A. | A點(diǎn)電勢(shì)低于B點(diǎn)電勢(shì) | |
B. | A點(diǎn)和B點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小相等 | |
C. | O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零,電勢(shì)也為零 | |
D. | 同一試探電荷沿路徑A→C→D移動(dòng)比沿路徑A→B移動(dòng)電場(chǎng)力做的功多 |
分析 等量異種電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中,電場(chǎng)線關(guān)于兩電荷的連線和中垂線對(duì)稱,根據(jù)對(duì)稱性分析場(chǎng)強(qiáng)的大。桓鶕(jù)順著電場(chǎng)線方向電勢(shì)降低,判斷電勢(shì)關(guān)系.根據(jù)電場(chǎng)力對(duì)電荷做功的特點(diǎn)判斷.
解答 解:將該圖與等量異種電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)的電場(chǎng)線相結(jié)合,如圖:
A、根據(jù)電場(chǎng)線分布的對(duì)稱性可知,結(jié)合沿電場(chǎng)線的方向電勢(shì)降低可知,A點(diǎn)的電勢(shì)比B點(diǎn)的電勢(shì)高,故A錯(cuò)誤.
B、根據(jù)電場(chǎng)線分布的對(duì)稱性可知,A點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度與B點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小相等,故B正確.
C、由圖可得O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度不等于0,故C錯(cuò)誤
D、由圖可得,B點(diǎn)的電勢(shì)與D點(diǎn)的電勢(shì)相等,根據(jù)電場(chǎng)力做功的特點(diǎn)可知,同一試探電荷沿路徑A→C→D移動(dòng)與沿路徑A→B移動(dòng)電場(chǎng)力做的功一樣多.故D錯(cuò)誤.
故選:B
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵要熟悉等量異種電荷電場(chǎng)線分布特點(diǎn),利用對(duì)稱性進(jìn)行判斷,利用推論:負(fù)電荷在電勢(shì)高處電勢(shì)能小,是判斷電勢(shì)能變化常用的方法.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
時(shí)刻t(s) | 1.0 | 2.0 | 3.0 | 5.0 | 7.0 | 9.5 | 10.5 |
速度v(m/s) | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 12.0 | 9.0 | 3.0 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電容式觸摸屏感測(cè)手指觸摸點(diǎn)的位置是因?yàn)槭种笇?duì)屏幕按壓產(chǎn)生了形變 | |
B. | 電容式觸摸屏感測(cè)手指觸摸點(diǎn)的位置是利用了電磁感應(yīng)現(xiàn)象 | |
C. | 當(dāng)手指觸摸屏幕時(shí)手指有微弱的電流流過(guò) | |
D. | 當(dāng)手指離開屏幕時(shí),電容變小,對(duì)高頻電流的阻礙變大,控制器不易檢測(cè)到手指的準(zhǔn)確位置 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 角速度之比ωA:ωB=2:1 | B. | 線速度之比VA:VB=2:1 | ||
C. | 向心加速度之比aA:aA=1:2 | D. | 周期之比TA:TB=1:2 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 物體在恒力作用下一定做直線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 物體在變力作用下一定做曲線運(yùn)動(dòng) | |
C. | 物體做曲線運(yùn)動(dòng),沿垂直速度方向的合力一定不為零 | |
D. | 沿垂直速度方向的合力不為零時(shí),物體一定做圓周運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 線圈轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程中消耗的電功率為10π2W | |
B. | 在t=0.2s時(shí),線圈中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為零,且電流改變一次方向 | |
C. | 所產(chǎn)生的交變電流感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的瞬時(shí)表達(dá)式為e=10πsin(5πt)V | |
D. | 線圈從圖示位置轉(zhuǎn)過(guò)90°時(shí)穿過(guò)線圈的磁通量變化最快 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 一個(gè)原子核在一次衰變中可同時(shí)放出α、β和γ三種射線 | |
B. | ${\;}_{83}^{209}$Bi的原子核比${\;}_{93}^{237}$Np的原子核少28個(gè)中子 | |
C. | 在光電效應(yīng)現(xiàn)象中,產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能跟入射光的頻率成正比 | |
D. | α、β和γ三種射線中,γ射線的穿透能力最強(qiáng) |
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