科目: 來源: 題型:多選題
A. | 帶正電物塊從右側(cè)滑下、帶負(fù)電物塊從左側(cè)滑下 | |
B. | 離開斜面時(shí)的速度之比為2$\sqrt{6}$:1 | |
C. | 沿斜面下滑距離之比為24$\sqrt{2}$:1 | |
D. | 離開斜面所用的時(shí)間之比為4$\sqrt{3}$:1 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:多選題
A. | 如果能夠套中直桿,環(huán)拋出時(shí)的水平初速度不能小于1.9m/s | |
B. | 如果能夠套中第2根直桿,環(huán)拋出時(shí)的水平初速度范圍在2.4m/s到2.8m/s之間 | |
C. | 如果以2m/s的水平初速度將環(huán)拋出,就可以套中第1根直桿 | |
D. | 如果環(huán)拋出的水平速度大于3.3m/s,就不能套中第3根直桿 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:選擇題
A. | A、B、C發(fā)射的電子速度大小必須滿足vA>vB>vC | |
B. | 若A、C與金屬球心之間的距離之比為2:1,則A、C發(fā)射的電子速度大小必須滿足vA:vC=1:2 | |
C. | 若A、C與金屬球心之間的距離之比為2:1,則A、C發(fā)射的電子速度大小必須滿足vA:vC=1:4 | |
D. | 若A、C與金屬球心之間的距離之比為2:1,則A、C發(fā)射的電子的運(yùn)動(dòng)周期必須TA:TC=2$\sqrt{2}$:1 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | |
U1/V | 0.00 | 0.00 | 0.06 | 0.12 | 0.24 | 0.42 | 0.72 | 1.14 | 1.74 |
U2/V | 0.0 | 1.0 | 2.1 | 3.1 | 4.2 | 5.4 | 6.7 | 8.1 | 9.7 |
Ux/V | 0.0 | -1.0 | -2.0 | -3.0 | -4.0 | -5.0 | -6.0 | -7.0 | -8.0 |
Ix/mA | 0.00 | 0.00 | -0.01 | -0.02 | -0.04 | -0.07 | -0.12 | -0.19 | -0.29 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)強(qiáng)度與位移關(guān)系 | B. | 粒子動(dòng)能與位移關(guān)系 | ||
C. | 粒子速度與位移關(guān)系 | D. | 粒子加速度與位移關(guān)系 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:計(jì)算題
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:多選題
A. | 物塊將在圓盤最高點(diǎn)出現(xiàn)相對(duì)滑動(dòng) | |
B. | 物塊相對(duì)圓盤滑動(dòng)時(shí)物塊的速度是1.0m/s | |
C. | 物塊相對(duì)圓盤滑動(dòng)后在圓盤上水平勻速運(yùn)動(dòng)直至飛出 | |
D. | 物塊相對(duì)圓盤滑動(dòng)后在圓盤上做勻變速曲線運(yùn)動(dòng) |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:計(jì)算題
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:解答題
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:多選題
A. | 溫度升高,所有分子運(yùn)動(dòng)速率都變大 | |
B. | 溫度升高,分子平均動(dòng)能變大 | |
C. | 氣體分子無論在什么溫度下,其分子速率都呈現(xiàn)“中間多、兩頭少”的分布特點(diǎn) | |
D. | 溫度升高,氣體的壓強(qiáng)一定增大 | |
E. | 外界對(duì)氣體做功,氣體的溫度可能降低 |
查看答案和解析>>
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com