A. | d點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為9Q+q9R2,方向向右 | |
B. | d點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為9Q−q9R2,方向向左 | |
C. | 圓盤在d點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為kQR2,方向向右 | |
D. | 圓盤在d點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為kqR2,方向向右 |
分析 由題意可知,半徑為R均勻分布著電荷量為Q的圓盤上電荷,與在a點(diǎn)處有一電荷量為q(q>0)的固定點(diǎn)電荷,在b點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)為零,說明各自電場(chǎng)強(qiáng)度大小相等,方向相反.那么在d點(diǎn)處場(chǎng)強(qiáng)的大小即為兩者之和.因此根據(jù)點(diǎn)電荷的電場(chǎng)強(qiáng)度計(jì)算公式即可求解.
解答 解:電荷量為q的點(diǎn)電荷在b處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度為E=kqR2,方向向右;
而半徑為R均勻分布著電荷量為Q的圓盤上電荷,與在a點(diǎn)處有一電荷量為q(q>0)的固定點(diǎn)電荷,在b點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)為零,
則圓盤在此處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度也為E=kqR2,方向向左;
那么圓盤在此d產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度則仍為E=kqR2,方向向右;
而電荷量為q的點(diǎn)電荷在d處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度為E′=kq(3R)2,
由于都在d處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度方向相同,即為兩者大小相加.所以兩者這d處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度為10kq9R2,故ABC錯(cuò)誤,D正確;
故選:D.
點(diǎn)評(píng) 考查點(diǎn)電荷與圓盤電荷在某處的電場(chǎng)強(qiáng)度疊加,緊扣電場(chǎng)強(qiáng)度的大小與方向關(guān)系,從而為解題奠定基礎(chǔ).
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 兩顆衛(wèi)星的運(yùn)行速度可能大于7.9km/s | |
B. | 兩顆衛(wèi)星內(nèi)的設(shè)備不受地球引力的作用 | |
C. | 衛(wèi)星G7可以定點(diǎn)在北京正上方 | |
D. | 衛(wèi)星“墨子”的向心加速度比衛(wèi)星G7大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在d點(diǎn)和g點(diǎn)所受電場(chǎng)力大小相等、方向相同 | |
B. | 在h點(diǎn)和c點(diǎn)所受電場(chǎng)力大小相等、方向相同 | |
C. | 在d點(diǎn)和g點(diǎn)電勢(shì)能相等 | |
D. | 在h點(diǎn)和c點(diǎn)電勢(shì)能相等 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | γ射線是高速運(yùn)動(dòng)的電子流 | |
B. | 31H+21H→42He+10n是衰變 | |
C. | 太陽輻射的能量主要來源是太陽中發(fā)生的重核裂變 | |
D. | 21083Bi的半衰期是5天,100g21083Bi經(jīng)過10天后還剩下25g |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | P1>P2 | B. | P1<P2 | C. | P′1>P′2 | D. | P′1<P′2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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