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2 |
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50 |
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5d |
4 |
2 |
5d |
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場、偏轉磁場及熒光屏組成。在加速電場右側有相距為d、長為l的兩平板,兩平板構成的矩形區(qū)域內存在方向垂直紙面向外的勻強磁場,磁場的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線上。從電子槍發(fā)射質量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場后從小孔S2射出,經(jīng)磁場偏轉后,最后打到熒光屏上。若,不計電子在進入加速電場前的速度。
(1)求電子進入磁場時的速度大;
(2)求電子到達熒光屏的位置與O點距離的最大值和磁感應強度B的大;
(3)若撤去磁場,在原磁場區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構成的偏轉電極,加速電極右側與偏轉電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場偏轉后到達熒光屏上的位置與經(jīng)磁場偏轉的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長的前提下,求所加偏轉電壓的最小值。
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科目:高中物理 來源:2012屆山東省菏澤學院附中高三5月高考沖刺理綜物理卷(帶解析) 題型:計算題
(19分)如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場、偏轉磁場及熒光屏組成。在加速電場右側有相距為d、長為l的兩平板,兩平板構成的矩形區(qū)域內存在方向垂直紙面向外的勻強磁場,磁場的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線上。從電子槍發(fā)射質量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場后從小孔S2射出,經(jīng)磁場偏轉后,最后打到熒光屏上。若,不計電子在進入加速電場前的速度。
(1)求電子進入磁場時的速度大。
(2)求電子到達熒光屏的位置與O點距離的最大值和磁感應強度B的大;
(3)若撤去磁場,在原磁場區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構成的偏轉電極,加速電極右側與偏轉電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場偏轉后到達熒光屏上的位置與經(jīng)磁場偏轉的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長的前提下,求所加偏轉電壓的最小值。
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年浙江省高考模擬考試理綜物理卷(解析版) 題型:計算題
(22分)如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場、偏轉磁場及熒光屏組成。在加速電場右側有相距為d、長為l的兩平板,兩平板構成的矩形區(qū)域內存在方向垂直紙面向外的勻強磁場,磁場的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線上。從電子槍發(fā)射質量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場后從小孔S2射出,經(jīng)磁場偏轉后,最后打到熒光屏上。若,不計電子在進入加速電場前的速度。
(1) 求電子進入磁場時的速度大小;
(2) 調整勻強磁場的強弱重復實驗,電子可打在熒光屏上的不同位置。求電子到達熒光屏的位置與O點距離的最大值和此時磁感應強度B的大。
(3) 若撤去磁場,在原磁場區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構成的偏轉電極,加速電極右側與偏轉電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場偏轉后到達熒光屏上的位置與經(jīng)磁場偏轉的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長的前提下,求所加偏轉電壓的最小值。
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科目:高中物理 來源:2011-2012學年山東省高三5月高考沖刺理綜物理卷(解析版) 題型:計算題
(19分)如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場、偏轉磁場及熒光屏組成。在加速電場右側有相距為d、長為l的兩平板,兩平板構成的矩形區(qū)域內存在方向垂直紙面向外的勻強磁場,磁場的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線上。從電子槍發(fā)射質量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場后從小孔S2射出,經(jīng)磁場偏轉后,最后打到熒光屏上。若,不計電子在進入加速電場前的速度。
(1)求電子進入磁場時的速度大小;
(2)求電子到達熒光屏的位置與O點距離的最大值和磁感應強度B的大。
(3)若撤去磁場,在原磁場區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構成的偏轉電極,加速電極右側與偏轉電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場偏轉后到達熒光屏上的位置與經(jīng)磁場偏轉的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長的前提下,求所加偏轉電壓的最小值。
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