如圖所示,一電子沿等量異種電荷的中垂線由A—O—B勻速飛過,電子重力不計(jì),則電子所受另一個(gè)力的大小和方向變化情況是

A.先變大后變小,方向水平向左 

B.先變大后變小,方向水平向右

C.先變小后變大,方向水平向左 

D.先變小后變大,方向水平向右

【解析】由等量異種電荷電場線分布可知,從A到O,電場由疏到密;從O到B,電場線由密到疏,所以從A—O—B,電場強(qiáng)度應(yīng)由小變大,再由大變小,而電場強(qiáng)度方向沿電場切線方向,為水平向右。由于電子處于平衡狀態(tài),所受合外力必為零,故另一個(gè)力應(yīng)與電子所受電場力大小相等方向相反。電子受的電場力與場強(qiáng)方向相反,即水平向左,電子從A—O—B過程中,電場力由小變大,再由大變小,故另一個(gè)力方向應(yīng)水平向右,其大小應(yīng)先變大后變小,所以選項(xiàng)B正確。

【答案】 B

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?浙江)“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成.偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為RA和RB的同心金屬半球面A和B構(gòu)成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動(dòng)能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間.忽略電場的邊緣效應(yīng).
(1)判斷球面A、B的電勢高低,并說明理由;
(2)求等勢面C所在處電場強(qiáng)度E的大小;
(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φB和φC,則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動(dòng)能改變量△Ek左和△Ek右分別為多少?
(4)比較|△Ek左|和|△Ek右|的大小,并說明理由.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

 “電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成。偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為RARB的同心金屬半球面AB構(gòu)成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示。一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動(dòng)能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間。忽略電場的邊緣效應(yīng)。

(1)判斷半球面A、B的電勢高低,并說明理由;

(2)求等勢面C所在處電場強(qiáng)度E的大;

(3)若半球面AB和等勢面C的電勢分別為φA、φBφC,則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動(dòng)能改變量ΔEK和ΔEK分別為多少?

(4)比較|ΔEK|和|ΔEK|的大小,并說明理由。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2013年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測試物理(浙江卷帶解析) 題型:計(jì)算題

“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成。偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為RARB的同心圓金屬半球面AB構(gòu)成,AB為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示。一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動(dòng)能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間。忽略電場的邊緣效應(yīng)。

(1)判斷球面A、B的電勢高低,并說明理由;
(2)求等勢面C所在處電場強(qiáng)度E的大。
(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φAφBφC,則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動(dòng)能改變量ΔEK和ΔEK分別為多少?
(4)比較|ΔEK|和|ΔEK|的大小,并說明理由。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年高考物理大二輪復(fù)習(xí)與測試強(qiáng)化練:功能關(guān)系在電學(xué)中的應(yīng)用(解析版) 題型:計(jì)算題

電子能量分析器主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成.偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為RARB的同心金屬半球面AB構(gòu)成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M板正中間小孔垂直入射,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動(dòng)能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間.忽略電場的邊緣效應(yīng).

(1)判斷半球面A、B的電勢高低,并說明理由;

(2)求等勢面C所在處電場強(qiáng)度E的大小;

(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φBφC,則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動(dòng)能改變量ΔEkΔEk分別為多少?

(4)比較|ΔEk||ΔEk|的大小,并說明理由.

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2013年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測試物理(浙江卷解析版) 題型:計(jì)算題

“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成。偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為RARB的同心圓金屬半球面AB構(gòu)成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示。一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動(dòng)能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間。忽略電場的邊緣效應(yīng)。

(1)判斷球面A、B的電勢高低,并說明理由;

(2)求等勢面C所在處電場強(qiáng)度E的大;

(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φBφC,則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動(dòng)能改變量ΔEK和ΔEK分別為多少?

(4)比較|ΔEK|和|ΔEK|的大小,并說明理由。

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案