A. | 離開(kāi)磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中的電流方向?yàn)閐cbad | |
B. | 通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中的最小速度為$\sqrt{\frac{2FL}{m}}$ | |
C. | 通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中的焦耳熱為2FL | |
D. | 進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中受到的安培力的沖量大小為$\frac{{{B^2}{L^3}}}{R}$ |
分析 根據(jù)楞次定律可判斷感應(yīng)電流分析;由于線框cd邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)左、右邊界時(shí)速度相同,由此分析速度最小的位置,根據(jù)動(dòng)能定理求解最小速度;根據(jù)功能關(guān)系計(jì)算通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱根據(jù)沖量的計(jì)算公式求解安培力的沖量大小.
解答 解:A、根據(jù)楞次定律可得,離開(kāi)磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中的電流方向?yàn)閐abcd,A錯(cuò)誤;
B、由題意可知,線框cd邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)左、右邊界時(shí)速度相同,所以線框離左邊界L與距離右邊界L時(shí)的速度相同,即速度最小,根據(jù)動(dòng)能定理可得:FL=$\frac{1}{2}m{v}^{2}$,解得v=$\sqrt{\frac{2FL}{m}}$,B正確;
C、從線框的cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)到剛好出磁場(chǎng)的過(guò)程中動(dòng)能變化為零,根據(jù)功能關(guān)系可得:F•2L-Q1=0,所以通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱為Q=2Q1=4FL,C錯(cuò)誤;
D、線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程量,安培力的沖量大小為I=$B\overline{I}Lt=\frac{{B}^{2}{L}^{2}\overline{v}t}{R}=\frac{{B}^{2}{L}^{3}}{R}$,D正確.
故選:BD.
點(diǎn)評(píng) 本題主要是考查了法拉第電磁感應(yīng)定律和楞次定律;對(duì)于導(dǎo)體切割磁感應(yīng)線產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)可以根據(jù)E=BLv來(lái)計(jì)算,注意沖量可以利用平均力與時(shí)間的乘積來(lái)計(jì)算.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 木塊B、C都和彈簧分離后的運(yùn)動(dòng)方向相同 | |
B. | 木塊B、C都和彈簧分離后,系統(tǒng)的總動(dòng)量增大 | |
C. | 木塊B、C分離過(guò)程中B木塊的動(dòng)量變化較大 | |
D. | 木塊B的質(zhì)量是C木塊質(zhì)量的四分之一 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 波的周期為0.15s | |
B. | 波的傳播速度為60m/s | |
C. | 在t=2s時(shí),P點(diǎn)速度最大,并沿y軸正方向運(yùn)動(dòng) | |
D. | 經(jīng)過(guò)2s,P點(diǎn)經(jīng)過(guò)的路程為12m | |
E. | 在t=4s時(shí),Q點(diǎn)到達(dá)波峰位置 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 小球離開(kāi)半球面之前,速率變化越來(lái)越快 | |
B. | 小球與半球面分離時(shí),小球離地面高度為$\frac{2}{3}$R | |
C. | 小球落地時(shí)速度大小為$\sqrt{2gR}$ | |
D. | 小球落地時(shí)重力的功率為mg$\sqrt{2gR}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | “神舟十一號(hào)”的向心力比“天宮二號(hào)”的小 | |
B. | “神舟十一號(hào)”的加速度比“天宮二號(hào)”的小 | |
C. | “神舟十一號(hào)”的運(yùn)行周期比“天宮二號(hào)”的小 | |
D. | “神舟十一號(hào)”的運(yùn)行速度比“天宮二號(hào)”的小 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 電阻R1消耗的熱功率為$\frac{Fv}{3}$ | |
B. | 電阻 R1消耗的熱功率為$\frac{Fv}{6}$ | |
C. | 整個(gè)裝置因摩擦而消耗的熱功率為μmgvcosθ | |
D. | 整個(gè)裝置消耗的機(jī)械功率為(F+μmgcosθ)v |
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