如圖所示,水平的平行虛線間距為d=50cm,其間有B=1.0T的勻強(qiáng)磁場.一個(gè)正方形線圈abcd邊長為L=10cm,線圈質(zhì)量m=100g,電阻為R=0.02Ω.開始時(shí),線圈的下邊緣到磁場上邊緣的距離為h=80cm.將線圈由靜止釋放,其下邊緣剛進(jìn)入磁場和剛穿出磁場時(shí)的速度相等.取g=10m/s2,求:(1)線圈cd邊穿過磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q
(2)線圈ab邊穿越磁場過程中加速度的最小值a.
分析:(1)由題:根據(jù)自由落體運(yùn)動(dòng)下落高度求出線圈進(jìn)入磁場時(shí)的速度v0.線圈下邊緣剛進(jìn)入磁場和剛穿出磁場時(shí)的速度相等,說明線圈進(jìn)入磁場和穿出磁場運(yùn)動(dòng)情況完全相同.線圈完全進(jìn)入磁場后,磁通量不變,沒有感應(yīng)電流產(chǎn)生,線圈做勻加速運(yùn)動(dòng),加速度為g,位移d-L,由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式求出線圈上邊剛進(jìn)磁場時(shí)的速度.根據(jù)能量守恒定律求出線圈cd邊穿過磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q.
(2)由題分析可知線圈進(jìn)入磁場做減速運(yùn)動(dòng),安培力減小,當(dāng)cd邊剛進(jìn)磁場時(shí)安培力最小,加速度最小,求出安培力,根據(jù)牛頓第二定律求出最小的加速度.
解答:解:(1)線圈從1到2位置自由落體運(yùn)動(dòng),有   v02=2gh
         3位置時(shí)線圈速度一定最小,而3到4位置線圈是勻變速運(yùn)動(dòng),有
            v02-v2=2g(d-L)                                                       
           得v=2
2
m/s                                     
    由于線圈完全處于磁場中時(shí)不產(chǎn)生感應(yīng)電流,不產(chǎn)生電熱,所以線圈進(jìn)入磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q1就是線圈從圖中2位置到4位置產(chǎn)生的電熱,而2、4位置動(dòng)能相同,由能量守恒Q1=mgl=0.5J
      (2)2到3位置是減速過程,因此安培力減小,3位置加速度最小
          安培力F=
B2l2v
R
                                    
       由F-mg=ma                                               
     可知加速度減小,到3位置時(shí)加速度最小,
   代入解得a=4.1m/s2
答:(1)線圈cd邊穿過磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q=0.5J.
     (2)線圈ab邊穿越磁場過程中加速度的最小值a=4.1m/s2
點(diǎn)評(píng):本題考查分析運(yùn)動(dòng)過程和選擇解題規(guī)律的能力.本題如求線圈ab邊穿過磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q=2Q1=1J,因?yàn)榫框穿入與穿出磁場產(chǎn)生熱量相等.
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2008?陽江一模)如圖所示,水平的平行虛線間距為d=50cm,其間有B=1.0T的勻強(qiáng)磁場.一個(gè)正方形線圈邊長為l=10cm,線圈質(zhì)量m=100g,電阻為R=0.20Ω.開始時(shí),線圈的下邊緣到磁場上邊緣的距離為h=80cm.將線圈由靜止釋放,其下邊緣剛進(jìn)入磁場和剛穿出磁場時(shí)的速度相等.取g=10m/s2,
求:(1)線圈下邊緣剛進(jìn)入磁場時(shí),線圈產(chǎn)生電流的大小和方向;
(2)線圈進(jìn)入磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,水平的平行虛線間距為d,其間有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場.一個(gè)長方形線圈的邊長分別為L1、L2,且L2<d,線圈質(zhì)量m,電阻為R.現(xiàn)將線圈由靜止釋放,測得當(dāng)線圈的下邊緣到磁場上邊緣的距離為h時(shí),其下邊緣剛進(jìn)入磁場和下邊緣剛穿出磁場時(shí)的速度恰好相等.求:
(1)線圈剛進(jìn)入磁場時(shí)的感應(yīng)電流的大。
(2)線圈從下邊緣剛進(jìn)磁場到下邊緣剛出磁場(圖中兩虛線框所示位置)的過程做何種運(yùn)動(dòng),求出該過程最小速度v;
(3)線圈進(jìn)出磁場的全過程中產(chǎn)生的總焦耳熱Q

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,水平的平行虛線間距為d,其間有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向垂直紙面向里.一個(gè)正方形線框的邊長為L,且L<d,線框質(zhì)量m,電阻為R.現(xiàn)將線框由靜止釋放,若線框的下邊緣進(jìn)入磁場后線框剛好作勻速運(yùn)動(dòng).
(1)線框剛進(jìn)入磁場時(shí)的感應(yīng)電流的大小及方向;
(2)線框剛開始下落時(shí)下邊緣到磁場上邊緣豹距離.
(3)若線框上邊緣剛穿出磁場時(shí)的速度與線框進(jìn)入磁場的速度恰好相等,求線框進(jìn)出磁場的全過程中產(chǎn)生的總焦耳熱.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,水平的平行虛線間距為d,其間有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場.一個(gè)正方形線框邊長為l(d>l),質(zhì)量為m,電阻為R.開始時(shí),線框的下邊緣到磁場上邊緣的距離為h.將線框由靜止釋放,其下邊緣剛進(jìn)入磁場時(shí),線框的加速度恰為零.則線框進(jìn)入磁場的過程和從磁場下邊穿出磁場的過程相比較,有( 。
A、產(chǎn)生的感應(yīng)電流的方向相同B、所受的安培力的方向相反C、進(jìn)入磁場的過程中產(chǎn)生的熱量小于穿出磁場的過程中產(chǎn)生的熱量D、進(jìn)入磁場過程所用的時(shí)間大于穿出磁場過程中所用的時(shí)間

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