如圖甲所示,水平加速電場的加速電壓為U0,在它的右側(cè)有由水平正對放置的平行金屬板a、b構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電場,已知偏轉(zhuǎn)電場的板長L=0.10 m,板間距離d=5.0×10-2 m,兩板間接有如圖15乙所示的隨時間變化的電壓U,且a板電勢高于b板電勢。在金屬板右側(cè)存在有界的勻強(qiáng)磁場,磁場的左邊界為與金屬板右側(cè)重合的豎直平面MN,MN右側(cè)的磁場范圍足夠大,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=5.0×10-3T,方向與偏轉(zhuǎn)電場正交向里(垂直紙面向里)。質(zhì)量和電荷量都相同的帶正電的粒子從靜止開始經(jīng)過電壓U0=50V的加速電場后,連續(xù)沿兩金屬板間的中線OO′方向射入偏轉(zhuǎn)電場中,中線OO′與磁場邊界MN垂直。已知帶電粒子的比荷=1.0×108 C/kg,不計粒子所受的重力和粒子間的相互作用力,忽略偏轉(zhuǎn)電場兩板間電場的邊緣效應(yīng),在每個粒子通過偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域的極短時間內(nèi),偏轉(zhuǎn)電場可視作恒定不變。
1.求t=0時刻射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離;
2.求粒子進(jìn)入磁場時的最大速度;
3.對于所有進(jìn)入磁場中的粒子,如果要增大粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離,應(yīng)該采取哪些措施?試從理論上推理說明。
1.0.40m
2.1.1×105m/s…
3.要增大粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離x,應(yīng)該減小勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B,或增大加速電壓U0
解析:(1)設(shè)經(jīng)過加速電場加速后,粒子的速度為v0,根據(jù)動能定理有
,解得v0==1.0×105m/s……………………………………(1分)
由于t=0時刻偏轉(zhuǎn)電場的場強(qiáng)為零,所以此時射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子將勻速穿過電場而以v0的速度垂直磁場邊界進(jìn)入磁場中,在磁場中的運(yùn)動軌跡為半圓。
設(shè)粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動的半徑為r,由洛侖茲力公式和牛頓第二定律得
qv0B=m………………………………………………………………………(1分)
解得 r= …………………………………………………………………………(1分)
所以粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離d=2r =0.40m…………………(1分)
(2)設(shè)粒子以最大偏轉(zhuǎn)量離開偏轉(zhuǎn)電場,即軌跡經(jīng)過金屬板右側(cè)邊緣處,進(jìn)入磁場時a、b板的電壓為Um,則粒子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場后,加速度a=
水平方向 L=v0t
豎直方向 y==
解得 Um==25V<50V………………………………………………………(1分)
所以,電壓Um=25V時對應(yīng)粒子進(jìn)入磁場的速度最大,設(shè)最大速度大小為vm,方向與OO′的夾角為q,則對于粒子通過加速電場和偏轉(zhuǎn)電場的過程,根據(jù)動能定理有 qU0+q=mvm2
解得 vm==×105m/s=1.1×105m/s…………………………(1分)
tanq==,即q=arctan……………………………………………(1分)
(或cosq==,即q=arccos)
(說明:計算結(jié)果帶有根號,結(jié)果正確的同樣得分)
(3)設(shè)任意時刻進(jìn)入磁場的粒子,其進(jìn)入磁場時速度方向與OO′的夾角為α,則其速度大小
粒子在磁場中做圓周運(yùn)動的軌跡半徑
由如圖答所示的幾何關(guān)系可知,粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離
……………………………………………(1分)
所以要增大粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離x,應(yīng)該減小勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B,或增大加速電壓U0………………………………………………………(2分)
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科目:高中物理 來源: 題型:
q | m |
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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年度北京市海淀區(qū)高三上學(xué)期期末考試物理卷 題型:計算題
