如圖是空間存在的某勻強電場的等勢面示意圖，A、B兩點相距10cm，θ＝53°，求:

1)請在圖中畫出通過A點的電場線？

2）該勻強電場強度的大小是多少？

3）一帶電量為－4×10－6C的微粒沿AB運動，則電場力做正功還是負功，所做的功是多少？

4)電勢能變化了多少？

5）若該微粒做勻速運動，則此微粒的質量為多少？

（cosθ=3/5,sinθ=4/5,取g＝10m／s2）

1）

2）250(V/m)3) －8.0×10－5J  4) 8.0×10－5J 5）1.0×10－4(kg)


解析:

1）電場強度方向如圖所示             。。。。。2分

2）UAB=φA-φB=10V-（-10V）=20V        。。。。。3分

E=UAB/d=20/(0.1×sinθ)= 20/(0.1×0.8)=250(V/m) 。。。。。3分

3)WAB=qUAB=－4.0×10－6C×20V=－8.0×10－5J         。。。。。4分

4) WAB=qUAB=-△EP∴△EP =8.0×10－5J，增加了8.0×10－5J。。。。4分

5）該負電荷受到豎直向下的重力和豎直向上的電場力作用處于平衡

(或畫受力分析圖)                            。。。。。1分

∴mg=qE                                      。。。。。3分

m=qE/g=4.0×10－6×250/10=1.0×10－4(kg)        。。。。。2分

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在xOy坐標系中，將一負檢驗電荷q由y軸上的a點移至x軸上的b點時，需克服電場力做功W；若將q從a點移至x軸上c點時，也需克服電場力做功W．那么關于此空間存在的靜電場可能是 （　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2011?龍巖模擬）制作半導體時，需向單晶硅或其他晶體中摻入雜質．單晶硅內的原子是規(guī)則排列的，在兩層電子間的間隙會形成如圖甲所示的上下對稱的勻強電場，設某空間存在上下對稱的勻強電場，并在該電場中的下半?yún)^(qū)域加一方向垂直紙面向里的勻強磁場，如圖乙所示．電量為+q、質量為m的帶電小球從上邊界以初速度v0垂直電場入射．已知上下場區(qū)的寬均為d，長為L，電場強度E=
mg
q
，初速度v0=
3
2
gd
，sin37°=
3
5
，cos37°=
4
5
．
求：
（1）小球第一次經(jīng)過對稱軸OO′時的速度；
（2）要使小球不越過下邊界，所加磁場的磁感應強度B的最小值；
（3）若所加磁場的磁感應強度B′=
2m
qd
gd
，且L=20d，求小球在場區(qū)運動的總時間．

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，在xoy坐標系中，將一負檢驗電荷q由y軸上a點移動到x軸上b點時，需克服電場力做功W1，若從a點移到x軸上c點時，需克服電場力做功W2，已知W1＞W(wǎng)2那么關于此空間存在的靜電場可能是（　　）
①處于第Ⅰ象限某一位置的正點電荷形成的電場
②處于第Ⅱ象限某一位置的負點電荷形成的電場
③存在方向由第Ⅰ象限指向第Ⅲ象限的勻強電場
④存在方向由第Ⅳ象限指向第Ⅱ象限的勻強電場．
A、①②B、①③C、①④D、②④

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，xoy坐標系中，將一負檢驗電荷q由y軸上a點移動x軸上b點時，需克服電場力做功W1；若從a點移到x軸上c點時，必需克服電場力做功W，那么關于此空間存在的靜電場可能是 （　�。�
A、存在場強方向沿y軸正方向的勻強電場B、存在場強方向沿x軸正方向的勻強電場C、處于第I象限某一位置的正點電荷形成的電場D、處于第II象限某一位置的正點電荷形成的電場

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