如圖，電流從A點(diǎn)分兩路對(duì)稱地且電流強(qiáng)度相等地通過圓形支路再匯合于B點(diǎn)，則圓環(huán)中心處O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向是（　　）
A．垂直圓環(huán)面指向紙內(nèi)B．垂直圓環(huán)面指向紙外
C．磁感應(yīng)強(qiáng)度為零D．條件不足，無(wú)法判斷

將圓環(huán)分成上下兩半研究，根據(jù)安培定則，上半圓電流在O點(diǎn)產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向向里，下半圓電流在O點(diǎn)產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向向外，由于電流大小相等，兩個(gè)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相等，則O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為零．
故選：C．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：問答題

在電場(chǎng)某處電場(chǎng)強(qiáng)度的大小為E=
2N
C
，放入電荷量為q=4×10-9C的點(diǎn)電荷，它受到的電場(chǎng)力大小為多少．

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：問答題

如圖所示，表示一根放在磁場(chǎng)里的通電直導(dǎo)線，直導(dǎo)線與磁場(chǎng)方向垂直．圖中已分別標(biāo)明電流、磁感應(yīng)強(qiáng)度和安培力這三個(gè)物理量中兩個(gè)的方向，請(qǐng)標(biāo)出第三個(gè)量的方向．

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：填空題

如圖，Ⅰ和Ⅱ是一對(duì)異名磁極，a、b為放在其間的金屬棒．a(chǎn)b和cd用導(dǎo)線連成一個(gè)閉合回路．當(dāng)ab棒向左運(yùn)動(dòng)時(shí)，cd導(dǎo)線受到向下的磁場(chǎng)力．由此可知Ⅰ是______極，Ⅱ是______a，b兩點(diǎn)的電動(dòng)勢(shì)φa______φb（ 填空“＞”、“＜”或“=”）

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：填空題

安培力的方向用左手定則判斷，左手定則：伸開左手，使拇指跟其余四指______，并且都跟手掌在同一個(gè)平面內(nèi)，讓______穿入手心，并使四指向______的方向，則拇指所指的方向就是通電導(dǎo)線所受安培力的方向．

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

一根無(wú)限長(zhǎng)的通電直導(dǎo)線旁邊放一個(gè)通電的矩形線圈，電流的方向如圖所示，直導(dǎo)線與
線圈處于同一平面內(nèi)，則線圈受通電直導(dǎo)線作用后將（　�。�
A．靜止不動(dòng)B．向左運(yùn)動(dòng)C．向下平動(dòng)D．向右平動(dòng)

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：問答題

長(zhǎng)0.5m的直導(dǎo)線，通過4A的電流，將直導(dǎo)線放入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)導(dǎo)線與磁場(chǎng)方向垂直時(shí)，導(dǎo)線所受磁場(chǎng)力為0.8N，求：
（1）勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大�。�
（2）若將通電導(dǎo)線中的電流減為2A，則這時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小是多少？導(dǎo)線所受安培力是多大？

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

長(zhǎng)為L(zhǎng)、間距也為L(zhǎng)的兩平行金屬板間有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，如圖。今有質(zhì)量為m、帶電量為q的正離子從平行板左端中點(diǎn)以平行于金屬板的方向射入磁場(chǎng)。欲使離子不打在極板上，入射離子的速度大小應(yīng)滿足的條件是（   ）

①  ②   ③    ④
A．①②B．①③C．②③D．②④

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

中國(guó)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了量子反常霍爾效應(yīng)，楊振寧稱這一發(fā)現(xiàn)是諾貝爾獎(jiǎng)級(jí)．如圖所示，厚度為h，寬度為d的金屬導(dǎo)體，當(dāng)磁場(chǎng)方向與電流方向（自由電子定向移動(dòng)形成電流）垂直時(shí)在上下表面會(huì)產(chǎn)生電勢(shì)差，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)．下列說法正確的是（　 �。�
A．上表面的電勢(shì)高于下表面
B．下表面的電勢(shì)高于上表面
C．增大h時(shí)，上下表面的電勢(shì)差增大
D．增大d時(shí)，上下表面的電勢(shì)差增大

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