(1)元素的第一電離能：Al________Si(填“>”或“<”)。

(2)基態(tài)Mn2＋的核外電子排布式為____________。

(3)硅烷(SinH2n＋2)的沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是________________________。

(4)硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉，其陰離子Xm－(含B、O、H三種元素)的球棍模型如圖所示：

①在Xm－中，硼原子軌道的雜化類型有________；配位鍵存在于________原子之間(填原子的數(shù)字標(biāo)號)；m＝________(填數(shù)字)。

②硼砂晶體由Na＋、Xm－和H2O構(gòu)成，它們之間存在的作用力有________ (填序號)。

A離子鍵 B共價鍵 C金屬鍵 D范德華力 E氫鍵

已知： (具有還原性，極易被氧化)

(1)①的反應(yīng)類型為 ；反應(yīng)②的作用是 。B的結(jié)構(gòu)簡式為 。

(2) D與足量的NaOH溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。

(3)符合下列條件的C的同分異構(gòu)體有___________種；

A．屬于芳香族化合物，且只含一個甲基

B．既能發(fā)生銀鏡反應(yīng)又能發(fā)生水解反應(yīng)

其中核磁共振氫譜有5組峰，且峰面積之比為3︰2︰2︰2︰1的是 (寫出其中一種結(jié)構(gòu)簡式)

(4)已知：苯環(huán)上有烷烴基時，新引入的取代基連在苯環(huán)的鄰對位；苯環(huán)上有羧基時，新引入的取代基連在苯環(huán)的間位。根據(jù)提供的信息，寫出以甲苯為原料合成有機(jī)物的流程圖(無機(jī)試劑任選)。合成路線流程圖示例如下：X Y Z……目標(biāo)產(chǎn)物

①若a＜4，則A、B都是弱酸

②稀釋后，A酸溶液的酸性比B酸溶液強(qiáng)

③若a=4，則A是強(qiáng)酸，B是弱酸

④A、B兩種酸溶液的物質(zhì)的量濃度一定相等

A．①④ B．②③ C．①③ D．②④

A. 等物質(zhì)的量的水與重水含有的中子數(shù)

B. 等物質(zhì)的量的乙烯和丙烯中含有的共用電子對數(shù)

C. 同溫、同壓、同體積的CO和NO含有的質(zhì)子數(shù)

D. 等物質(zhì)的量的鈉分別和足量的氧氣反應(yīng)生成的氧化鈉和過氧化鈉

A. 8種 B. 16種 C. 24種 D. 36種

A．節(jié)能燈代替白熾燈 B．太陽能熱水器代替燃?xì)鉄崴��?/span>

C．紙巾代替棉手帕 D．環(huán)保袋代替一次性塑料袋

A．麻古（冰毒片劑） B．K粉（氯胺酮）

C．大麻（四氫大麻酚） D．抗酸藥

A. 原子半徑和離子半徑均滿足：Y<Z

B. 最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性：T<R

C. 氫化物的沸點(diǎn)不一定是：Y>R

D. 由 X、R、Y、Z 四種元素組成的化合物水溶液一定顯堿性

（1）U 在周期表中的位置 。X、Y、Z 的第一電離能從大到小的順序是 （用元素符號表示，下同)。

（2）寫出 W 的價電子排布圖 。

（3）根據(jù)等電子體原理，可知化合物 XZ 的電子式是 。

（4）X、Y、Z的最簡單氫化物的鍵角從大到小的順序是 （ 用化學(xué)式表示)， 原因 是 。

（5）由元素 Y 與 U 元素組成的化合物 A，晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示（黑球表示 Y 原子， 白球表示 U 原子），請寫出化合物 A 的化學(xué)式 ，其中 Y 元素的雜化方式是 。

（6）U 的晶體屬立方晶系，其晶胞邊長為 405 pm，密度是 2.70 g/cm，通過計(jì)算確定 其晶胞的類型 （填簡單立方堆積、體心立方堆積或面心立方最密堆 積）（已知：4053≈6.64×107）

【題目】單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2＋2C===Si＋2CO↑�、赟i＋2Cl2===SiCl4
③SiCl4＋2H2===Si＋4HCl。下列對上述三個反應(yīng)的敘述中，不正確的是（　�。�
A.①③為置換反應(yīng)
B.②為化合反應(yīng)
C.①②③均為氧化還原反應(yīng)
D.三個反應(yīng)的反應(yīng)物中硅元素均被還原