【題目】“太空涂鴉”技術(shù)就是使低軌運(yùn)行的攻擊衛(wèi)星通過(guò)變軌接近高軌偵查衛(wèi)星，準(zhǔn)確計(jì)算軌道并向其發(fā)射“漆霧”彈，“漆霧”彈在臨近偵查衛(wèi)星時(shí)，壓爆彈囊，讓“漆霧”散開(kāi)并噴向偵查衛(wèi)星，噴散后強(qiáng)力吸附在偵查衛(wèi)星的偵察鏡頭、太陽(yáng)能板、電子偵察傳感器等關(guān)鍵設(shè)備上，使之暫時(shí)失效。下列關(guān)于攻擊衛(wèi)星說(shuō)法正確的是（ ）

A.攻擊衛(wèi)星進(jìn)攻前需要加速才能進(jìn)入偵察衛(wèi)星軌道

B.攻擊衛(wèi)星進(jìn)攻前的向心加速度小于攻擊時(shí)的向心加速度

C.攻擊衛(wèi)星進(jìn)攻前的機(jī)械能大于攻擊時(shí)的機(jī)械能

D.攻擊衛(wèi)星進(jìn)攻時(shí)的線速度大于7.9km/s

【答案】A

【解析】

A．攻擊衛(wèi)星的軌道半徑小，進(jìn)攻前需要加速做離心運(yùn)動(dòng)，才能進(jìn)入偵查衛(wèi)星軌道，故A正確；

B．根據(jù)

得

可知，攻擊前，攻擊衛(wèi)星的軌道半徑小，故攻擊衛(wèi)星進(jìn)攻前的向心加速度大于攻擊時(shí)的向心加速度，故B錯(cuò)誤；

C．攻擊衛(wèi)星在攻擊過(guò)程中，做加速運(yùn)動(dòng)，除引力以外的其他力做正功，機(jī)械能增加，故攻擊衛(wèi)星進(jìn)攻前的機(jī)械能小于攻擊時(shí)的機(jī)械能，故C錯(cuò)誤；

D．根據(jù)萬(wàn)有引力提供向心力

得

軌道半徑越小，速度越大，當(dāng)軌道半徑最小等于地球半徑時(shí)，速度最大，等于第一宇宙速度7.9km/s，故攻擊衛(wèi)星進(jìn)攻時(shí)在軌運(yùn)行速率小于7.9km/s，故D錯(cuò)誤。

故選A。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】在磁感應(yīng)強(qiáng)度B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，一個(gè)面積為S的矩形線圈勻速轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的交流電電壓隨時(shí)間變化的波形如圖所示，線圈與一阻值R=9Ω的電阻串聯(lián)在一起，線圈的電阻為1Ω，則（　�。�

A.通過(guò)電阻R的電流瞬時(shí)值表達(dá)式為i=10sin100πt（A）

B.電阻R兩端的電壓有效值為90V

C.1s內(nèi)電阻R上產(chǎn)生的熱量為450J

D.圖中t=1×10-2s時(shí)，線圈磁通量最小

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，左端開(kāi)口右端封閉的U形玻璃管兩邊粗細(xì)不同，粗玻璃管半徑為細(xì)玻璃管半徑的2倍，兩管中裝入高度差為5cm的水銀，左側(cè)封閉氣體長(zhǎng)9cm，右側(cè)水銀面距管口4cm，現(xiàn)將右管口用一與細(xì)管接觸良好的活塞封閉（圖中未畫(huà)出）并使活塞緩慢推入管中，直到兩管水銀面等高。外界大氣壓強(qiáng)為75cmHg、環(huán)境溫度不變，不計(jì)活塞與管內(nèi)壁的摩擦，求：

①等高時(shí)右側(cè)氣體的壓強(qiáng)；

②活塞移動(dòng)的距離。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示直角坐標(biāo)xOy平面，在0≤x≤a區(qū)域Ⅰ內(nèi)有沿x軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E；在x>a的區(qū)域Ⅱ中有垂直于xOy平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)(圖中未畫(huà)出)，一質(zhì)量為m、電荷量為q的正粒子，從坐標(biāo)原點(diǎn)由靜止開(kāi)始自由釋放，不計(jì)粒子重力，能過(guò)坐標(biāo)為(a，b)的P點(diǎn)，則下列說(shuō)法正確的是( )

