如圖11-12所示,由電容器和磁場組成一射線管,電容器極板長=5cm,兩板間距d=5cm,兩端加電壓U=10V,電容器右側(cè)有一寬度為=5cm弱磁場區(qū)域,其磁感應(yīng)強(qiáng)度B=T,方向豎直向下,在磁場邊界的右邊s=10m處,放置一個標(biāo)有坐標(biāo)的屏,現(xiàn)有初速度m/s的負(fù)離子束從電容器中心水平向右入射(荷質(zhì)比?? ==5×C/kg).若不加電壓和磁場時,離子束恰打在坐標(biāo)的原點(diǎn)上,那么加上電壓和磁場后離子束應(yīng)打在坐標(biāo)紙上的哪個位置?(結(jié)果精確到0.1cm)
2.5cm ,5.0cm
通過電場時,粒子受電場力:
產(chǎn)生加速度:,方向豎直向上.
穿出電場的時間:.
豎直方向分速度:,又由于L1=5cmS=10m,故粒子在電容器內(nèi)沿y軸方向發(fā)生的位移可忽略不計,但速度方向發(fā)生了偏轉(zhuǎn),所以在屏上豎直方向的分位移主要是在場外發(fā)生.
在磁場中,粒子受洛倫茲力:,其中豎直分速度與磁場平行,不會使粒子受洛倫茲力作用.使粒子在水平面內(nèi)作勻速圓周運(yùn)動且半徑>>,所以粒子在磁場中圓周運(yùn)動的圓心角θ很小,向x軸正方向偏轉(zhuǎn)的位移很小可以忽略,如圖所示.同樣由于水平方向速度發(fā)生偏轉(zhuǎn),在場外沿x軸正方向的分位移就是屏上的x坐標(biāo).
在場外沿軸線方向勻速直線運(yùn)動的時間;
縱坐標(biāo);
在磁場中偏轉(zhuǎn)的速度偏轉(zhuǎn)角等于圓心角,由于θ很小,所以.
橫坐標(biāo).
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科目:高中物理 來源: 題型:
圖11-12
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖11-12所示,由電容器和磁場組成一射線管,電容器極板長=5cm,兩板間距d=5cm,兩端加電壓U=10V,電容器右側(cè)有一寬度為=5cm弱磁場區(qū)域,其磁感應(yīng)強(qiáng)度B=T,方向豎直向下,在磁場邊界的右邊s=10m處,放置一個標(biāo)有坐標(biāo)的屏,現(xiàn)有初速度m/s的負(fù)離子束從電容器中心水平向右入射(荷質(zhì)比g ==5×C/kg).若不加電壓和磁場時,離子束恰打在坐標(biāo)的原點(diǎn)上,那么加上電壓和磁場后離子束應(yīng)打在坐標(biāo)紙上的哪個位置?(結(jié)果精確到0.1cm)
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科目:高中物理 來源:2010年吉林省高二第一學(xué)期期末考試物理試卷 題型:選擇題
水平導(dǎo)線中通有恒定電流I,導(dǎo)線的正上方P處有一電子槍,發(fā)射出電子的初速度方向豎直向上,且跟導(dǎo)線在同一豎直平面內(nèi),如圖11-12所示,從電子槍發(fā)射出的電子的運(yùn)動: ( )
A、沿徑跡b運(yùn)動,徑跡為圓
B、沿徑跡b運(yùn)動,徑跡的曲率半徑不斷改變
C、沿徑跡a運(yùn)動,徑跡的曲率半徑不斷改變
D、沿垂直與紙面方向偏離導(dǎo)線
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科目:高中物理 來源:2010年吉林省長春外國語學(xué)校高二第一學(xué)期期末考試物理試卷 題型:單選題
水平導(dǎo)線中通有恒定電流I,導(dǎo)線的正上方P處有一電子槍,發(fā)射出電子的初速度方向豎直向上,且跟導(dǎo)線在同一豎直平面內(nèi),如圖11-12所示,從電子槍發(fā)射出的電子的運(yùn)動: ( )
A.沿徑跡b運(yùn)動,徑跡為圓 |
B.沿徑跡b運(yùn)動,徑跡的曲率半徑不斷改變 |
C.沿徑跡a運(yùn)動,徑跡的曲率半徑不斷改變 |
D.沿垂直與紙面方向偏離導(dǎo)線 |
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