A. | q1粒子的初速度v越大,射到MP邊界上所用時(shí)間越短 | |
B. | q2粒子的初速度v越大,射到MP邊界上所用時(shí)間越長 | |
C. | 隨著初速度v的增大,q1、q2兩粒子均能打在P點(diǎn) | |
D. | q1、q2粒子初速度v增大,射到MP邊界上的速度方向與MP的夾角均不變 |
分析 粒子${q}_{1}^{\;}$在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),根據(jù)圓周運(yùn)動(dòng)的規(guī)律和半徑公式,結(jié)合幾何關(guān)系進(jìn)行分析;粒子${q}_{2}^{\;}$在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),根據(jù)類平拋運(yùn)動(dòng)的規(guī)律分析;
解答 解:粒子${q}_{1}^{\;}$在磁場中運(yùn)動(dòng)的軌跡如圖所示:
A、${q}_{1}^{\;}$粒子的初速度v越大,射到MP邊界上圓弧所對的圓心角為120°,所用時(shí)間$t=\frac{120°}{360°}T$=$\frac{1}{3}T$,所以射到MP邊界上所用時(shí)間相同,故A錯(cuò)誤;
粒子${q}_{2}^{\;}$在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),軌跡如圖所示:
B、粒子${q}_{2}^{\;}$在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),垂直電場線做勻速直線運(yùn)動(dòng),沿電場線做勻加速直線運(yùn)動(dòng)
$tan60°=\frac{\frac{1}{2}a{t}_{\;}^{2}}{{v}_{0}^{\;}t}$,解得$t=\frac{2\sqrt{3}{v}_{0}^{\;}}{a}$,可知初速度越大,射到MP邊界上所用的時(shí)間越長,故B正確;
C、根據(jù)粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡可知,當(dāng)速度較大時(shí)${q}_{1}^{\;}$粒子會(huì)撞到NP上,打不到P點(diǎn);粒子${q}_{2}^{\;}$能到達(dá)P點(diǎn),故C錯(cuò)誤;
D、${q}_{1}^{\;}$粒子射到MP邊界的速度方向與MP成60°,粒子${q}_{2}^{\;}$射到MP上的速度方向?yàn)棣,且有tanα=2tan60°,知粒子${q}_{2}^{\;}$射到MP邊界的速度方向與MP的夾角不變,故D正確;
故選:BD
點(diǎn)評(píng) 本題考查帶電粒子在磁場中的圓周運(yùn)動(dòng)和帶電粒子在電場中的運(yùn)動(dòng),關(guān)鍵是畫出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡示意圖,分別運(yùn)用圓周運(yùn)動(dòng)的規(guī)律和類平拋運(yùn)動(dòng)的規(guī)律求解即可.
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 兩磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B1:B2=111:141 | |
B. | 兩磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度:B1:B2=111:2 | |
C. | 氦原子核和Rg原子核各自旋轉(zhuǎn)第一個(gè)半圓的時(shí)間比為2:141 | |
D. | 氦原子核和Rg原子核各自旋轉(zhuǎn)第一個(gè)半圓的時(shí)間比為111:141 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 推力F變大 | B. | 斜面對B的彈力不變 | ||
C. | 墻面對A的彈力變小 | D. | 兩球之間的距離變大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 5.5m/s | B. | 5m/s | C. | 4m/s | D. | 3.5m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 與AB段的動(dòng)摩擦因數(shù)比與BC段的動(dòng)摩擦因數(shù)大 | |
B. | 兩次滑到B點(diǎn)的速率相同 | |
C. | 兩次從頂端滑到底端所用的時(shí)間相同 | |
D. | 兩次從頂端滑到底端的過程中摩擦力做功相同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 木塊受到的摩擦力大小是mg sin a | |
B. | 木塊對斜面體的壓力大小是mg cosa | |
C. | 桌面對斜面體的摩擦力大小是mg sin acosa | |
D. | 桌面對斜面體的支持力大小是(M+m)g |
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