A. | 電場(chǎng)強(qiáng)度E0和磁感應(yīng)強(qiáng)度B0的大小之比為2v0:3 | |
B. | 第一個(gè)粒子和第二個(gè)粒子運(yùn)動(dòng)的加速度大小之比為2:1 | |
C. | 第一個(gè)粒子和第二個(gè)粒子通過C的動(dòng)能之比為 1:4 | |
D. | 第一個(gè)粒子和第二個(gè)粒子運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比為π:2 |
分析 分兩個(gè)過程研究:
(1)粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),用運(yùn)動(dòng)的合成和分解解決,然后對(duì)分運(yùn)動(dòng)運(yùn)用牛頓第二定律結(jié)合運(yùn)動(dòng)學(xué)規(guī)律即可;
(2)粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,運(yùn)用帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑公式和周期公式,逐項(xiàng)對(duì)比分析即可.
解答 解:A.在t=1s時(shí),空間區(qū)域存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),粒子做勻速圓周運(yùn)動(dòng),如圖2所示;由牛頓第二定律得$q{v_0}{B_0}=m\frac{v_0^2}{R}$,粒子的軌道半徑,R=l,解得${B_0}=\frac{{m{v_0}}}{ql}$;帶電粒子在勻強(qiáng)電場(chǎng)中類平拋運(yùn)動(dòng),豎直方l=v0t,水平方向$l=\frac{1}{2}a{t^2}=\frac{1}{2}\frac{{q{E_0}}}{m}{t^2}$,得${E_0}=\frac{2mv_0^2}{ql}$,則$\frac{E_0}{B_0}=\frac{{2{v_0}}}{l}$,故A錯(cuò)誤;
B.第一個(gè)粒子和第二個(gè)粒子運(yùn)動(dòng)的加速度大小之比$\frac{a_1}{a_2}=\frac{{q{v_0}{B_0}}}{m}:\frac{{q{E_0}}}{m}=\frac{{{v_0}{B_0}}}{E_0}=\frac{1}{2}$,故B錯(cuò)誤;
C.第二個(gè)粒子,由動(dòng)能定理得:$q{E_0}l={E_{k2}}-\frac{1}{2}mv_0^2$,${E_{k2}}=\frac{5}{2}mv_0^2$,第一個(gè)粒子的動(dòng)能${E_{k2}}=\frac{1}{2}mv_0^2$,第一個(gè)粒子和第二個(gè)粒子通過C的動(dòng)能之比為1:5,故C錯(cuò)誤;
D.第一個(gè)粒子的運(yùn)動(dòng)時(shí)間${t_1}=\frac{1}{4}T=\frac{1}{4}×\frac{2πm}{{q{B_0}}}=\frac{πl(wèi)}{{2{v_0}}}$,第二個(gè)粒子的運(yùn)動(dòng)時(shí)間${t_2}=\frac{l}{v_0}$,第一個(gè)粒子和第二個(gè)粒子運(yùn)動(dòng)時(shí)間之比t1:t2=π:2,故D正確.
故選:D
點(diǎn)評(píng) 本題難度不大,考查帶電粒子在電場(chǎng)中的類平拋運(yùn)動(dòng)和在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)等問題,讀題時(shí)候要注意分析圖象中隱含的已知條件,合理選擇規(guī)律解決相應(yīng)過程.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 第1 s內(nèi)的位移是6 m | B. | 前2 s內(nèi)的平均速度是6 m/s | ||
C. | 任意相鄰的1 s內(nèi)位移差都是1 m | D. | 任意1 s內(nèi)的速度增量都是2 m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 密封在體積不變的容器中的氣體,若溫度升高,則氣體分子對(duì)器壁單位面積上的平均作用力增大 | |
B. | 永動(dòng)機(jī)是可以制成的 | |
C. | 水晶片和玻璃片都是透明的,故它們都是晶體 | |
D. | 根據(jù)熱力學(xué)第二定律可知,熱量能夠從高溫物體傳到低溫物體,但不可能從低溫物體傳到高溫物體 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 0~1s內(nèi),ab、cd導(dǎo)線互相排斥 | B. | 1~2s內(nèi),ab、cd導(dǎo)線互相吸引 | ||
C. | 2~3s內(nèi),ab、cd導(dǎo)線互相吸引 | D. | 3~4s內(nèi),ab、cd導(dǎo)線互相排斥 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 使它們同時(shí)垂直射入勻強(qiáng)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)角大的是質(zhì)子 | |
B. | 使它們同時(shí)垂直射入勻強(qiáng)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)角大的是α粒子 | |
C. | 使它們同時(shí)垂直射入勻強(qiáng)磁場(chǎng),半徑大的是質(zhì)子 | |
D. | 使它們同時(shí)垂直射入勻強(qiáng)磁場(chǎng),半徑大的是α粒子 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 等勢(shì)面越密的地方電場(chǎng)強(qiáng)度越大 | |
B. | 等勢(shì)面越密的地方電勢(shì)越高 | |
C. | 同一電荷在等勢(shì)面上不同位置,電勢(shì)能相等 | |
D. | 同一電荷在等勢(shì)面上不同位置,電勢(shì)能不相等 |
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