如圖所示,A、V均為理想電表,R2、R3為固定電阻,阻值分別為R2=1Ω、R3=2Ω,R1為光敏電阻.通常情況下開(kāi)關(guān)K處于閉合時(shí),兩電表的示數(shù)分別為1.0A、2.4V,當(dāng)用強(qiáng)光照射R1時(shí),A、V示數(shù)分別變化了0.4A和0.6V.則強(qiáng)光照射時(shí)電壓表的示數(shù)為
1.8
1.8
V,電流表示數(shù)為
1.4
1.4
A,該電源電動(dòng)勢(shì)為
3.9
3.9
V.(保留一位小數(shù))
分析:當(dāng)用強(qiáng)光照射R1時(shí),其電阻減小,分析路端電壓和通過(guò)R2的電流如何變化,就能結(jié)合條件求出強(qiáng)光照射時(shí)兩電表的讀數(shù).對(duì)光照前后兩種情況,運(yùn)用閉合電路歐姆定律列方程,即可求得電源的電動(dòng)勢(shì).
解答:解:當(dāng)用強(qiáng)光照射R1時(shí),其電阻減小,外電路總電阻減小,根據(jù)閉合電路歐姆定律可知,干路電流增大,電源的內(nèi)電壓增大,路端電壓減小,則知電壓表的示數(shù)減小,根據(jù)已知條件可知,強(qiáng)光照射時(shí)電壓表的示數(shù)為 U2=U1-△U=2.4V-0.6V=1.8V.根據(jù)串聯(lián)電路的分壓特點(diǎn)得知,R2、R3并聯(lián)的電壓增大,電流表的示數(shù)增大,則
 強(qiáng)光照射時(shí)電流表的示數(shù)為  I2=I1+△I=1.0V+0.4A=1.4A
  根據(jù)閉合電路歐姆定律得:
未用強(qiáng)光照射時(shí),有:E=U1+(
I1R2
R3
+I1)r
用強(qiáng)光照射時(shí),有:E=U2+(
I2R2
R3
+I2)r
代入,得:E=2.4+(
1×1
2
+1)r
         E=1.8+(
1.4×1
2
+1.4)r
解得,E=3.9V
故答案為:l.8、1.4、3.9.
點(diǎn)評(píng):本題是電路動(dòng)態(tài)變化分析與電路計(jì)算的結(jié)合,關(guān)鍵掌握從局部到整體,再到局部的分析思路,判斷兩電表示數(shù)怎樣變化.
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(2010?鹽城一模)如圖所示.一簇質(zhì)量均為m、電量均為q的離子,在P點(diǎn)以同一速率v沿xoy上半平面中的各個(gè)方向射出,在P點(diǎn)左側(cè)靠近P點(diǎn)處有一豎直放置的擋板.現(xiàn)加一垂直于xoy平面的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),可將這些離子聚焦到R點(diǎn),P點(diǎn)與R點(diǎn)相距為2a,離子軌跡關(guān)于y軸對(duì)稱(chēng).試求:
(1)離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑
(2)當(dāng)
mvBq
=a時(shí),與x軸成30°角射出的離子從P點(diǎn)到達(dá)R點(diǎn)的時(shí)間.
(3)試推出在x>0的區(qū)域中磁場(chǎng)的邊界點(diǎn)坐標(biāo)x和y滿(mǎn)足的關(guān)系式.(沒(méi)有問(wèn)題,最多改為“x、y滿(mǎn)足的關(guān)系式”)

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A、線(xiàn)框中產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向不變
B、線(xiàn)框剛進(jìn)入磁場(chǎng)瞬間ab兩點(diǎn)間電勢(shì)差
3BLV
4
C、線(xiàn)框進(jìn)入
L
2
時(shí)所受安培力為
B2L 2V
4R
D、線(xiàn)框進(jìn)入
L
2
過(guò)程中電路中通過(guò)的電量為
BL2
4R

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①子彈離開(kāi)木塊A時(shí)的速度大小及子彈在木塊A中所受的阻力大;

②子彈和木塊B的最終速度大小。

 

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