一塊N型半導(dǎo)體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向沿Z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。
(1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中，哪個(gè)面電勢(shì)高？
(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí)，此元件的CC/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比
(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器。其測(cè)量方法為：將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中，用毫安表測(cè)量通以電流I，用毫伏表測(cè)量C、C/間的電壓U CC’， 就可測(cè)得B。若已知其霍爾系數(shù)。并測(cè)得U CC’=0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

解：(1) 較高 （2）假設(shè)定向移動(dòng)速度為v，有 I=q/t q=nebdvt 可得 I=nebdv穩(wěn)定時(shí)有：Bev=e U CC’/b 可得 U CC’= I 式 中各量均為定值 ，所以側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比 （3）由上可知B= 代入得：B=0.02T
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2007?蘇州模擬）一塊N型半導(dǎo)體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示．已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e．將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向沿Z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I．
（1）此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面中，哪個(gè)面電勢(shì)高？
（2）試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí)，此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比
（3）磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器．其測(cè)量方法為：將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中，用毫安表測(cè)量通以電流I，用毫伏表測(cè)量C、C，間的電壓U CC′，就可測(cè)得B．若已知其霍爾系數(shù)k=
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=10mV/mA?T．并測(cè)得UCC′=0.6mV，I=3mA．試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大�。�

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年江蘇省沭陽縣高二下學(xué)期期中調(diào)研測(cè)試物理試卷（帶解析） 題型：計(jì)算題

一塊N型半導(dǎo)體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e，將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向沿z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。

(1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中，哪個(gè)面電勢(shì)高？
(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí)，此元件的CC/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比；
(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B的儀器。其測(cè)量方法為：將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中，用毫安表測(cè)量通以電流I，用毫伏表測(cè)量C、C/間的電壓U， 就可測(cè)得B。若已知其霍爾系數(shù)，并測(cè)得U =0.6mV，I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

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科目：高中物理 來源：2014屆江蘇省沭陽縣高二下學(xué)期期中調(diào)研測(cè)試物理試卷（解析版） 題型：計(jì)算題

一塊N型半導(dǎo)體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e，將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向沿z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。

(1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中，哪個(gè)面電勢(shì)高？

(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí)，此元件的CC/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比；

(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B的儀器。其測(cè)量方法為：將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中，用毫安表測(cè)量通以電流I，用毫伏表測(cè)量C、C/間的電壓U， 就可測(cè)得B。若已知其霍爾系數(shù)，并測(cè)得U =0.6mV，I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

 

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科目：高中物理 來源：2007-2008學(xué)年江蘇省蘇州市五市三區(qū)高三（上）教學(xué)調(diào)研物理試卷（解析版） 題型：解答題

一塊N型半導(dǎo)體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示．已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e．將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向沿Z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I．
（1）此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面中，哪個(gè)面電勢(shì)高？
（2）試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí)，此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比
（3）磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器．其測(cè)量方法為：將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中，用毫安表測(cè)量通以電流I，用毫伏表測(cè)量C、C，間的電壓U CC′，就可測(cè)得B．若已知其霍爾系數(shù)．并測(cè)得UCC′=0.6mV，I=3mA．試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大�。�

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