【題目】一個(gè)邊長(zhǎng)為L的正方形導(dǎo)線(xiàn)框在傾角為θ的光滑斜面上由靜止開(kāi)始沿斜面下滑，隨后進(jìn)入虛線(xiàn)下方垂直于斜面向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。如圖所示，斜面以及虛線(xiàn)下方的磁場(chǎng)往下方延伸到足夠遠(yuǎn)。下列說(shuō)法正確的是(　　)

A. 線(xiàn)框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程，b點(diǎn)的電勢(shì)比a點(diǎn)高

B. 線(xiàn)框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程一定是減速運(yùn)動(dòng)

C. 線(xiàn)框中產(chǎn)生的焦耳熱小于線(xiàn)框減少的機(jī)械能

D. 線(xiàn)框從不同高度下滑時(shí)，進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中通過(guò)線(xiàn)框?qū)Ь�(xiàn)橫截面的電荷量相等

【答案】D

【解析】

A.線(xiàn)框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程，ab邊相當(dāng)于電源，由右手定則知a點(diǎn)電勢(shì)高于b點(diǎn)電勢(shì)，選項(xiàng)A錯(cuò)誤；

B.若線(xiàn)圈開(kāi)始進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)所受的安培力小于mgsinθ，則線(xiàn)圈加速進(jìn)入磁場(chǎng)；若線(xiàn)圈開(kāi)始進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)所受的安培力等于mgsinθ，則線(xiàn)圈勻速進(jìn)入磁場(chǎng)；若線(xiàn)圈開(kāi)始進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)所受的安培力大于mgsinθ，則線(xiàn)圈減速進(jìn)入磁場(chǎng)，選項(xiàng)B錯(cuò)誤；

C.由能量守恒知,線(xiàn)框中產(chǎn)生的焦耳熱等于線(xiàn)框減少的機(jī)械能，選項(xiàng)C錯(cuò)誤；

D.通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)橫截面的電荷量，與下落高度無(wú)關(guān)，選項(xiàng)D正確。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要儀器，如圖所示：從粒子源中放出的質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子（初速為零，重力不計(jì)），經(jīng)電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng)加速，剛出電場(chǎng)時(shí)測(cè)得離子束的電流為I，之后從Q處垂直進(jìn)入一個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)電場(chǎng)，之后打到底片上P處，P、Q兩點(diǎn)距離為R.根據(jù)已知條件可知

A.該離子的質(zhì)量為m=

B.該離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t=

C.在離子從Q處進(jìn)入磁場(chǎng)至到達(dá)P的時(shí)間內(nèi)，射到底片上的離子數(shù)目為N=

D.假如粒子源放出初速為零的氕（）、氘（）、氚（）三種離子，這三種離子會(huì)打在底片上三個(gè)不同位置

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】下列說(shuō)法中正確的是 ( 　　)

A.據(jù)可知，導(dǎo)體的電阻與加在電阻兩端的電壓成正比。

B.據(jù)可知，通過(guò)導(dǎo)體的電流改變，加在電阻兩端的電壓也改變，但導(dǎo)體的電阻不變

C.據(jù)可知，電阻率與導(dǎo)體的電阻和橫截面積的乘積RS成正比,與導(dǎo)體的長(zhǎng)度l成反比

D.導(dǎo)體的電阻率與導(dǎo)體的長(zhǎng)度l，橫截面積S、導(dǎo)體的電阻R及材料皆無(wú)關(guān)

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，質(zhì)量為m、帶電量為-q的小球在光滑導(dǎo)軌上運(yùn)動(dòng)，半圓形滑環(huán)的半徑為R。整個(gè)裝置放在方向豎直向下，強(qiáng)度為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)中，斜軌的高為H，已知。設(shè)過(guò)B點(diǎn)時(shí)小球的動(dòng)能不變。試問(wèn)：

(1)若小球恰好過(guò)半圓最高點(diǎn)，則該點(diǎn)速度多大？

(2)若小球從A點(diǎn)靜止釋放后恰好過(guò)半圓最高點(diǎn)，則H==?

