. |
I |
π |
3 |
△Φ |
△t |
nL1L2(B1-B0) |
t1 |
E |
R+r |
nL1L2(B1-B0) |
(R+r)t1 |
| ||
2 |
| ||
2(R+r) |
2π |
ω |
nB1L1L2 |
R+r |
. |
E |
△Φ. |
△t |
nB1L1L2 |
△t |
. |
I |
nB1L1L2 |
△t(R+r) |
. |
I |
nB1L1L2 |
R+r |
π |
3 |
π |
3 |
| ||
2 |
nL1L2(B1-B0) |
(R+r)t1 |
nB1L1L2 |
R+r |
nB1L1L2 |
R+r |
| ||
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
(18分)如圖甲所示.空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向外.abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻值為R.線框以垂直磁場(chǎng)邊界的速度v勻速通過磁場(chǎng)區(qū)域.在運(yùn)動(dòng)過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場(chǎng)邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)的位置x=0,x軸沿水平方向向右。求:
(1)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),ab兩端的電勢(shì)差,并指明哪端電勢(shì)高;
(2)線框穿過磁場(chǎng)的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)在下面的乙圖中,畫出ab兩端電勢(shì)差Uab隨距離變化的圖象。其中U0 = BLv。
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科目:高中物理 來源:2013-2014江蘇省蘇州市高二第一學(xué)期期末調(diào)研測(cè)試(選修)物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題
(16分)如圖甲所示,光滑且足夠長的平行金屬導(dǎo)軌MN、PQ固定在同一水平面上,兩導(dǎo)軌間距L=lm,電阻R1=3Ω,R2=1.5Ω,導(dǎo)軌上放一質(zhì)量m=1kg的金屬桿,長度與金屬導(dǎo)軌等寬,與導(dǎo)軌接觸良好,金屬桿的電阻r=1.0Ω,導(dǎo)軌電阻忽略不計(jì),整個(gè)裝置處于磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)的方向垂直導(dǎo)軌平面向下.現(xiàn)用一拉力F沿水平方向拉桿,使金屬桿由靜止開始運(yùn)動(dòng).圖乙所示為通過金屬桿中的電流平方(I2)隨位移(x)變化的圖線,當(dāng)金屬桿運(yùn)動(dòng)位移為5m時(shí),求:
(1)金屬桿的動(dòng)能:
(2)安培力的功率;
(3)拉力F的大小.
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科目:高中物理 來源:人教版2011-2012學(xué)年高三物理法拉第電磁感應(yīng)定律互感、自感、渦流專項(xiàng)訓(xùn)練 題型:選擇題
.(12分)如圖甲所示,豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直于光滑的桌面,圖甲中的虛線為磁場(chǎng)的邊界線,邊界線右側(cè)的磁場(chǎng)區(qū)域足夠大;質(zhì)量為m、電阻為R的矩形金屬線圈abcd平放在桌面上,線圈的長和寬分別為l和2l,線圈的一半在磁場(chǎng)內(nèi),一半在磁場(chǎng)外;t=0時(shí)刻磁感應(yīng)強(qiáng)度從B0開始均勻減小,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流,在磁場(chǎng)力作用下線圈的v-t圖象如圖11乙所示,圖乙中的斜向虛線為t=0時(shí)刻速度圖線的切線,數(shù)據(jù)由圖中給出.求:
(1)t=0時(shí)刻金屬線圈的加速度;
(2)磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率.
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年湖北七市聯(lián)考高三(下)物理試卷(4月份)(解析版) 題型:解答題
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