下面的排序錯(cuò)誤的是

A．晶體熔點(diǎn)由高到低：MgO> H2O > NH3

B．熔點(diǎn)由高到低：金剛石>生鐵>純鐵>鈉

C．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

下列有關(guān)金屬的說法不正確的是

A．金屬的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、延展性都與自由電子有關(guān)

B．六方最密和面心立方最密的原子堆積方式空間利用率最高

C．鈉晶胞結(jié)構(gòu)如下圖，鈉晶胞中每個(gè)鈉原子的配位數(shù)為6

D．溫度升高，金屬的導(dǎo)電性將變小

過渡金屬元素氧化物的應(yīng)用研究是目前科學(xué)研究的前沿之一。2007年諾貝爾物理學(xué)獎為法國科學(xué)家阿爾貝·費(fèi)爾和德國科學(xué)家彼得·格林貝格爾共同獲得，以表彰他們在巨磁電阻效應(yīng)（CMR效應(yīng)）研究方面的成就。某鈣鈦型復(fù)合氧化物（如下圖），以A原子為晶胞的頂點(diǎn)，A位可以是Ca、Sr、Ba或Pb，當(dāng)B位是V、Cr、Mn、Fe時(shí)，這種化合物具有CMR效應(yīng)。

（1）用A、B、O（氧）表示此類特殊晶體的化學(xué)式           ；
（2）已知La為+3價(jià)，當(dāng)被鈣等二價(jià)元素A替代時(shí)，可形成復(fù)合鈣鈦礦化合物L(fēng)a_1-xA_xMnO₃, (x < 0.1)，此時(shí)一部分錳轉(zhuǎn)變?yōu)?4價(jià)。導(dǎo)致材料在某一溫度附近有反鐵磁-鐵磁、鐵磁-順磁轉(zhuǎn)變及金屬-半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變，則La_1-xA_xMnO₃中三價(jià)錳與四價(jià)錳的物質(zhì)的量之比為              ；（用含x的代數(shù)式表示）
（3）Mn的外圍電子排布式為                   ，在元素周期表中的位置是第     周期，第     族；
（4）下列有關(guān)說法正確的是           。
A．鑭、錳、氧分別位于周期表f、d、p區(qū)
B．CaO的熔點(diǎn)為2614℃，屬于原子晶體
C．鉻的堆積方式與鉀相同，則其堆積方式如下圖：

D．錳的電負(fù)性為1.59 ，Cr的電負(fù)性為1.66，說明錳的金屬性比鉻強(qiáng)

（10分）已知一些單質(zhì)、化合物的沸點(diǎn)（1.01×10⁵Pa，單位：℃）如下表所示：

結(jié)合上表有關(guān)信息回答下列問題：
（1）判斷下列說法不正確的是                        

A．同周期元素的氫化物，原子序數(shù)越大，沸點(diǎn)越高

B．上表中H2O、HF中由于含有氫鍵，故其分子特別穩(wěn)定

C．上表中，多數(shù)物質(zhì)的沸點(diǎn)均與相對分子質(zhì)量存在一定的關(guān)系

D．周期表中各主族元素的單質(zhì)其沸點(diǎn)都隨原子序數(shù)的增大而升高

E．氫化物的穩(wěn)定性越高，其沸點(diǎn)越高
（2）寫出②系列中物質(zhì)主要化學(xué)性質(zhì)的遞變規(guī)律（任寫一種）：                      ；能說明該遞變規(guī)律的化學(xué)事實(shí)是                 （任寫一例，用離子方程式表示）。
（3）除極少數(shù)情況，同一系列中物質(zhì)的沸點(diǎn)與相對分子質(zhì)量之間存在一定的關(guān)系，該關(guān)系是                            。
（4）部分XX’型鹵素互化物（X、X’表示不同的鹵原子）和鹵素單質(zhì)的沸點(diǎn)也與其相對分子質(zhì)量存在著如右圖所示的關(guān)系。試推測ICl的沸點(diǎn)所處的最小范圍          （填“物質(zhì)的化學(xué)式”）。

由下列各組中三種元素構(gòu)成的化合物中，既有離子晶體又有分子晶體的是（    ）

A．H、N、O

B．Na、S、O

C．H、O、C

D．H、S、O

下列離子晶體中,熔點(diǎn)最低的是（   ）

A．NaCl

B．KCl

C．CaO

D．MgO

下列化學(xué)式既能表示物質(zhì)的組成，又能表示物質(zhì)的一個(gè)分子的是（  ）

A．NaOH

B．SiO2

C．Fe

D．H2Se

碳化硅的晶體有類似金剛石的結(jié)構(gòu)，其中碳原子和硅原子的位置是交替的。它與晶體硅和金剛石相比較，正確的是（  ）。

A．熔點(diǎn)從高到低的順序是：金剛石＞碳化硅＞晶體硅

B．熔點(diǎn)從高到低的順序是：金剛石＞晶體硅＞碳化硅

C．三種晶體中的結(jié)構(gòu)單元都是三角錐結(jié)構(gòu)

D．三種晶體都是原子晶體且均為電的良導(dǎo)體

氮化硅（Si₃N₄）是一種新型的耐高溫耐磨材料，在工業(yè)上有廣泛用途，它屬于

A．原子晶體

B．分子晶體

C．金屬晶體

D．離子晶體

已知氯化鋁易溶于苯和乙醚，其熔點(diǎn)為190℃，則下列結(jié)論錯(cuò)誤的是

A．氯化鋁是電解質(zhì)	B．固體氯化鋁是分子晶體
C．可用電解熔融氯化鋁的辦法制取金屬鋁	D．氯化鋁為非極性分子