(1)線框abcd在進入磁場的過程中,通過導(dǎo)線的某一橫截面的電荷量是多少?
(2)線框是從cd邊距邊界PP′多高處開始下落的?
(3)線框的cd邊到達地面時線框的速度大小是多少?
(1)q=
(2)h=-l2
(3)v2=
解析:(1)設(shè)線框abcd進入磁場的過程所用時間為t,通過線框的平均電流為I,平均感應(yīng)電動勢為,則=
=
ΔΦ=Bl1l2可得
=·=
通過導(dǎo)線的某一橫截面的電荷量
q=·t=.
(2)設(shè)線框從cd邊距邊界PP′上方h高處開始下落,cd邊進入磁場后,切割磁感線,產(chǎn)生感應(yīng)電流,受到安培力.線框在重力和安培力作用下做加速度逐漸減小的加速運動,直到安培力等于重力后勻速下落,速度設(shè)為v,勻速過程一直持續(xù)到ab邊進入磁場時結(jié)束,有
ε=Bl1v
I=
F安=BIl1,F安=mg
可得=mg
速度v=
線框的ab邊進入磁場后,線框中沒有感應(yīng)電流,只有在線框進入磁場的過程中有焦耳熱Q.
線框從開始下落到ab邊剛進入磁場的過程中,線框的重力勢能轉(zhuǎn)化為線框的動能和電路中的焦耳熱
mg(h+l2)=mv2+Q
得h=-l2.
(3)線框的ab邊進入磁場后,在只有重力的作用下加速下落,有
mv22-mv2=mg(H-l2)
cd邊到達地面時線框的速度v2=.
科目:高中物理 來源: 題型:
如下圖所示,水平地面上方的H高區(qū)域內(nèi)有勻強磁場,水平界面PP′是磁場的上邊界,磁感應(yīng)強度為B,方向是水平的,垂直于紙面向里.在磁場的正上方,有一個位于豎直平面內(nèi)的閉合的矩形平面導(dǎo)線框abcd,ab長為l1,bc長為l2,H>l2,線框的質(zhì)量為m、電阻為R.現(xiàn)使線框abcd從高處自由落下,ab邊下落的過程中始終保持水平,已知線框進入磁場的過程中的運動情況是:cd邊進入磁場以后,線框先做加速運動,然后做勻速運動,直到ab邊到達邊界PP′為止.從線框開始下落到cd邊剛好到達水平地面的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱為Q.求:
(1)線框abcd在進入磁場的過程中,通過導(dǎo)線的某一橫截面的電荷量是多少?
(2)線框是從cd邊距邊界PP′多高處開始下落的?
(3)線框的cd邊到達地面時線框的速度大小是多少?
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科目:高中物理 來源: 題型:
如下圖所示,水平地面上方的H高區(qū)域內(nèi)有勻強磁場,水平界面PP′是磁場的上邊界,磁感應(yīng)強度為B,方向是水平的,垂直于紙面向里.在磁場的正上方,有一個位于豎直平面內(nèi)的閉合的矩形平面導(dǎo)線框abcd,ab長為l1,bc長為l2,H>l2,線框的質(zhì)量為m、電阻為R.現(xiàn)使線框abcd從高處自由落下,ab邊下落的過程中始終保持水平,已知線框進入磁場的過程中的運動情況是:cd邊進入磁場以后,線框先做加速運動,然后做勻速運動,直到ab邊到達邊界PP′為止.從線框開始下落到cd邊剛好到達水平地面的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱為Q.求:
(1)線框abcd在進入磁場的過程中,通過導(dǎo)線的某一橫截面的電荷量是多少?
(2)線框是從cd邊距邊界PP′多高處開始下落的?
(3)線框的cd邊到達地面時線框的速度大小是多少?
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科目:高中物理 來源: 題型:
如下圖所示,水平地面上放有質(zhì)量均為m=1kg的物塊A和B,兩者之間的距離為l=0.75m。A、B與地面間的動摩擦因數(shù)分別為μ1=0.4、μ2=0.1。現(xiàn)使A獲得初速度v0向B運動,同時對B施加一個方向水平向右的力F=3N,使B由靜止開始運動。經(jīng)過一段時間,A恰好追上B。g取10m/s2。求:
1.B運動的加速度大小aB;
2.A的初速度的大小v0。
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科目:高中物理 來源:人教版高三物理二輪復(fù)習(xí)專題訓(xùn)練3 題型:計算題
如下圖所示,水平地面上放有質(zhì)量均為m=1kg的物塊A和B,兩者之間的距離為l=0.75m。A、B與地面間的動摩擦因數(shù)分別為μ1=0.4、μ2=0.1,F(xiàn)使A獲得初速度v0向B運動,同時對B施加一個方向水平向右的力F=3N,使B由靜止開始運動。經(jīng)過一段時間,A恰好追上B。g取10m/s2。求:
【小題1】B運動的加速度大小aB;
【小題2】A的初速度的大小v0。
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