A. | 此時(shí)圓環(huán)中的加速度為$\frac{3{B}^{2}{a}^{2}v}{mR}$ | |
B. | 此時(shí)圓環(huán)中的電動(dòng)勢(shì)為Bav | |
C. | 此過程中通過圓環(huán)截面的電荷量為$\frac{B{a}^{2}}{R}$ | |
D. | 此過程回路中產(chǎn)生的電熱為0.75mv2 |
分析 當(dāng)圓環(huán)運(yùn)動(dòng)到PQ時(shí),左半圓切割磁感線產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),等效切割長(zhǎng)度等于直徑2a,可由公式E=BLv和電功率公式結(jié)合,求解電功率;由公式F=BIL和I=$\frac{E}{R}$求出安培力,根據(jù)牛頓第二定律求解加速度.由感應(yīng)電荷量表達(dá)式q=$\frac{△Φ}{R}$ 求解電荷量.由能量守恒求解產(chǎn)生的電能.
解答 解:B、當(dāng)圓環(huán)運(yùn)動(dòng)到PQ時(shí),左半圓切割磁感線產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),切割的有效長(zhǎng)度為2a,所以產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為:E=B•2a•$\frac{v}{2}$=Bav,故B正確.
A、圓環(huán)中感應(yīng)電流為:I=$\frac{E}{R}$=$\frac{Bav}{R}$
左半圓環(huán)受到得安培力相當(dāng)于直徑所受安培力,大小為:F=BI•2a=$\frac{2{B}^{2}{a}^{2}v}{R}$
根據(jù)牛頓第二定律得:F=ma
解得:a=$\frac{2{B}^{2}{a}^{2}v}{mR}$.故A錯(cuò)誤.
C、此過程中通過圓環(huán)截面的電荷量為:q=$\frac{△Φ}{R}$=$\frac{πB{a}^{2}}{2R}$.故C錯(cuò)誤.
D、由能量守恒得:此過程回路中產(chǎn)生的電能為 Q=$\frac{1}{2}$mv2-$\frac{1}{2}$m($\frac{v}{2}$)2=0.375mv2.故D錯(cuò)誤.
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵掌握瞬時(shí)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)和平均感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的求法,知道公式E=BLv中L是有效切割長(zhǎng)度,安培力公式F=BIL中,L也是有效長(zhǎng)度,不是半圓的弧長(zhǎng)
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 原子核發(fā)生衰變時(shí)需要吸收熱量 | |
B. | 原子核發(fā)生衰變時(shí),質(zhì)量數(shù)不再守恒 | |
C. | 原子核發(fā)生衰變的半衰期與溫度高低無(wú)關(guān) | |
D. | 原子核發(fā)生β衰變時(shí),放出的β射線來自原子核外 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 兩物體的質(zhì)量之比為m1:m2=2:1 | |
B. | 從t3到t4時(shí)刻彈簧由壓縮狀態(tài)恢復(fù)到原長(zhǎng) | |
C. | 在t1、t3時(shí)刻兩物塊達(dá)到共同速度1m/s,彈簧分別處于壓縮狀態(tài)和拉伸狀態(tài) | |
D. | 在t2時(shí)刻A和B的動(dòng)能之比為EK1:EK2=1:4 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 蘋果先處于超重狀態(tài)后處于失重狀態(tài) | |
B. | 手掌對(duì)蘋果的摩擦力越來越大 | |
C. | 手掌對(duì)蘋果的支持力越來越小 | |
D. | 蘋果所受的合外力越來越大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在x1與x3處的電動(dòng)勢(shì)之比為1:3 | |
B. | 在x1與x3處受到磁場(chǎng)B的作用力大小之比為3:1 | |
C. | 從x1到x2與從x2到x3的過程中通過R的電量之比為3:5 | |
D. | 從x1到x2與從x2到x3的過程中通過R產(chǎn)生的焦耳熱之比為5:3 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)ab下落距離為h時(shí),回路電流為$\frac{2Mg}{BL}$ | |
B. | 當(dāng)ab下落距離為h時(shí),ab的速度為$\frac{2MgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
C. | 當(dāng)ab下落距離為h時(shí),ab的加速度為g | |
D. | 從ab釋放到下落距離為h的過程中,ab上產(chǎn)生的焦耳熱為$\frac{1}{2}$Mgh-$\frac{{M}^{3}{g}^{2}{R}^{2}}{{B}^{4}{L}^{4}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | A點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)比B的場(chǎng)強(qiáng)大 | |
B. | A點(diǎn)的電勢(shì)比B的電勢(shì)低 | |
C. | 負(fù)電荷在A點(diǎn)的電勢(shì)能小于在B的電勢(shì)能 | |
D. | 正電荷從A點(diǎn)自由釋放,電荷將沿電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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