【題目】如圖所示,AB和CDO都是處于豎直平面內(nèi)的光滑圓弧形軌道,OA處于水平位置。AB是半徑為R=2 m的1/4圓周軌道,CDO是半徑為r=1 m的半圓軌道,最高點O處固定一個豎直彈性擋板。D為CDO軌道的中央點。BC段是水平粗糙軌道,與圓弧形軌道平滑連接。已知BC段水平軌道長L=2 m,與小球之間的動摩擦因數(shù)μ=0.4。現(xiàn)讓一個質(zhì)量為m=1 kg的小球P從A點的正上方距水平線OA高H處自由下落。(取g=10 m/s2)
(1)當(dāng)H=1.4 m時,問此球第一次到達(dá)D點對軌道的壓力大小。
(2)當(dāng)H=1.4 m時,試通過計算判斷此球是否會脫離CDO軌道。如果會脫離軌道,求脫離前球在水平軌道經(jīng)過的路程。如果不會脫離軌道,求靜止前球在水平軌道經(jīng)過的路程。
(3)為使小球僅僅與彈性板碰撞二次,且小球不會脫離CDO軌道,問H的取值范圍。
【答案】(1) (2) S=8.5m
【解析】試題分析:(1)設(shè)小球第一次到達(dá)D的速度VD,P到D點的過程對小球根據(jù)動能定理列式,有:
mg(H+r)-μmgL=mVD2
在D點對小球列牛頓第二定律:
聯(lián)立解得:FN=32N
(2)第一次來到O點,速度V1,P到O點的過程對小球根據(jù)動能定理列式,有:
mgH-μmgL=mV12
解得:V12=12
要能通過O點,須
臨界速度V02=10
故第一次來到O點之前沒有脫離,第二次來到D點是沿著原路返回,設(shè)第三次來到D點的動能EK
對之前的過程根據(jù)動能定理列式,有:mg(H+r)-3μmgL=EK
代入解得:EK=0
故小球一直沒有脫離CDO軌道
設(shè)此球靜止前在水平軌道經(jīng)過的路程S,對全過程根據(jù)動能定理列式,有:mg(H+R)-μmgS=0
解得:S=8.5m
(3)為使小球與擋板碰撞第二次,需滿足:mgH3μmgL≥mv02
代入數(shù)據(jù)解得:H≥2.9m
為使小球與僅僅擋板碰撞二次,且小球不會脫離CDO軌道,需滿足:
mg(H+r)-5μmgL≤0
代入數(shù)據(jù)解得:H≤3m
故:2.9m≤H≤3.0m
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【題目】下列說法中正確的是
A. 物體的動量變化,其速度大小一定變化
B. 物體的動量變化,其速度方向一定變化
C. 物體的動量變化,其動能一定變化
D. 物體的速率變化,其動量一定變化
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【題目】下列設(shè)備或做法中,利用了尖端放電原理的是( )
A. 避雷針網(wǎng)
B. 油罐車接地的鐵鏈
C. 靜電除塵
D. 給飛機(jī)加油時,要把油箱與大地用電纜連接起來
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【題目】電動機(jī)正常工作時( )
A. 電能全部轉(zhuǎn)化為內(nèi)能
B. 電能全部轉(zhuǎn)化為機(jī)械能
C. 電能主要轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,只有一小部分轉(zhuǎn)化為內(nèi)能
D. 電功率等于熱功率之和
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【題目】如圖所示,在傾角的固定斜面上放置一質(zhì)量kg、長度m的薄平板. 平板的上表面光滑,其下端與斜面底端的距離為16m. 在平板的上端處放一質(zhì)量kg的滑塊,開始時使平板和滑塊都靜止,之后將它們無初速釋放. 設(shè)平板與斜面間、滑塊與斜面間的動摩擦因數(shù)均為0.5,求:
(1)滑塊從釋放到剛離開平板所用時間
(2)滑塊離開平板后,滑塊與平板下端到達(dá)斜面底端的時間差. (,
g=10m/s2)
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【題目】一顆子彈水平射入置于光滑水平面上的木塊A并留在A中,A、B是用一根彈性良好的彈簧連在一起,如圖所示.則在子彈打擊木塊A并壓縮彈簧的整個過程中,對子彈、兩木塊和彈簧組成的系統(tǒng)( )
A. 系統(tǒng)機(jī)械能守恒
B. 系統(tǒng)機(jī)械能不守恒
C. 僅對A、B系統(tǒng),機(jī)械能守恒
D. 無法判定
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【題目】下列選項中,不符合史實的是( 。
A. 歷史上人們曾經(jīng)認(rèn)為地球是宇宙的中心
B. 哥白尼首先意識到行星圍繞太陽運動的軌道是橢圓,且太陽在橢圓的一個焦點上
C. 牛頓發(fā)現(xiàn)了萬有引力定律
D. 卡文迪許首先在實驗室中測出了萬有引力常量的數(shù)值
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【題目】質(zhì)譜儀是一種測帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具。如圖所示為一種質(zhì)譜儀的原理示意圖,粒子源產(chǎn)生的電荷量為q的正離子,飄入加速電場加速后,剛好沿直線通過速度選擇器,通過狹縫O沿垂直磁場的方向進(jìn)入偏轉(zhuǎn)磁場,并打在底片上的中點P處。已知速度選擇器中的電場強(qiáng)度為E,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B1,偏轉(zhuǎn)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。,放置底片的區(qū)域MN=L,且ON=L。不考慮離子的重力和進(jìn)入加速電場前的初速度。
(1)求離子的質(zhì)量m和加速電場的電壓U;
(2)只改變偏轉(zhuǎn)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,可調(diào)節(jié)離子打在底片上的位置。為使離子打在底片上,求偏轉(zhuǎn)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的調(diào)節(jié)范圍(用B0表示)。
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