A. | |PD|≤$\frac{2+\sqrt{3}}{4}$L | B. | |PD|≤$\frac{1+\sqrt{3}}{4}$L | C. | |QD|≤$\frac{\sqrt{3}}{4}$L | D. | |QD|≤$\frac{1}{2}$L |
分析 本題粒子的半徑確定,圓心必定在經(jīng)過(guò)AB的直線(xiàn)上,可將粒子的半圓畫(huà)出來(lái),然后移動(dòng)三角形,獲取AC邊的切點(diǎn)以及從BC邊射出的最遠(yuǎn)點(diǎn).
解答 解:粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為 R=$\frac{mv}{qB}$.由題知:v=$\frac{\sqrt{3}qBL}{4m}$,解得:R=$\frac{\sqrt{3}}{4}$L.
如圖所示,當(dāng)圓心處于O1位置時(shí),粒子正好從AC邊切過(guò),并與BC邊過(guò),因此入射點(diǎn)P1為離開(kāi)B最遠(yuǎn)的點(diǎn),滿(mǎn)足|PD|≤$\frac{1}{2}$L+$\frac{\sqrt{3}}{4}$L,故A正確,B錯(cuò)誤;
當(dāng)圓心處于O2位置時(shí),粒子從P2射入,打在DC邊的Q點(diǎn),由于此時(shí)Q點(diǎn)距離AB最遠(yuǎn)為圓的半徑$\frac{\sqrt{3}}{4}$L,故QD最大,即|QD|≤$\frac{\sqrt{3}}{4}$L×$\frac{2}{\sqrt{3}}$=$\frac{1}{2}$L,故C錯(cuò)誤,D正確.
故選:AD.
點(diǎn)評(píng) 考查帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的勻速圓周運(yùn)動(dòng).由于運(yùn)動(dòng)軌跡的對(duì)應(yīng)的半徑不變,所以當(dāng)從不同的位置進(jìn)入時(shí),出磁場(chǎng)位置也不同,故當(dāng)軌跡剛與BC相切或與BC垂直相交,是本題考慮的兩種臨界狀態(tài),也是解題的突破口.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電流 | B. | 磁感應(yīng)強(qiáng)度 | C. | 電場(chǎng)強(qiáng)度 | D. | 安培力 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 變阻器觸點(diǎn)P向左移動(dòng)或線(xiàn)圈ABCD向上平移 | |
B. | 變阻器觸點(diǎn)P向右移動(dòng)或線(xiàn)圈ABCD向下平移 | |
C. | 變阻器觸點(diǎn)P向左移動(dòng)或線(xiàn)圈ABCD向下平移 | |
D. | 變阻器觸點(diǎn)P向右移動(dòng)或線(xiàn)圈ABCD向上平移 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 電子先減速后加速 | B. | 電子先加速后減速 | ||
C. | 電子的電勢(shì)能先增大后減小 | D. | 電子的電勢(shì)能先減小后增大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 如果氣體體積膨脹對(duì)外界做功,則分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能會(huì)減小 | |
B. | 如果氣體體積保持不變,則分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能會(huì)保持不變 | |
C. | 只有當(dāng)外界對(duì)氣體做功時(shí),分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能才會(huì)增加 | |
D. | 不管氣體體積如何變化,分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能總會(huì)增加 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 感應(yīng)電流的磁場(chǎng)總是與原磁場(chǎng)方向相反 | |
B. | 線(xiàn)圈的自感作用是阻礙通過(guò)線(xiàn)圈的電流 | |
C. | 當(dāng)穿過(guò)線(xiàn)圈的磁通量為0時(shí),感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)一定為0 | |
D. | 自感電動(dòng)勢(shì)阻礙原電流的變化 |
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