如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強(qiáng)磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運(yùn)動(dòng),經(jīng)過一段時(shí)間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對(duì)該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時(shí)記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時(shí)間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是

A.圖2正確,且S1>S2                                B.圖2正確,且S1=S2

C.圖3正確,且S3>S4                                D.圖3正確,且S3=S4

 

【答案】

D

【解析】

試題分析:當(dāng)線框向右運(yùn)動(dòng)過程中,有兩個(gè)過程產(chǎn)生安培力,即進(jìn)入磁場到完全進(jìn)入磁場和離開磁場到完全離開磁場兩個(gè)過程;其中任一過程產(chǎn)生的電動(dòng)勢為E=BvL,產(chǎn)生的電流為I=E/R=BLv/R,產(chǎn)生的安培力為F=BIL=B2L2v/R,當(dāng)時(shí)間增加時(shí),速度減小,則由上式可知,安培力減小,所以A、B選項(xiàng)錯(cuò)誤;另一方面看,產(chǎn)生的平均電動(dòng)勢為:E=BΔs/Δt,產(chǎn)生的電流為:I=E/R= BΔs/ΔtR,產(chǎn)生的安培力為:F=BIL=B2lΔs/RΔt;變形后得FΔt=B2lΔs/R,所以S3 =S4,則D選項(xiàng)正確。

考點(diǎn):本題考查電磁感應(yīng)和對(duì)F-t圖像的理解。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強(qiáng)磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下.邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運(yùn)動(dòng),經(jīng)過一段時(shí)間線框通過了磁場區(qū)域.已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對(duì)該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時(shí)記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時(shí)間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積.關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是( 。
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A、圖2正確,且S1>S2B、圖2正確,且S1=S2C、圖3正確,且S3>S4D、圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013·北京朝陽二模,18題)如圖1所示,虛線MNMN′為一勻強(qiáng)磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運(yùn)動(dòng),經(jīng)過一段時(shí)間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對(duì)該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時(shí)記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時(shí)間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2S3S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2S3S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是

   A.圖2正確,且S1>S2                           B.圖2正確,且S1=S2

   C.圖3正確,且S3>S4                           D.圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源:朝陽區(qū)二模 題型:單選題

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強(qiáng)磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下.邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運(yùn)動(dòng),經(jīng)過一段時(shí)間線框通過了磁場區(qū)域.已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對(duì)該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時(shí)記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時(shí)間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積.關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是( 。

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A.圖2正確,且S1>S2B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4D.圖3正確,且S3=S4

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科目:高中物理 來源:2013年北京市朝陽區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強(qiáng)磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下.邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運(yùn)動(dòng),經(jīng)過一段時(shí)間線框通過了磁場區(qū)域.已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對(duì)該過程進(jìn)行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時(shí)記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時(shí)間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積.關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是( )

A.圖2正確,且S1>S2
B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4
D.圖3正確,且S3=S4

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