v2 |
R |
mv |
qB |
qBR |
m |
2qBd |
m |
2 |
3 |
qBR |
m |
2qBd |
3m |
科目:高中物理 來源: 題型:013
如圖所示,寬為d的有界勻強磁場的邊界為PP′、QQ′,一個質(zhì)量為m、電荷量為q的微觀粒子沿圖示方向以速度v0垂直射入磁場,磁感應(yīng)強度為B.要使粒子不能從邊界QQ′射出,粒子的入射速度v0的最大值可能是下面給出的[ ]
①Bqd/m ②2qBd/m 、2qBd/3m 、qBd/3m
A.①② B.②③
C.③④ D.②④
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科目:高中物理 來源:物理教研室 題型:013
①Bqd/m 、2qBd/m 、2qBd/3m ④qBd/3m
A.①② B.②③
C.③④ D.②④
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科目:高中物理 來源:2012屆廣西桂林十八中高二下學(xué)期期中考試理科物理試題 題型:選擇題
如圖所示,寬為d的有界勻強磁場豎直向下穿過光滑的水平桌面,一質(zhì)量為m的矩形導(dǎo)體框平放在桌面上,矩形導(dǎo)體框的長邊(長為L)平行磁場邊界,短邊長度小于d 。 現(xiàn)給導(dǎo)體框一個初速度v0 (v0垂直磁場邊界),導(dǎo)體框全部位于磁場中時的速度為v,導(dǎo)體框全部出磁場后的速度為 v1(v1≠0);導(dǎo)體框進入磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱為Q1 ,導(dǎo)體框離開磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱為 Q2 。下列說法正確的是 ( )
A.導(dǎo)體框離開磁場過程中,感應(yīng)電流的方向為逆時針方向
B.v = ( v0+ v1 )
C. Q2 = 2 Q1
D. Q1 + Q2= m v02
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,寬為d的有界勻強磁場豎直向下穿過光滑的水平桌面,一質(zhì)量為m的矩形導(dǎo)體框平放在桌面上,矩形導(dǎo)體框的長邊(長為L)平行磁場邊界,短邊長度小于d 。 現(xiàn)給導(dǎo)體框一個初速度v0 (v0垂直磁場邊界),導(dǎo)體框全部位于磁場中時的速度為v,導(dǎo)體框全部出磁場后的速度為 v1(v1≠0);導(dǎo)體框進入磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱為Q1 ,導(dǎo)體框離開磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱為 Q2 。下列說法正確的是 ( )
A.導(dǎo)體框離開磁場過程中,感應(yīng)電流的方向為逆時針方向
B.v = ( v0+ v1 )
C. Q2 = 2 Q1
D. Q1 + Q2= m v02
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