如圖所示,光滑平行金屬導軌固定在絕緣水平面上,軌道間距為0. 2 m,金屬桿ab的質(zhì)量為0. 1 kg,電容器電容為0.5 F,耐壓足夠大,因為理想電流表,導軌與桿接觸良好,各自的電阻忽略不計。整個裝置處于磁感應強度大小為0.5 T,方向垂直導軌平面向下的勻強磁場中,F(xiàn)用水平外力Fab向右運動,使電流表示數(shù)恒為0. 5 A。

(1)求t=2s時電容器的帶電量。
(2)說明金屬桿做什么運動。
(3)求t=2s時外力做功的功率。
(1)="1" C
(2)電流恒定,a恒定,即金屬桿做勻加速直線運動
(3)21 W。
(1)C="1" C
(2)設桿某時刻的速度為v,此時電容器的電壓
電容器的電量

電流恒定,a恒定,即金屬桿做勻加速直線運動
(3)
由牛頓第二定律得
=1.05 N

由公式W ="21" W。
練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

平行軌道PQ、MN兩端各接一個阻值R1=R2=8Ω的電阻,軌道間距L="1" m,軌道很長,本身電阻不計.軌道間磁場按如圖所示的規(guī)律分布,其中每段垂直紙面向里和向外的磁場區(qū)域?qū)挾染鶠? cm,磁感應強度的大小均為B="1" T,每段無磁場的區(qū)域?qū)挾染鶠? cm,導體棒ab本身電阻r=1Ω,與軌道接觸良好.現(xiàn)使ab以v="10" m/s向右勻速運動.求:
(1)當導體棒ab從左端進入磁場區(qū)域時開始計時,設電流方向從a流向b為正方向,請畫出流過導體棒ab的電流隨時間變化關系的i-t圖象.
(2)整個過程中流過導體棒ab的電流為交變電流,求出流過導體棒ab的電流有效值.

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,平行導軌水平放置,勻強磁場的方向垂直于導軌平面,兩金屬棒、和軌道組成閉合電路,用水平恒力F向右拉,使、分別以的速度向右勻速運動,若棒與軌道間的滑動摩擦力為,則回路中感應電流的功率為(    )              
A.B.C.
D.

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一邊長為L的正方形單匝線圈沿光滑水平面運動以速度開始進入一有界勻強磁場區(qū)域,最終以速度滑出磁場。設線圈在磁場中的速度方向始終與磁場邊界垂直,磁場的寬度大于L。剛進入磁場的瞬時,線圈中的感應電流為。求線圈剛剛滑出磁場時的電流和線圈進入過程中通過線圈某一截面的電量q

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示電路中,S是閉合的,此時流過線圈L的電流為,流過燈泡A的電流為,且,在時刻將S斷開,那么流過燈泡的電流隨時間變化的圖象是圖中的哪一個( )

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

兩根光滑的金屬導軌,平行放置在傾角為的斜面上,導軌的左端接有電阻R,導軌的電阻可忽略不計,斜面處在一勻強磁場中,磁場的方向垂直斜面向上。質(zhì)量為,電阻可不計的金屬棒ab,在沿著斜面與棒垂直的恒力F作用下沿導軌勻速上滑,并上升h高度,如圖所示,在這個過程中(    )
A.作用在金屬棒上的各個力的合力所做的功等于零
B.作用在金屬棒上的各個力的合力所做的功等于mgh與電阻R上發(fā)出的焦耳熱之和
C.恒力F與安培力的合力所做的功等于零
D.恒力F與重力的合力所做的功等于電阻上發(fā)出的焦耳熱

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,一個閉合矩形金屬線圈abcd從一定高度釋放,且在下落過程中線圈平面始終在豎直平面上。在它進入一個有直線邊界的足夠大的勻強磁場的過程中,取線圈dc邊剛進磁場時t=0,則描述其運動情況的圖線可能是圖乙中的()

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:實驗題

如圖,虛線框abcd內(nèi)為一矩形勻強磁場區(qū)域,ab=2bc,a′b′c′d′是一正方形導線框,a′b′與ab平行.若將導線框勻速地拉離磁場區(qū)域,以W1表示沿平行于ab方向拉出過程中外力所做的功,W2表示以同樣速率沿平行于bc的方向拉出過程中所做的功,則W1=___________W2.

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

霍爾效應廣泛應用于半導體材料的測試和研究中,例如應用霍爾效應測試半導體是電子型還是空穴型,研究半導體內(nèi)載流子濃度的變化等.在霍爾效應實驗中,如圖所示,ab寬為1cm,ad長為4cm,ae厚為1.0×10-3cm的導體,沿ad方向通有3A的電流,當磁感應強度B=1.5T的勻強磁場垂直向里穿過abcd平面時,產(chǎn)生了1.0×10-5V的霍爾電壓,(已知導體內(nèi)定向移動的自由電荷是電子),則下列說法正確的是( 。
A.在導體的前表面聚集自由電子,電子定向移動的速率v=
2
3
×10-3(m/s)
B.在導體的上表面聚集自由電子,電子定向移動的速率v=
2
3
×103(m/s)
C.在其它條件不變的情況下,增大ad的長度,可增大霍爾電壓
D.每立方米的自由電子數(shù)為n=2.8×1029

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