如圖所示為一質(zhì)譜儀的示意圖,由加速電場、靜電分析器和磁分析器組成.若靜電分析器的通道的半徑為R,均勻輻向分布,離子運動軌道處電場強度為E,磁感應強度為B.試計算:

(1)為使電荷量為q、質(zhì)量為m的離子從靜止開始經(jīng)加速電場加速后沿圖示的虛線通過靜電分析器,加速電場的電壓U為多大?

(2)離子由O點進入磁分析器后,最終打在乳膠片上的位置A,距入射點O多遠?

(3)若有一群帶電粒子,從靜止起經(jīng)加速電場加速,又經(jīng)過靜電分析器和磁分析器后落點在同一點A,問該群帶電粒子有什么共性?

答案:見詳解
解析:

(1)離子在加速電場中加速時,有:

qUmv02 、

在靜電分析器中做勻速圓周運動,離子所受的電場力提供向心力,

即  qE 、

聯(lián)立①②兩式可得

U

(2)離子進入磁場中在磁分析器中做勻速圓周運動,洛倫茲力提供向心力

qv0Bm 、

r  ④

則  sOA2r 、

(3)由⑤式的關(guān)系可知,若一群帶電粒子從靜止開始加速,又經(jīng)靜電分析器和磁分析器后落在同一點A,即SOA相同.則有:.只要該群帶電粒子的比荷相同即可.


提示:


練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量相等、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:
(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的動能;
(2)離子在磁場中運動時的動量大。
(3)離子的質(zhì)量.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:
(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;
(2)離子的荷質(zhì)比 (q/m)

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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科目:高中物理 來源:2011-2012學年廣西省高二3月月考物理卷(解析版) 題型:計算題

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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科目:高中物理 來源:浙江省高二上學期期末考試物理卷 題型:計算題

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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