如圖甲所示,水平加速電場的加速電壓為U0,在它的右側(cè)有由水平正對放置的平行金屬板a、b構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電場,已知偏轉(zhuǎn)電場的板長L="0.10" m,板間距離d=5.0×10-2 m,兩板間接有如圖15乙所示的隨時間變化的電壓U,且a板電勢高于b板電勢。在金屬板右側(cè)存在有界的勻強(qiáng)磁場,磁場的左邊界為與金屬板右側(cè)重合的豎直平面MN,MN右側(cè)的磁場范圍足夠大,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=5.0×10-3T,方向與偏轉(zhuǎn)電場正交向里(垂直紙面向里)。質(zhì)量和電荷量都相同的帶正電的粒子從靜止開始經(jīng)過電壓U0=50V的加速電場后,連續(xù)沿兩金屬板間的中線OO′方向射入偏轉(zhuǎn)電場中,中線OO′與磁場邊界MN垂直。已知帶電粒子的比荷=1.0×108 C/kg,不計粒子所受的重力和粒子間的相互作用力,忽略偏轉(zhuǎn)電場兩板間電場的邊緣效應(yīng),在每個粒子通過偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域的極短時間內(nèi),偏轉(zhuǎn)電場可視作恒定不變。
【小題1】求t=0時刻射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離;
【小題2】求粒子進(jìn)入磁場時的最大速度;
【小題3】對于所有進(jìn)入磁場中的粒子,如果要增大粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離,應(yīng)該采取哪些措施?試從理論上推理說明。
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科目:高中物理 來源:2012屆度北京市海淀區(qū)高三第一學(xué)期期末練習(xí)物理卷 題型:計算題
如圖甲所示,水平加速電場的加速電壓為U0,在它的右側(cè)有由水平正對放置的平行金屬板a、b構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電場,已知偏轉(zhuǎn)電場的板長L=0.10 m,板間距離d=5.0×10-2 m,兩板間接有如圖15乙所示的隨時間變化的電壓U,且a板電勢高于b板電勢。在金屬板右側(cè)存在有界的勻強(qiáng)磁場,磁場的左邊界為與金屬板右側(cè)重合的豎直平面MN,MN右側(cè)的磁場范圍足夠大,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=5.0×10-3T,方向與偏轉(zhuǎn)電場正交向里(垂直紙面向里)。質(zhì)量和電荷量都相同的帶正電的粒子從靜止開始經(jīng)過電壓U0=50V的加速電場后,連續(xù)沿兩金屬板間的中線OO′方向射入偏轉(zhuǎn)電場中,中線OO′與磁場邊界MN垂直。已知帶電粒子的比荷=1.0×108 C/kg,不計粒子所受的重力和粒子間的相互作用力,忽略偏轉(zhuǎn)電場兩板間電場的邊緣效應(yīng),在每個粒子通過偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域的極短時間內(nèi),偏轉(zhuǎn)電場可視作恒定不變。
1.求t=0時刻射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離;
2.求粒子進(jìn)入磁場時的最大速度;
3.對于所有進(jìn)入磁場中的粒子,如果要增大粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離,應(yīng)該采取哪些措施?試從理論上推理說明。
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科目:高中物理 來源:2012屆度北京市海淀區(qū)高三上學(xué)期期末考試物理卷 題型:計算題
如圖甲所示,水平加速電場的加速電壓為U0,在它的右側(cè)有由水平正對放置的平行金屬板a、b構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電場,已知偏轉(zhuǎn)電場的板長L=0.10 m,板間距離d=5.0×10-2 m,兩板間接有如圖15乙所示的隨時間變化的電壓U,且a板電勢高于b板電勢。在金屬板右側(cè)存在有界的勻強(qiáng)磁場,磁場的左邊界為與金屬板右側(cè)重合的豎直平面MN,MN右側(cè)的磁場范圍足夠大,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=5.0×10-3T,方向與偏轉(zhuǎn)電場正交向里(垂直紙面向里)。質(zhì)量和電荷量都相同的帶正電的粒子從靜止開始經(jīng)過電壓U0=50V的加速電場后,連續(xù)沿兩金屬板間的中線OO′方向射入偏轉(zhuǎn)電場中,中線OO′與磁場邊界MN垂直。已知帶電粒子的比荷=1.0×108 C/kg,不計粒子所受的重力和粒子間的相互作用力,忽略偏轉(zhuǎn)電場兩板間電場的邊緣效應(yīng),在每個粒子通過偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域的極短時間內(nèi),偏轉(zhuǎn)電場可視作恒定不變。
1.求t=0時刻射入偏轉(zhuǎn)電場的粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離;
2.求粒子進(jìn)入磁場時的最大速度;
3.對于所有進(jìn)入磁場中的粒子,如果要增大粒子在磁場邊界上的入射點(diǎn)和出射點(diǎn)間的距離,應(yīng)該采取哪些措施?試從理論上推理說明。
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