（2008?南通三模）2007年法國科學家阿爾貝?費爾和德國科學家彼得?格林貝格爾由于發(fā)現(xiàn)巨磁電阻（GMR）效應而榮獲了諾貝爾物理學獎．如圖是利用GMR設計的磁鐵礦探測儀原理示意圖，圖中GMR在外磁場作用下，電阻會大幅度減�。铝姓f法正確的是（　�。�
分析：GMR在外磁場作用下，電阻會大幅度減小，從而導致非門電路輸入端電勢變化，輸出端也發(fā)生變化，最終使指示燈發(fā)光．
解答：解：圖中GMR在外磁場作用下，電阻會大幅度減小，從而使A端的電勢變高，則Y端的電勢變低，導致指示燈發(fā)光．故可探測此處有磁鐵礦．當將電阻調(diào)大時，若遇到磁場，GMR電阻減小，導致A端的電勢很快達到高勢，使指示燈點亮．從而提高該探測儀的靈敏度．
點評：巧用GMR去感知看不見的磁場，通過宏觀指示燈發(fā)光來體現(xiàn)．可稱為“轉(zhuǎn)換法”
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科目：高中物理 來源： 題型：

（2008?南通三模）關于伽利略對自由落體運動的研究，下列說法中正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2008?南通三模）用油膜法估測分子大小的實驗步驟如下：
①向體積為V1的純油酸中加入酒精，直到油酸酒精溶液總量為V2；
②用注射器吸取上述溶液，一滴一滴地滴入小量筒，當?shù)稳雗滴時體積為V0；
③先往邊長為30～40cm的淺盤里倒入2cm深的水；
④用注射器往水面上滴1滴上述溶液，等油酸薄膜形狀穩(wěn)定后，將事先準備好的玻璃板放在淺盤上，并在玻璃板上描出油酸薄膜的形狀；
⑤將畫有油酸薄膜輪廓形狀的玻璃板，放在畫有許多邊長為a的小正方形的坐標紙上，計算出輪廓范圍內(nèi)正方形的總數(shù)為N．
則上述過程遺漏的步驟是
將痱子粉均勻撒在水面上
將痱子粉均勻撒在水面上
；油酸分子直徑的表達式d=
V0V1
Nna2V2
V0V1
Nna2V2
．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2008?南通三模）一個高能γ光子，經(jīng)過重核附近時與原子核場作用，能產(chǎn)生一對正負電子，請完成相應的反應方程：γ→
 
0
-1
e+
 
0
1
e
 
0
-1
e+
 
0
1
e
．
已知電子質(zhì)量me=9.10×10-31kg，光在真空中的傳播速度為速為c=3.00×108m/s，則γ光子的能量至少為
1.64×10-13
1.64×10-13
J．

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（2008?南通三模）某實驗小組利用如圖甲所示的實驗裝置來驗證鉤碼和滑塊所組成的系統(tǒng)機械能守恒．
（1）實驗前需要調(diào)整氣墊導軌底座使之水平，利用現(xiàn)有器材如何判斷導軌是否水平？
接通氣源，將滑塊靜置于氣墊導軌上，若滑塊基本保持靜止，則說明導軌是水平的（或輕推滑塊，滑塊能基本做勻速直線運動）．
接通氣源，將滑塊靜置于氣墊導軌上，若滑塊基本保持靜止，則說明導軌是水平的（或輕推滑塊，滑塊能基本做勻速直線運動）．
．
（2）如圖乙所示，用游標卡尺測得遮光條的寬度d=
0.52
0.52
cm；實驗時將滑塊從圖示位置由靜止釋放，由數(shù)字計時器讀出遮光條通過光電門的時間△t=1.2×10-2s，則滑塊經(jīng)過光電門時的瞬時速度為
0.43
0.43
m/s．在本次實驗中還需要測量的物理量有：鉤碼的質(zhì)量m、
滑塊上的遮光條初始位置到光電門的距離s
滑塊上的遮光條初始位置到光電門的距離s
和
滑塊的質(zhì)量M
滑塊的質(zhì)量M
（文字說明并用相應的字母表示）．
（3）本實驗通過比較
mgs
mgs
和
1
2
(m+M)(
d
△t
)2
1
2
(m+M)(
d
△t
)2
在實驗誤差允許的范圍內(nèi)相等（用測量的物理量符號表示），從而驗證了系統(tǒng)的機械能守恒．

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（2008?南通三模）在測定一節(jié)干電池的電動勢和內(nèi)阻的實驗中，現(xiàn)有下列器材：待測干電池一節(jié)，電流表G（滿偏電流為2.5mA，內(nèi)阻為199Ω），定值電阻R1=1.0．Ω，定值電阻R2=99.5．Ω，電阻箱R（0～99.9Ω），開關、導線若干．
（1）請在所給方框內(nèi)，畫出實驗電路圖，其中定值電阻應選用
R1
R1
（選填“R1”或“R2”）；
（2）某同學實驗測出了電阻箱的電阻R和電流表G的示數(shù)Ig，記錄數(shù)據(jù)（見下表）．請在下面坐標圖中描點作出
l
lg
-R圖線．
次數(shù)/物理量 1 2 3 4 5 6
R/Ω 1.6 2.1 2.2 3.2 4.2 5.6
It/mA 2.25 2.00 1.67 1.50 1.25 1.00
l
lg
/（mA）-1		 0.44 0.50 0.60 0.67 0.80 1.00
（3）根據(jù)圖線可求得，被測電池的電動勢E=
1.40
1.40
V，內(nèi)阻為r=
0.40
0.40
Ω．

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