A. | 若線(xiàn)圈在該運(yùn)動(dòng)過(guò)程中某段時(shí)間加速度等于g,則L2與H一定不相等 | |
B. | 若v=$\frac{mgR}{{B}^{2}{{L}_{1}}^{2}}$,則L2一定小于H | |
C. | 無(wú)論H取何值,v都不可能大于$\frac{mgR}{{B}^{2}{{L}_{1}}^{2}}$ | |
D. | 無(wú)論H取何值,線(xiàn)圈在該過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱一定大于mgH-$\frac{1}{2}$mv2 |
分析 A、依據(jù)L2與H大小,結(jié)合加速度等于g,說(shuō)明沒(méi)有安培阻力,從而判定;
B、根據(jù)安培力F安=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}}{R}v$,結(jié)合v=$\frac{mgR}{{B}^{2}{{L}_{1}}^{2}}$,可知安培力與重力的關(guān)系,從而確定線(xiàn)框的運(yùn)動(dòng)性質(zhì);
C、當(dāng)安培力大于重力時(shí),則線(xiàn)框減速運(yùn)動(dòng),即可判定速度大小,
D、根據(jù)能量守恒定律,即可判定.
解答 解:A、如果L2與H相等,全過(guò)程都將產(chǎn)生感應(yīng)電流,由楞次定律可知,安培力方向始終向上,線(xiàn)框的加速度必定小于g,故A正確,
B、若v=$\frac{mgR}{{B}^{2}{{L}_{1}}^{2}}$,那么安培力F安=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}}{R}v$=mg,說(shuō)明線(xiàn)框能勻速離開(kāi)磁場(chǎng),則有L2不小于H,故B錯(cuò)誤;
C、若線(xiàn)框做減速運(yùn)動(dòng)離開(kāi),那么安培力F安=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}}{R}v$>mg,那么v大于$\frac{mgR}{{B}^{2}{{L}_{1}}^{2}}$,故C錯(cuò)誤;
D、由能量守恒定律,線(xiàn)圈在該過(guò)程中,產(chǎn)生焦耳熱,Q=(mgH+L2)-$\frac{1}{2}m{v}^{2}$>mgH-$\frac{1}{2}$mv2,故D正確;
故選:AD.
點(diǎn)評(píng) 本題考查電磁感應(yīng)的應(yīng)用,掌握動(dòng)力學(xué)與能量問(wèn)題的綜合,同時(shí)考查學(xué)生推理能力和分析綜合能力,注意L2與H的關(guān)系,及線(xiàn)框的運(yùn)動(dòng)性質(zhì)是解題的關(guān)鍵.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 多晶體和非晶體各向同性,所以都不是晶體 | |
B. | 單晶體和多晶體都是各向異性的 | |
C. | 金屬材料各向同性,但金屬中每一晶粒的內(nèi)部各向異性 | |
D. | 明礬是多晶體,小鐵屑是單晶體 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 當(dāng)ab邊剛越過(guò)NN′時(shí),線(xiàn)框加速度的大小為3g | |
B. | t0時(shí)刻線(xiàn)框勻速運(yùn)動(dòng)的速度為$\frac{v_0}{4}$ | |
C. | t0時(shí)刻穿過(guò)線(xiàn)圈的磁通量為零,感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為零 | |
D. | 離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中線(xiàn)框?qū)⒆鰟蛩僦本(xiàn)運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | b在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間比a長(zhǎng) | |
B. | b和c同時(shí)飛離電場(chǎng) | |
C. | 進(jìn)電場(chǎng)時(shí)a的速度最大,c的速度最小 | |
D. | 動(dòng)能的增加值c最小,a和b一樣大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 4Ek | B. | 4.25Ek | C. | 6Ek | D. | 9.5Ek |
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