A. | 電容器中的電場隨時間均勻增大 | |
B. | 電路中的電流隨時間均勻增大 | |
C. | 拉力F的功率隨時間均勻增大 | |
D. | 導(dǎo)體棒運動至x=3m處時,所受安培力為0.02N |
分析 根據(jù)導(dǎo)體切割磁感應(yīng)線產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢計算公式分析電動勢的變化,由此分析電容內(nèi)部電場強(qiáng)度的變化;根據(jù)電容器的電容的計算公式分析電荷量、電流強(qiáng)度的變化情況;根據(jù)P=Fv外力的功率的變化;根據(jù)安培力的計算公式求解安培力.
解答 解:A、根據(jù)導(dǎo)體切割磁感應(yīng)線產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢計算公式可得E=BLv,所以△E=△BLv,由于磁場隨位移均勻變化,所以感應(yīng)電動勢隨位移均勻增大,電容器兩端的電壓均勻變化,電場強(qiáng)度也是均勻變化的,A正確;
B、電容器的電容C=$\frac{△Q}{△U}$=$\frac{I•△t}{△BLv}$,解得:I=$\frac{△B}{△t}LCv$,由于導(dǎo)體棒勻速運動,且磁感應(yīng)強(qiáng)度隨位移均勻變化,而x=v•△t,所以電流強(qiáng)度不變,B錯誤;
C、導(dǎo)體棒勻速運動,根據(jù)平衡條件可得F=BIL,而B均勻增大,所以安培力均勻增大,拉力F均勻增大,拉力做功功率等于克服安培力做功功率,即P=Fv可知,外力的功率均勻增大,C正確;
D、導(dǎo)體棒運動至x=3m處時,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B=(0.4+0.2×3)T=1T,電流強(qiáng)度:I=$\frac{△B}{△t}LCv$=$\frac{△B}{△x}LC{v}^{2}$=0.2×1×0.1×4A=0.08A,所以導(dǎo)體棒所受安培力為FA=BIL=1×0.08×1N=0.08N,故D錯誤.
故選:AC.
點評 本題主要是涉及含容電路的分析,解答本題的關(guān)鍵是弄清楚磁場隨位移變化時,感應(yīng)電動勢增大,電容器充電,電路中有電流,不要誤認(rèn)為電流為零.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 谷種飛出洞口時的速度比癟谷飛出洞口時的速度大些 | |
B. | 谷種和癟谷飛出洞口后加速度不相同 | |
C. | 谷種和癟谷從飛出洞口到落地的時間不相同 | |
D. | N處是谷種,M處是癟谷 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在同種均勻介質(zhì)中,a光的傳播速度比b光的大 | |
B. | 從同種介質(zhì)射入真空發(fā)生全反射時a光臨界角大 | |
C. | 照射在同一金屬板上發(fā)生光電效應(yīng)時,a光的飽和電流大 | |
D. | 若a光是氫原子從第6能級躍遷到第2能級發(fā)出的光,則b光可能是氫原子從第3能級躍遷到第2能級發(fā)出的光 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 人勻速走動,則船勻速后退,兩者的速度與它們的質(zhì)量成反比 | |
B. | 人勻加速走動,則船勻加速后退,且兩者的加速度大小一定相等 | |
C. | 不管人如何走動,人和車對地位移大小與質(zhì)量成反比 | |
D. | 人走到船尾不再走動,船由于慣性還會繼續(xù)后退一段距離 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 線框做勻加速直線運動的加速度為2m/s2 | |
B. | 勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為2$\sqrt{2}$T | |
C. | 線框穿過磁場的過程中,通過線框的電荷量為$\frac{\sqrt{2}}{2}$C | |
D. | 線框邊長為1m |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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