A.磁場(chǎng)方向垂直于xOy平面向里

B.粒子通過(guò)P點(diǎn)時(shí)動(dòng)能為qEa

C.磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小可能為

D.磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小可能為6

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】小明設(shè)計(jì)的電磁健身器的簡(jiǎn)化裝置如圖所示，兩根平行金屬導(dǎo)軌相距l＝0.50 m，傾角θ＝53°，導(dǎo)軌上端串接一個(gè)R＝0.05 Ω的電阻．在導(dǎo)軌間長(zhǎng)d＝0.56 m的區(qū)域內(nèi)，存在方向垂直導(dǎo)軌平面向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B＝2.0 T．質(zhì)量m＝4.0 kg的金屬棒CD水平置于導(dǎo)軌上，用絕緣繩索通過(guò)定滑輪與拉桿GH相連．CD棒的初始位置與磁場(chǎng)區(qū)域的下邊界相距s＝0.24 m．一位健身者用恒力F＝80 N拉動(dòng)GH桿，CD棒由靜止開(kāi)始運(yùn)動(dòng)，上升過(guò)程中CD棒始終保持與導(dǎo)軌垂直．當(dāng)CD棒到達(dá)磁場(chǎng)上邊界時(shí)健身者松手，觸發(fā)恢復(fù)裝置使CD棒回到初始位置(重力加速度g＝10 m/s2，sin 53°＝0.8，不計(jì)其他電阻、摩擦力以及拉桿和繩索的質(zhì)量)．求：

(1)CD棒進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度v的大小；

(2)CD棒進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)所受的安培力FA的大��；

(3)在拉升CD棒的過(guò)程中，健身者所做的功W和電阻產(chǎn)生的焦耳熱Q.

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】一簡(jiǎn)諧機(jī)械橫波沿x軸負(fù)方向傳播，已知波的波長(zhǎng)為8 m，周期為2 s，t＝0 s時(shí)刻波形如圖甲所示，a、b、d是波上的三個(gè)質(zhì)點(diǎn)。圖乙是波上某一點(diǎn)的振動(dòng)圖象，則下列說(shuō)法正確的是

A.圖乙可以表示質(zhì)點(diǎn)b的振動(dòng)

B.在0~0.25s和0.25~0.5s兩段時(shí)間內(nèi)，質(zhì)點(diǎn)b運(yùn)動(dòng)位移相同

C.該波傳播速度為v＝16m/s

D.質(zhì)點(diǎn)a在t=1s時(shí)位于波谷

E.質(zhì)點(diǎn)d 簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng)的表達(dá)式為y=0.1sinπt（m）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，兩端開(kāi)口的氣缸水平固定，A、B是兩個(gè)厚度不計(jì)的活塞，可在氣缸內(nèi)無(wú)摩擦滑動(dòng)，面積分別為S1=20cm2，S2=10cm2，它們之間用一根細(xì)桿連接，B通過(guò)水平細(xì)繩繞過(guò)光滑的定滑輪與質(zhì)量為M=2kg的重物C連接，靜止時(shí)氣缸中的氣體溫度T1=600K，氣缸兩部分的氣柱長(zhǎng)均為L，已知大氣壓強(qiáng)P0=1×105Pa，取g=10m/s2，缸內(nèi)氣體可看作理想氣體；

（1）活塞靜止時(shí)，求氣缸內(nèi)氣體的壓強(qiáng)；

（2）若降低氣內(nèi)氣體的溫度，當(dāng)活塞A緩慢向右移動(dòng)L時(shí)，求氣缸內(nèi)氣體的溫度．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖，從離子源產(chǎn)生的甲、乙兩種離子，由靜止經(jīng)加速電壓U加速后在紙面內(nèi)水平向右運(yùn)動(dòng)，自M點(diǎn)垂直于磁場(chǎng)邊界射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向垂直于紙面向里，磁場(chǎng)左邊界豎直．已知甲種離子射入磁場(chǎng)的速度大小為v1，并在磁場(chǎng)邊界的N點(diǎn)射出；乙種離子在MN的中點(diǎn)射出；MN長(zhǎng)為l．不計(jì)重力影響和離子間的相互作用．求：

（1）磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大��；

（2）甲、乙兩種離子的比荷之比．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，“”型框置于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，方向垂直紙面向外，“”型框的三條邊的長(zhǎng)度均為L，電阻均為r，a、b兩端連接阻值為R=r的電阻。“”型框繞軸ab以角速度ω逆時(shí)針（從上往下看）勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，t=0時(shí)刻經(jīng)過(guò)圖示位置。規(guī)定回路中a→d→c→b方向?yàn)殡娏鞯恼较�，求�?/span>

（1）通過(guò)電阻R的感應(yīng)電流的表達(dá)式；

（2）當(dāng)時(shí)，通過(guò)電阻R的感應(yīng)電流的大小和方向；

（3）t=0到t=過(guò)程中R產(chǎn)生的電熱。

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