6.如圖所示,質(zhì)量為m、連長(zhǎng)為l的正方形線框abcd,在豎直平面內(nèi)從有水平邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h高處由靜止自由下落.線框電阻為R,磁場(chǎng)寬度為H(l<H),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線框豎直下落過程中,ab邊始終與磁場(chǎng)邊界平行.已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)和ab邊穿出磁場(chǎng)時(shí)的速度相等.此過程中( 。
A.線框的最大速度為$\frac{mgR}{{B}^{2}{l}^{2}}$
B.線框中產(chǎn)生的電熱為mg(H-l)
C.線框中通過的電荷量為$\frac{B{H}^{2}}{R}$
D.ad邊離開磁場(chǎng)的瞬間克服安培力做功的功率為$\frac{2{B}^{2}{l}^{2}g(h+l-H)}{R}$

分析 線框ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)前,受到重力作用,做自由落體運(yùn)動(dòng);ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)和ab邊穿出磁場(chǎng)時(shí)的速度相等,說明線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)是先減速后加速的運(yùn)動(dòng).在進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中,線框ab邊切割磁感線,ab邊受到豎直向下的重力和豎直向上的安培力作用,做變減速直線運(yùn)動(dòng),后若安培力等于重力,線框還可能做勻速直線運(yùn)動(dòng);線框完全進(jìn)入磁場(chǎng)中時(shí),線框磁通量不發(fā)生變化,所以只受到重力作用,做自由落體運(yùn)動(dòng);線框ab邊在離開磁場(chǎng)時(shí),cd邊切割磁感線,所以受到豎直向下的重力和豎直向上的安培力作用,做變減速直線運(yùn)動(dòng),由于線框的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開磁場(chǎng)時(shí)的速度相同,所以線框在進(jìn)入和離開磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)過程完全相同.

解答 解:A、由過程分析知,線框的最大速度即為進(jìn)入時(shí)的速度,此時(shí),重力小于安培力$mg<\frac{{B}_{\;}^{2}{l}_{\;}^{2}{v}_{m}^{\;}}{R}$,即${v}_{m}^{\;}>\frac{mgR}{{B}_{\;}^{2}{l}_{\;}^{2}}$,由機(jī)械能守恒:$\frac{1}{2}m{v}_{m}^{2}=mgh$,得${v}_{m}^{\;}=\sqrt{2gh}$,故A錯(cuò)誤;
B、ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)和ab邊穿出磁場(chǎng)時(shí)的速度相等,由動(dòng)能定理得:$mgH-{W}_{安}^{\;}=0$,安培力做功轉(zhuǎn)化為電熱,即$Q={W}_{安}^{\;}=mgH$,故B錯(cuò)誤;
C、線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)$E=\frac{△Φ}{△t}$=$\frac{B{l}_{\;}^{2}}{△t}$,則線框中的感應(yīng)電流$I=\frac{E}{R}$,則電荷量$Q=I•△t=\frac{B{l}_{\;}^{2}}{R}$,線框的ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)過程和ab邊離開磁場(chǎng)過程相同,所以線框通過的總電荷量${Q}_{總}(cāng)^{\;}=2Q=\frac{2B{l}_{\;}^{2}}{R}$,故C錯(cuò)誤;
D、ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度${v}_{0}^{\;}={v}_{m}^{\;}=\sqrt{2gh}$,設(shè)線框正好完全進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度為${v}_{1}^{\;}$,剛要離開時(shí)的速度${v}_{2}^{\;}={v}_{0}^{\;}$,線框速度由${v}_{1}^{\;}$變化到${v}_{2}^{\;}$過程,線框在磁場(chǎng)中做自由落體運(yùn)動(dòng),根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)公式
${v}_{0}^{2}-{v}_{1}^{2}=2g(H-l)$,得到${v}_{1}^{\;}=\sqrt{2g(h+l-H)}$;線框進(jìn)入和離開磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)完全相同,即線框cd邊離開磁場(chǎng)的瞬時(shí)速度${v}_{3}^{\;}={v}_{1}^{\;}$,此時(shí)安培力$F=BIL=B\frac{Bl{v}_{3}^{\;}}{R}l$,結(jié)合瞬時(shí)功率$P=F{v}_{3}^{\;}$,聯(lián)立解得:P=$\frac{2{B}_{\;}^{2}{l}_{\;}^{2}g(h+l-H)}{R}$,故D正確;
故選:D

