ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請回答下列問題:

(1)S單質(zhì)的常見形式是S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為
O>S>Se
O>S>Se
;
(3)Se的原子序數(shù)為
34
34
,其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10
;
(4)H2Se的酸性比 H2S
(填“強”或“弱”).氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
平面三角形
平面三角形
SO
2-
3
離子的立體構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形
;
(5)H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4的第一步幾乎完全電離,K2是1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因:
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛.立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,其晶胞邊長為540.0pm,密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
pm(列式表示)
分析:(1)由S8分子結(jié)構(gòu)可知,在S8分子中S原子成鍵電子對數(shù)為2,孤電子對數(shù)為2,即價層電子對數(shù)為4;
(2)同主族元素從上到下元素的第一電離能逐漸減;
(3)Se位于元素周期表第四周期第ⅥA族,以此可確定原子序數(shù),根據(jù)核外電子排布規(guī)律規(guī)律書寫Se的價層電子的電子排布式;
(4)根據(jù)中心原子形成的價層電子對判斷雜化類型和分子的立體構(gòu)型;
(5))①酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負電荷,由于異種電荷相互吸引,第一步產(chǎn)生的H+抑制第二步電離;
②H2SeO3的分子結(jié)構(gòu)為,Se為+4價,而H2SeO4的分子結(jié)構(gòu)為,Se為+6價,后者Se原子吸電子能力強;
(6)第一問我們常碰到,后面一問要注意四個Zn2+在體內(nèi)的四個小立方體的中心,不在同一平面上,過b向上面作垂線,構(gòu)成直角三角形,兩邊分別為
2
4
a
;
1
4
a,即可求出斜邊為
3
4
a(a 為晶胞邊長).
解答:解:(1)由S8分子結(jié)構(gòu)可知,在S8分子中S原子成鍵電子對數(shù)為2,孤電子對數(shù)為2,即價層電子對數(shù)為4,因此S原子采用的雜化軌道方式為sp3,故答案為:sp3;
(2)同主族元素從上到下元素的第一電離能逐漸減小,則有O>S>Se,故答案為:O>S>Se;
(3)Se位于元素周期表第四周期第ⅥA族,原子序數(shù)為34,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4,則核外M層電子的排布式為3s23p63d10,
故答案為:34;3s23p63d10;
(4)同主族元素對應(yīng)的氫化物中,元素的非金屬性越強,對應(yīng)的氫化物的酸性越弱,則H2Se的酸性比H2S強,
氣態(tài)SeO3分子中Se形成3個δ鍵,沒有孤電子對,為平面三角形分子,SO32-中S形成3個δ鍵,孤電子對數(shù)為
6+2-2×3
2
=1,則為三角錐形,
故答案為:強;平面三角形;三角錐形;
(5)①酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負電荷,吸引H+,同時產(chǎn)生的H+抑制第二步電離,所以H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離程度,導(dǎo)致第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子,
故答案為:第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;
②H2SeO3的分子結(jié)構(gòu)為,Se為+4價,而H2SeO4的分子結(jié)構(gòu)為,Se為+6價,后者Se原子吸電子能力強,導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,則羥基上氫原子更容易電離出H+
故答案為:H2SeO3和H2SeO4可表示為 (HO)SeO和 (HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+
(6)晶胞中含有S離子位于頂點和面心,共含有
1
8
+6×
1
2
=4,Zn離子位于體心,共4個,則晶胞中平均含有4個ZnS,質(zhì)量為
4×(65+32)g/mol
6.02×1023/mol
,晶胞的體積為(540.0×10-10cm)3,則密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3
四個Zn2+在體內(nèi)的四個小立方體的中心,不在同一平面上,過b向上面作垂線,構(gòu)成直角三角形,兩邊分別為
2
4
a
;
1
4
a,即可求出斜邊為
3
4
a(a 為晶胞邊長),則a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
3
4
×540.0pm=135
3
pm或 
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
,
故答案為:
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
; 
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
點評:本題綜合考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)相關(guān)知識,涉及雜化軌道、第一電離能、電負性、電子排布式、分子的立體構(gòu)型、晶胞的計算等,難度較大,需要學(xué)生具有扎實的基礎(chǔ)與靈活運用的能力.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:2013屆江蘇省揚州中學(xué)高三12月質(zhì)量檢測化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

(12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物         。
(2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         。
(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      ;
(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點:-41.1℃,H2S的沸點:-60.4℃引起兩者沸點差異的主要原因是         
(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ;
(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為         。

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年四川省樂山市高三“一調(diào)”考試理綜化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物          。

(2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         

(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為       ;

(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                          ;H2Se的沸點:-41.1℃ ,H2S的沸點:-60.4℃,引起兩者沸點差異的主要原因是         

(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式          ,該離子的立體構(gòu)型為                  ;

(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,

則該氧化物的化學(xué)式為          。

 

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年江蘇省高三12月質(zhì)量檢測化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

(12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物         。

(2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         

(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      ;

(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點:-41.1℃,H2S的沸點:-60.4℃引起兩者沸點差異的主要原因是         ;

(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ;

(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為         

 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物   ▲   。

(2)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為        ▲   ; O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為  ▲ 

(3)SO32-離子中硫原子的雜化方式  ,該離子的立體構(gòu)型為    ▲      ;

(4)某金屬元素(以A表示)的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為   ▲ 

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