活應(yīng)用所學(xué)知識(shí)的能力.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列各組離子,無論是在強(qiáng)酸性環(huán)境還是在強(qiáng)堿性環(huán)境均可以大量共存的是(  )
A、Na+、K+、HCO3-、NO3-
B、Ba2+、Mg2+、SO42-、Cl-
C、Ag+、K+、Na+、NO3-
D、K+、Na+、NO3-、Cl-

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

運(yùn)用化學(xué)反應(yīng)原理研究氮及其化合物的反應(yīng)有重要意義.
(1)合成氨反應(yīng)N2(g)+3H2(g)?2NH3(g)△H=a kJ/mol,若在恒溫、恒壓條件下,向平衡體系中通入氬氣,平衡
 
移動(dòng)(填“向左”、“向右”或“不”).
(2)圖為合成氨過程中能量變化示意圖.
焓變△H
 
0(填“>”、“<”或“=”);鐵觸媒是合成氨反應(yīng)的催化劑,鐵觸媒的使用會(huì)使圖中B點(diǎn)
 
(填“升高”、“降低”); 使用催化劑后反應(yīng)的△H(填“增大”“減小”或“不改變”)
 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列物質(zhì)中屬于電解質(zhì)的是( 。
A、石墨
B、CO2
C、BaSO4
D、Fe

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列有關(guān)說法正確的是( 。
A、1H、D+、T2互為同位素
B、H2O、CH3COOH、NH4HCO3都是電解質(zhì)
C、鋁、鐵、銅三者對(duì)應(yīng)的氧化物均為堿性氧化物
D、有單質(zhì)參加的反應(yīng)一定是氧化還原反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

電子工業(yè)常用30%的FeCl3 溶液腐蝕鍍?cè)诮^緣板上的銅箔,制造印刷電路板.
(1)寫出FeCl3 溶液與金屬銅發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:
 

(2)某工程師為了從使用過的腐蝕廢夜中回收銅,并重新獲得純凈的FeCl3溶液,準(zhǔn)備用下列步驟(如圖):
A.寫出上述實(shí)驗(yàn)中加入或生成的有關(guān)物質(zhì)的化學(xué)式:
 
;④
 
;⑤
 

B.寫出下列過程的離子方程式:
①→②
 
,②+⑤
 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

實(shí)驗(yàn)室以含有Ca2+、Mg2+、Cl-、SO、Br-等離子的鹵水為主要原料制備無水CaCl2和Br2,流程如下:

(1)操作Ⅰ使用的試劑是
 
,所用主要儀器的名稱是
 

(2)加入溶液W的目的是
 

用CaO調(diào)節(jié)溶液Y的pH,可以除去Mg2+.由表中數(shù)據(jù)可知,理論上可選擇的pH最大范圍是
 
.酸化溶液Z時(shí),使用的試劑為
 

開始沉淀時(shí)的pH沉淀完全時(shí)的pH
Mg2+9.611.0
Ca2+12.2c(OH-)=1.8mol?L-1
(3)實(shí)驗(yàn)室用貝殼與稀鹽酸反應(yīng)制備并收集CO2氣體,下列裝置中合理的是
 


(4)常溫下,H2SO3的電離常數(shù)Ka1=1.2×10-2,Ka2=6.3×10-8;H2CO3的電離常數(shù)Ka1=4.5×10-7,Ka2=4.7×10-11.某同學(xué)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證H2SO3酸性強(qiáng)于H2CO3;將SO2和CO2氣體分別通入水中至飽和,立即用酸度計(jì)測兩溶液的pH,若前者的pH小于后者,則H2SO3酸性強(qiáng)于H2CO3.該實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)不正確,錯(cuò)誤在于
 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

用下列實(shí)驗(yàn)裝置完成對(duì)應(yīng)的實(shí)驗(yàn),能達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖牵ā 。?/div>
A、
用酒精從碘水中萃取碘
B、
收集H2或CO2
C、
從食鹽水中提取NaCl
D、
石油的分餾

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

有四種不同堆積方式的金屬晶體的晶胞如圖所示,有關(guān)說法正確的是( 。
A、①為簡單立方堆積②為六方最密堆積③為體心立方堆積④為面心立方最密堆積
B、每個(gè)晶胞含有的原子數(shù)分別為:①1個(gè),②2個(gè),③2個(gè),④4個(gè)
C、晶胞中原子的配位數(shù)分別為:①6,②8,③8,④12
D、空間利用率的大小關(guān)系為:①<②<③<④

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