
(2013?安徽模擬)如圖所示,在平面直角坐標(biāo)系xoy中,有過(guò)x軸正半軸的P點(diǎn)平行y軸的直線邊界CD,第I象限CD邊界左側(cè)有豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng),第IV象限CD邊界右側(cè)有水平向右的勻強(qiáng)電場(chǎng),兩電場(chǎng)電場(chǎng)強(qiáng)度大小相等,第IV象限CD邊界左側(cè)有垂直于坐標(biāo)平面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,一質(zhì)量為m,電荷量為q的帶負(fù)電粒子(不計(jì)重力)從y軸正半軸上距坐標(biāo)原點(diǎn)O距離為L(zhǎng)的M點(diǎn)以速度v
0沿x軸正方向射入電場(chǎng),經(jīng)x軸上的N點(diǎn)與x軸正方向成53°射入磁場(chǎng),最后垂直CD邊界進(jìn)入右側(cè)電場(chǎng).(已知sin53=0.8°,cos53°=0.6)
(1)粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑;
(2)O、P兩點(diǎn)間的距離;
(3)粒子從M出發(fā)到第二次通過(guò)CD邊界所經(jīng)歷的時(shí)間.