點(diǎn)評(píng) 本題的易錯(cuò)項(xiàng)是A項(xiàng).因?yàn)榫框ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)和穿出磁場(chǎng)時(shí)速度相等,所以線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中不可能勻速,可能先減速后勻速,也可能進(jìn)入過程一直減速,完全進(jìn)入后再加速,所以剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度最大,且安培力大于重力,所以速度的最大值${v}_{m}^{\;}>\frac{mgR}{{B}_{\;}^{2}{l}_{\;}^{2}}$.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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A.電動(dòng)勢(shì)的有效值為220VB.交變電流的頻率為100Hz
C.電動(dòng)勢(shì)的峰值約為220VD.t=0時(shí),線圈平面與中性面垂直

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1.一物體在光滑水平面上運(yùn)動(dòng),建立平面直角坐標(biāo)系xOy,將物體的運(yùn)動(dòng)分解到x軸,y軸方向,其分速度vx和vy隨時(shí)間變化的圖線如圖所示,求:
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A.缸內(nèi)氣體的體積增大,內(nèi)能增加
B.單位時(shí)間內(nèi)缸內(nèi)氣體分子對(duì)活塞的碰撞次數(shù)減少
C.缸內(nèi)氣體等溫膨脹,對(duì)外做功
D.缸內(nèi)氣體是從單一熱源吸熱,全部用來對(duì)外做功,但此過程不違反熱力學(xué)第二定律
E.缸內(nèi)氣體是從單一熱源吸熱,但并未全部用來對(duì)外做功,所以此過程不違反熱力學(xué)第二定律

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(1)若接觸面均光滑.小球剛好能滑到圓軌道的最高點(diǎn)C,求斜面高h(yuǎn).
(2)若已知小球質(zhì)量m=0.1kg,斜面高h(yuǎn)=2m,小球運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道壓力為mg,求全過程中摩擦阻力做的功.

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11.如圖所示,是一個(gè)點(diǎn)電荷電場(chǎng)的電場(chǎng)線(箭頭線)和等勢(shì)面(虛線),兩等勢(shì)面之間的電勢(shì)差大小為2V,有一個(gè)帶電荷量q=-1.0×10-8C的電荷,從A點(diǎn)沿不規(guī)則曲線移到B點(diǎn),靜電力做功為( 。
A.-2.0×10-8JB.2.0×10-8JC.1.60×10-7JD.-4.0×10-8J

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18.如圖所示,空間直角坐標(biāo)系Oxyz內(nèi)存在勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng),勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向與Oxy平面平行且與y軸負(fù)方向的夾角為θ,勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E,方向沿y軸負(fù)方向,一質(zhì)子(重力不計(jì))從原點(diǎn)O以速度v=$\frac{Esinθ}{B}$向z軸正方向射出,已知質(zhì)子的電荷量為e,下列關(guān)于質(zhì)子的受力和運(yùn)動(dòng)的描述正確的是(  )
A.質(zhì)子在O點(diǎn)受到的合力大小為eEcosθ
B.質(zhì)子在運(yùn)動(dòng)過程中受到的合力為變力
C.質(zhì)子沿x軸方向的分運(yùn)動(dòng)是勻速直線運(yùn)動(dòng)
D.質(zhì)子不可能做勻變速曲線運(yùn)動(dòng)

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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題

15.質(zhì)量m=0.1kg的質(zhì)點(diǎn)以v=20m/s的速度運(yùn)動(dòng),從某時(shí)刻起受到一個(gè)始終與速度方向垂直并指向某一中心、大小F=20N的力的作用,力的作用時(shí)間t=$\frac{π}{2}$s.求:
(1)當(dāng)t=$\frac{π}{2}$s時(shí)該質(zhì)點(diǎn)的速率;
(2)此過程中質(zhì)點(diǎn)通過的路程和位移大小.

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16.圖中a是一個(gè)鐵絲圈,中間較松地系一根棉線;圖b是浸過肥皂的鐵絲圈,圖c表示用燒熱的針輕碰一下棉線的左邊;圖d表示棉線左邊的肥皂膜破了,棉線被拉向右邊,這個(gè)實(shí)驗(yàn)說明了( 。
A.物質(zhì)是由大量分子組成的
B.分子之間有空隙
C.組成物質(zhì)的分子不停地做無規(guī)則運(yùn)動(dòng)
D.分子間存在引力

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