下面所列的電子層中能量最低的是( 。
A、K層B、L 層
C、M層D、N層
考點(diǎn):原子核外電子的能級分布
專題:原子組成與結(jié)構(gòu)專題
分析:一般來說,離核較近的電子層有較低的能量,隨著電子層數(shù)的增加,電子層的能量越來越大;
解答: 解:離核最近的電子層稱為K層,該層的能量最低,電子層能量由低到高依次為:K、L、M、N、0…,
故選:A.
點(diǎn)評:本題考查了原子核外電子的排布,難度不大,明確離核越近的電子層越低,越遠(yuǎn)的能量越高.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

A、B、D、E、G、H均是前四周期的元素.在所有前四周期的基態(tài)原子中A的未成對電子最多;B基態(tài)原子的L電子層的p能級上有一個(gè)空軌道;D 的基態(tài)原子的2p軌道上有1個(gè)電子的自旋方向與其它電子的自旋方向相反;E的基態(tài)原子M層有6種運(yùn)動狀態(tài)不同的電子; G在周期表中位于第8列,H的原子序數(shù)比G大3.根據(jù)信息回答下列問題:
(1)E元素基態(tài)原子的M層有
 
種能量不同的電子;EO2分子的立體構(gòu)型為
 
,其VSEPR模型名稱為
 

(2)A元素的名稱為
 
,其基態(tài)原子價(jià)電子排布圖為
 

(3)區(qū)分晶體與非晶體最可靠的科學(xué)方法是對固體進(jìn)行
 
;G與BD能形成揮發(fā)性液體G(BD)5,則其屬于
 
晶體.G常見晶體結(jié)構(gòu)為體心立方堆積,其中G原子在二維平面里放置時(shí)的配位數(shù)為
 
.某種含G化合物的晶胞如圖所示,該晶體的密度為ρ g/cm3,則NA可以表示為
 
(用含ρ、a、b的式子表示,不必化簡)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

如圖表示反應(yīng)X(g)?4Y(g)+Z(g),在 200℃和a℃時(shí),X的濃度隨時(shí)間變化的曲線

(1)200℃時(shí),5min內(nèi)用Y表示平均反應(yīng)速率
 

(2)200℃在8min時(shí),Z的濃度為
 

(3)200℃在
 
時(shí)刻,反應(yīng)達(dá)到平衡.
(4)200℃時(shí),第7min時(shí)刻,V(正)
 
V(逆)(填“>”、“<”、“=”).
(5)從圖中可以看出,a
 
200(填“>”、“<”、“=”).

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

某氣體的摩爾質(zhì)量為M g?mol-1,NA表示阿伏加德羅常數(shù),在一定的溫度和壓強(qiáng)下,體積為V L的該氣體所含有的分子數(shù)為x.則
Mx
VNA
表示的是(  )
A、該氣體的密度(以g/L為單位)
B、VL該氣體的質(zhì)量(以g為單位)
C、1mol該氣體的體積(以L為單位)
D、1L該氣體中所含的分子數(shù)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

幾種短周期元素的原子半徑及主要化合價(jià)如下表
元素代號LMXRT
原子半徑(nm)0.1600.1430.1020.0890.074
主要化合價(jià)+2+3+6、-2+2-2
下列說法正確的是( 。
A、離子半徑大小:r(M3+)>r(T2-
B、R的氧化物對應(yīng)的水化物不可能具有兩性
C、X單質(zhì)在氧氣中燃燒生成XO3
D、L、T形成的簡單離子核外電子數(shù)相等

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列物質(zhì)分類正確的是( 。
A、波爾多液、工業(yè)酒精、氨水均為混合物
B、稀豆?jié){、硅酸、氯化鐵溶液均為膠體
C、燒堿、冰醋酸、四氯化碳均為電解質(zhì)
D、SO2、SiO2、CO均為酸性氧化物

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

反應(yīng):CaCl2+CO2+H2O=CaCO3+2HCl在任何情況下都不能發(fā)生反應(yīng),原因是該反應(yīng)( 。
A、△H>0△S>0
B、△H<0△S<0
C、△H<0△S>0
D、△H>0△S<0

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列儀器不能用酒精燈直接加熱的是( 。
A、蒸餾燒瓶B、蒸發(fā)皿
C、坩堝D、試管

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列說法正確的是( 。
A、二氧化硅廣泛用于光纖通訊
B、工藝師利用鹽酸刻蝕石英制作藝術(shù)品
C、水晶項(xiàng)鏈和餐桌上的瓷盤都是硅酸鹽制品
D、粗硅制備單晶硅不涉及氧化還原反應(yīng)

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同步練習(xí)冊答案