A. | 在兩個電場中運動的總時間相同 | |
B. | 打在熒光屏上的同一點 | |
C. | 到達屏上的動能相同 | |
D. | 氦離子到達屏上時的動能是氫離子的兩倍 |
分析 兩種粒子在偏轉電場中做類平拋運動,垂直于電場方向上做勻速直線運動,根據(jù)動能定理求出加速獲得的速度表達式,可分析在偏轉電場中經(jīng)歷的時間關系.根據(jù)推論分析粒子偏轉距離與加速電壓和偏轉電壓的關系,從而得出偏轉位移的關系.根據(jù)動能定理求出末動能的大小,從而比較大。
解答 解:設加速電壓為U1,偏轉電壓為U2,加速電場寬度為L1,偏轉極板的長度為L2,板間距離為d.
A、在加速電場中,由動能定理得:qU1=$\frac{1}{2}$mv02-0,解得:v0=$\sqrt{\frac{2q{U}_{1}}{m}}$,L1=$\frac{{v}_{0}}{2}$t1,運動時間:t1=2L1$\sqrt{\frac{m}{2q{U}_{1}}}$,
粒子在偏轉電場中粒子做類平拋運動,水平方向:L2=v0t2,t2=L2$\sqrt{\frac{m}{2q{U}_{1}}}$,粒子在兩個電場中運動的總時間:t=t1+t2=2L1$\sqrt{\frac{m}{2q{U}_{1}}}$+L2$\sqrt{\frac{m}{2q{U}_{1}}}$,由于兩粒子的比荷不同,粒子的運動時間不同,故A錯誤;
B、粒子在偏轉電場中粒子做類平拋運動,水平方向:L2=v0t2,豎直方向:y=$\frac{1}{2}$at22=$\frac{1}{2}$$\frac{q{U}_{2}}{md}$t22,解得:y=$\frac{{U}_{2}{L}^{2}}{4{U}_{1}d}$,粒子的偏移量與電荷的電量和質量無關,粒子打在熒光屏上同一點,故B正確;
C、由動能定理得:EK=qU1+q$\frac{{U}_{2}}t3vlxtd$y,由于氫離子的電荷量是氦離子電荷量的兩倍,y相同,則粒子的動能不同,氦離子到達屏上時的動能是氫離子的兩倍,故C錯誤,D正確;
故選:BD.
點評 解決本題的關鍵知道帶電粒子在加速電場和偏轉電場中的運動情況,知道從靜止開始經(jīng)過同一加速電場加速,垂直打入偏轉電場,運動軌跡相同.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 該質點的初速度為4m/s | B. | 該質點的加速度為5m/s2 | ||
C. | 該質點2s末的速度為5m/s | D. | 該質點第3s內(nèi)的位移為8.25m |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 安培力對ab棒所做的功相等 | |
B. | 電流通過整個回路所做的功相等 | |
C. | 整個回路產(chǎn)生的熱量相等 | |
D. | 到停止運動時,棒兩次運動距離相等 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 上滑過程中導體棒受到的最大安培力為$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$ | |
B. | 上滑過程中電流做功發(fā)出的熱量為$\frac{1}{2}$mv2-mgs(sinθ+μcosθ) | |
C. | 上滑過程中導體棒克服安培力做的功為$\frac{1}{2}$mv2 | |
D. | 上滑過程中導體棒損失的機械能為$\frac{1}{2}$mv2-mgssinθ |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 質點在板間運動的過程中與它從板的右端運動到光屏的過程中速度變化相反 | |
B. | 板間電場強度大小為$\frac{2mg}{q}$ | |
C. | 若僅將滑片P向下滑動一段后,再讓該質點從N點以水平速度v0射入板間,質點將不會垂直打在光屏上 | |
D. | 若僅將兩平行板的間距變大一些,再讓該質點從N點以水平速度v0射入板間,質點依然會垂直打在光屏上 |
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