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15．安培的分子環(huán)形電流假說不可以用來解釋（　　）
A．磁體在高溫時(shí)失去磁性B．通電導(dǎo)線周圍存在磁場
C．磁鐵經(jīng)過敲擊后磁性會(huì)減弱D．鐵磁類物質(zhì)放入磁場后具有磁性

分析 安培的分子環(huán)形電流假說是說核外電子繞原子核作圓周運(yùn)動(dòng)故可以解釋磁化、退磁現(xiàn)象，通電導(dǎo)線的磁場是由自由電荷的定向運(yùn)動(dòng)形成的，即產(chǎn)生磁場的不是分子電流，故不能解釋電流為什么能產(chǎn)生磁場．

解答 解：安培的分子環(huán)形電流假說是說核外電子繞原子核作圓周運(yùn)動(dòng)，故安培的分子環(huán)形電流假說可以解釋磁化、退磁現(xiàn)象．
A、磁鐵內(nèi)部的分子電流的排布是大致相同的，故每個(gè)分子電流產(chǎn)生磁場相互加強(qiáng)，但在高溫時(shí)，分子電流的排布重新變的雜亂無章，每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場相互抵消，故對(duì)外不顯磁性，故安培的分子電流假說可以用來解釋磁體在高溫時(shí)失去磁性，故不能選A．
B、通電導(dǎo)線的磁場是由自由電荷的定向運(yùn)動(dòng)形成的，即產(chǎn)生磁場的不是分子電流，故安培的分子環(huán)形電流假說不可以用來解釋通電導(dǎo)線周圍存在磁場．故B符合題意．
C、磁鐵內(nèi)部的分子電流的排布是大致相同的，故每個(gè)分子電流產(chǎn)生磁場相互加強(qiáng)，但在經(jīng)過敲擊后時(shí)，分子電流的排布重新變的雜亂無章，每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場相互抵消，故對(duì)外不顯磁性，故安培的分子電流假說可以用來解釋磁體在經(jīng)過敲擊后時(shí)磁性減弱，故不能選C．
D、鐵磁類物質(zhì)放入磁場后磁鐵內(nèi)部的分子電流的排布是大致相同的，故每個(gè)分子電流產(chǎn)生磁場相互加強(qiáng)，對(duì)外顯現(xiàn)磁性，故安培的分子電流假說可以用來解釋鐵磁類物質(zhì)放入磁場后具有磁性，故不能選D．
本題選擇分子環(huán)形電流假說不可以用來解釋的，故選：B．

點(diǎn)評(píng) 掌握了安培的分子電流假說的內(nèi)容即可順利解決此類題目，所以要加強(qiáng)對(duì)基本概念的學(xué)習(xí)．

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