阻值為R的電阻和不計電阻的導線組成如圖所示的滑軌,滑軌與水平面成α角,勻強磁場垂直滑軌所在的面,寬窄滑軌的寬度是二倍關(guān)系,一質(zhì)量為m電阻不計的導體棒ab垂直滑軌放置,彼此接觸良好。不計導體棒與滑軌間的摩擦,導體棒從靠近電阻R處由靜止釋放,在滑至窄滑軌之前已達勻速,其速度為v,窄滑軌足夠長。則下列說法正確的是
A.導體棒進入窄滑軌后,先做加速度逐漸減小的加速運動后作勻速運動
B.導體棒在窄滑軌上勻速運動的速度為2v
C.導體棒在寬窄兩滑軌上勻速運動時導體棒產(chǎn)生的電動勢相同
D.導體棒在窄滑軌上勻速運動時電阻R上產(chǎn)生的熱功率是在寬滑軌上勻速運動時電阻R上產(chǎn)生的熱功率4倍
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【解析】
試題分析:進入窄滑軌后,由于磁通量變化率變小,所以產(chǎn)生的感應電流減小,故安培力減小,但是重力沿滑軌向下的分力不變,所以導體先加速,隨著速度的增大,磁通量變化率變大,所以產(chǎn)生的感應電流變大,則安培力變大,所以加速度逐漸減小,當安培力等于重力時,加速度為零,此后勻速運動,A正確,在寬滑軌上勻速運動時,磁通量變化率為,產(chǎn)生的安培力為,所以在窄軌道上勻速運動時有:,故,B錯誤,在寬軌道上產(chǎn)生的電動勢為,在窄軌道上產(chǎn)生的電動勢為,C錯誤,在寬軌道上產(chǎn)生的電動勢是窄軌道上的二分之一,所以根據(jù)公式可得導體棒在窄滑軌上勻速運動時電阻R上產(chǎn)生的熱功率是在寬滑軌上勻速運動時電阻R上產(chǎn)生的熱功率4倍,D正確,
考點:考查了導體切割磁感線運動,
點評:做此類型題目關(guān)鍵是對公式的靈活運用,還需知道,勻速運動時,產(chǎn)生的熱功率為電阻的熱功率
科目:高中物理 來源: 題型:
A、導體棒進入窄滑軌后,一直做勻速直線運動 | B、導體棒在窄滑軌上先做減速運動再做勻速運動 | C、導體棒在窄滑軌上勻速運動時的速度為2v | D、導體棒在寬窄兩滑軌上勻速運動時電阻R上產(chǎn)生的熱功率之比為1:4 |
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年山東省德州市某中學高三12月月考物理試卷(帶解析) 題型:單選題
阻值為R的電阻和不計電阻的導線組成如圖所示的滑軌,滑軌與水平面成α角,勻強磁場垂直滑軌所在的面,寬窄滑軌的寬度是二倍關(guān)系,一質(zhì)量為m電阻不計的導體棒ab垂直滑軌放置,彼此接觸良好。不計導體棒與滑軌間的摩擦,導體棒從靠近電阻R處由靜止釋放,在滑至窄滑軌之前已達勻速,其速度為v,窄滑軌足夠長。則下列說法正確的是
A.導體棒進入窄滑軌后,先做加速度逐漸減小的加速運動后作勻速運動 |
B.導體棒在窄滑軌上勻速運動的速度為2v |
C.導體棒在寬窄兩滑軌上勻速運動時導體棒產(chǎn)生的電動勢相同 |
D.導體棒在窄滑軌上勻速運動時電阻R上產(chǎn)生的熱功率是在寬滑軌上勻速運動時電阻R上產(chǎn)生的熱功率4倍 |
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年福建省、二中高三上學期期末聯(lián)考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
阻值為R的電阻和不計電阻的導線組成如圖所示的滑軌,滑軌與水平面成α角,勻強磁場垂直滑軌所在的平面,寬窄滑軌的寬度是二倍關(guān)系,一質(zhì)量為m電阻不計的導體棒ab垂直滑軌放置,彼此接觸良好。不計導體棒與滑軌間的摩擦,導體棒從靠近電阻R處由靜止釋放,在滑至窄滑軌之前已達勻速,其速度為v,窄滑軌足夠長。則下列說法正確的是( )
A.導體棒進入窄滑軌后,一直做勻速直線運動
B.導體棒在窄滑軌上先做減速運動再做勻速運動
C.導體棒在窄滑軌上勻速運動時的速度為2v
D.導體棒在寬窄兩滑軌上勻速運動時電阻R上產(chǎn)生的熱功率之比為1:4
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年福建省、二中高三上學期期末考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
阻值為R的電阻和不計電阻的導線組成如圖所示的滑軌,滑軌與水平面成α角,勻強磁場垂直滑軌所在的平面,寬窄滑軌的寬度是二倍關(guān)系,一質(zhì)量為m電阻不計的導體棒ab垂直滑軌放置,彼此接觸良好。不計導體棒與滑軌間的摩擦,導體棒從靠近電阻R處由靜止釋放,在滑至窄滑軌之前已達勻速,其速度為v,窄滑軌足夠長。則下列說法正確的是( )
A.導體棒進入窄滑軌后,一直做勻速直線運動
B.導體棒在窄滑軌上先做減速運動再做勻速運動
C.導體棒在窄滑軌上勻速運動時的速度為2v
D.導體棒在寬窄兩滑軌上勻速運動時電阻R上產(chǎn)生的熱功率之比為1:4
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