A. | 由圖線①、③可知在光的顏色不變的情況下,入射光越強(qiáng),飽和電流越大 | |
B. | 由圖線①、②、③可知對(duì)某種確定的金屬來(lái)說(shuō),其遏止電壓只由入射光的頻率決定 | |
C. | 當(dāng)入射光的頻率大于極限頻率時(shí),頻率增為原來(lái)的2倍,光電子最大初動(dòng)能也增為2倍 | |
D. | 遏止電壓越大,說(shuō)明從該金屬中逃出來(lái)的光電子的最大初動(dòng)能越大 |
分析 發(fā)生光電效應(yīng)的條件是入射光的頻率大于金屬的極限頻率,與入射光的強(qiáng)度無(wú)關(guān),入射光的強(qiáng)度影響單位時(shí)間內(nèi)發(fā)出光電子的數(shù)目.根據(jù)光電效應(yīng)方程得出最大遏止電壓與入射光的頻率的關(guān)系
解答 解:A、由圖線①、③可知在光的顏色不變的情況下,入射光越強(qiáng),飽和電流越大,故A正確.
B、根據(jù)光電效應(yīng)方程知,${E}_{km}^{\;}=hγ-{W}_{0}^{\;}=e{U}_{C}^{\;}$,可知入射光頻率越大,最大初動(dòng)能越大,遏止電壓越大,可知對(duì)于確定的金屬,遏止電壓只由入射光的頻率決定,故B正確
C、根據(jù)光電效應(yīng)方程知,Ekm=hv-W0,當(dāng)入射光的頻率增為2倍時(shí),光電子的最大初動(dòng)能不是增為原來(lái)的2倍,故C錯(cuò)誤.
D、根據(jù)${E}_{km}^{\;}=e{U}_{C}^{\;}$知遏止電壓越大,說(shuō)明從該金屬中逃出來(lái)的光電子的最大初動(dòng)能越大,故D正確
故選:ABD
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵知道光電效應(yīng)的條件,以及知道影響光電子最大初動(dòng)能的因素,注意遏止電壓與入射光的頻率有關(guān),與光的強(qiáng)度無(wú)關(guān)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 20N | B. | 60N | C. | 80N | D. | 160N |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電源是通過(guò)非靜電力做功把其他形式的能轉(zhuǎn)化為電能的裝置 | |
B. | 安培分子電流假說(shuō)成功的解釋了磁化現(xiàn)象和磁體消磁現(xiàn)象 | |
C. | 電荷在某處不受電場(chǎng)力作用,則該處電場(chǎng)強(qiáng)度一定為零 | |
D. | 一小段通電導(dǎo)體在某處不受安培力作用,則該處磁感應(yīng)強(qiáng)度一定為零 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 原、副線圈砸數(shù)之比為9:1 | B. | 原、副線圈砸數(shù)之比為1:9 | ||
C. | 此時(shí)a和b的電功率之比為9:1 | D. | 此時(shí)a和b的電功率之比為1:10 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 物塊受到的摩擦力先減小后增大,最后一直不變 | |
B. | 物塊受到的摩擦力先增大后減小,最后一直不變 | |
C. | 在t=20s時(shí),物塊受到的摩擦力為零 | |
D. | 在t=24s時(shí),物塊受到的摩擦力大小為6N |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 1:2:2:1 | B. | 1:2 1:2 | C. | 2:1 2:1 | D. | 2:1 1:2 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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