印刷電路板是由高分子材料和銅箔復(fù)合而成，刻制印刷電路時(shí)，要用FeCl₃溶液作為“腐蝕液”，生成CuCl₂和FeCl₂．請寫出反應(yīng)的化學(xué)方程式，．

已知A、B、C、D、E、F、G為中學(xué)化學(xué)中常見的化合物，其中A是淡黃色固體，B是無色液體，G為紅褐色沉淀．常溫下甲、乙、丙為氣態(tài)非金屬單質(zhì)，丙呈黃綠色；丁、戊為常見金屬單質(zhì)，其中戊是當(dāng)前用量最大的金屬．它們之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示（有的反應(yīng)部分產(chǎn)物已經(jīng)略去）．請根據(jù)以上信息回答下列問題：

（1）寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式：A，E，戊．
（2）F轉(zhuǎn)化為G的過程中出現(xiàn)的現(xiàn)象是：．
（3）寫出②中反應(yīng)的離子方程式：．
（4）①～⑥轉(zhuǎn)化中不含有氧化還原反應(yīng)的是：（填序號）．

現(xiàn)代工業(yè)常以氯化鈉為原料制備純堿，部分工藝流程如下：

已知NaHCO₃在低溫下溶解度較小．
反應(yīng)Ⅰ：NaCl+CO₂+NH₃+H₂O

低溫  .

NaHCO₃↓+NH₄Cl，處理母液的兩種方法：
（1）向母液中加入石灰乳，可將其中循環(huán)利用．
（2）向母液中通入NH₃，加入細(xì)小的食鹽顆粒并降溫，可得到NH₄Cl晶體．試寫出通入NH₃后，溶解度較小的酸式碳酸鹽轉(zhuǎn)變?yōu)槿芙舛容^大的碳酸鹽的離子方程式．

分子式為C₅H₁₂O的有機(jī)物共有8種屬于醇類的同分異構(gòu)體，其中含有-CH₂OH基團(tuán)的有（　　）

硼元素在化學(xué)中有很重要的地位，硼及其化合物廣泛應(yīng)用于永磁材料、超導(dǎo)材料、富燃料材料、復(fù)合材料等高新材料領(lǐng)域．
（1）三氟化硼在常溫常壓下為具有刺鼻惡臭和強(qiáng)刺激性的無色有毒腐蝕性氣體，其分子的立體構(gòu)型為，B原子的雜化類型為．
（2）磷化硼是一種受到高度關(guān)注的耐磨涂料，它可用作金屬的表面保護(hù)層．圖1是磷化硼晶體的晶胞示意圖，則磷化硼的化學(xué)式為，該晶體的晶體類型是．

（3）硼酸（H₃B0₃）是一種片層狀結(jié)構(gòu)的白色晶體，層內(nèi)的H₃B0₃分子間通過氫鍵相連（如圖2）．
①硼酸分子中B最外層有個(gè)電子，1molH₃B0₃的晶體中有 mol氫鍵．
②硼酸溶于水生成弱電解質(zhì)一水合硼酸B（OH）₃?H₂ O，它電離生成少量[B（OH）₄]^一和H⁺，則硼酸為
 元酸，[B（OH）₄]^一含有的化學(xué)鍵類型為．
（4）H₃P0₄的K₁、K₂、K₃分別為7.6×10^-3、6.3×10^-8、4.4×10^-13，硝酸完全電離，而亞硝酸K=5.1×10^-4，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H₃P0₄的K₁遠(yuǎn)大于K₂的原因； ②硝酸比亞硝酸酸性強(qiáng)的原因．
（5）NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似，其晶胞的棱長為a cm，則該晶體中距離最近的兩個(gè)陽離子核間的距離為（用含有a的代數(shù)式表示）．在一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”（如圖3），可以認(rèn)為氧離子作密致單層排列，鎳離子填充其中，列式并計(jì)算每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為g（氧離子的半徑為1.40×10^-10m，

3

≈1.732）．

某苯的衍生物，含有兩個(gè)互為對位的取代基，其分子式為C₈H₁₀O，其中不跟NaOH溶液反應(yīng)的衍生物種類有（　�。�

前四周期元素X、Y、Z、W、R的原子序數(shù)依次增大，已知：X原子的2p軌道為半充滿狀態(tài)；Y原子的L層有2個(gè)未成對電子；Z與Y位于同主族；W的+2價(jià)簡單離子核外電子層排布與Ar原子相同；R原子的d軌道上有3個(gè)空軌道．請回答下列問題：
（1）R原子的基態(tài)電子排布式為．
（2）X、Y原子的第一電離能大小順序?yàn)?div id="7x7qnrt" class='quizPutTag' contenteditable='true'>