(3)上問(wèn)中，小球在B點(diǎn)對(duì)圓環(huán)的壓力為多少?

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】一圓筒處于磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向與筒的軸平行，筒的橫截面如圖所示．圖中直徑的兩端分別開(kāi)有小孔，筒繞其中心軸以角速度順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)．在該截面內(nèi)，一帶電粒子從小孔射入筒內(nèi)，射入時(shí)的運(yùn)動(dòng)與成30°角．當(dāng)筒轉(zhuǎn)過(guò)90°時(shí)，該粒子恰好從小孔飛出圓筒．不計(jì)重力．若粒子在筒內(nèi)未與筒壁發(fā)生碰撞，則帶電粒子的比荷為（ ）

A.B.C.D.

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件，廣泛應(yīng)用于測(cè)量和自動(dòng)控制等領(lǐng)域。如圖是霍爾元件的工作原理示意圖，一塊長(zhǎng)為a，寬為c的矩形半導(dǎo)體霍爾元件，元件內(nèi)的導(dǎo)電粒子是電荷量為e的自由電子，通入圖示方向的電流I時(shí)，電子的定向移動(dòng)速度為v，當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B垂直于霍爾元件的工作面向下時(shí)，前后兩側(cè)面會(huì)形成電勢(shì)差U，下列說(shuō)法中正確的是

A.前、后表面間的電壓U與v無(wú)關(guān)B.前表面的電勢(shì)比后表面的高

C.自由電子受到的洛倫茲力大小為D.前、后表面間的電壓U與c成正比

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】用油膜法估算分子大小的實(shí)驗(yàn)中，首先需將純油酸稀釋成一定濃度的油酸酒精溶液，稀釋的目的是_______________________________________________。實(shí)驗(yàn)中為了測(cè)量出一滴已知濃度的油酸酒精溶液中純油酸的體積，可以_____________________________________________________________。為得到油酸分子的直徑，還需測(cè)量的物理量是_________________________________。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，總?cè)莘e為3Vo、內(nèi)壁光滑的氣缸水平放置，一面積為S的輕質(zhì)薄活塞將一定質(zhì)量的理想氣體封閉在氣缸內(nèi)，活塞左側(cè)由跨過(guò)光滑定滑輪的細(xì)繩與一質(zhì)量為m的重物相連，氣缸右側(cè)封閉且留有抽氣孔�；钊覀�(cè)氣體的壓強(qiáng)為p。，活塞左側(cè)氣體的體積為Vo，溫度為To。將活塞右側(cè)抽成真空并密封，整個(gè)抽氣過(guò)程中缸內(nèi)氣體溫度始終保持不變。然后將密封的氣體緩慢加熱。已知重物的質(zhì)量滿(mǎn)足關(guān)系式mg =poS，重力加速為g。求

（1）活塞剛碰到氣缸右側(cè)時(shí)氣體的溫度；

（2）當(dāng)氣體溫度達(dá)到2To時(shí)氣體的壓強(qiáng)。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，地面上方分布著豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)。一帶正電的小球從油中A處由靜止釋放后豎直下落，下落過(guò)程中受到油對(duì)球的阻力，且阻力與球的速度平方成正比。已知小球在AB段做加速運(yùn)動(dòng)，在BC段做勻速運(yùn)動(dòng)，M和N是小球下落過(guò)程中經(jīng)過(guò)的兩個(gè)位置。小球在此運(yùn)動(dòng)過(guò)程中說(shuō)法正確的是

A.在AB段的加速度大小逐漸增大

B.M點(diǎn)的機(jī)械能大于N點(diǎn)的機(jī)械能

C.重力的沖量大于電場(chǎng)力的沖量

D.機(jī)械能和電勢(shì)能的總量保持不變

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