A. A點的電場強度比C點的小

B. 正電荷在A點的電勢能比在C點的電勢能大

C. 電荷沿任意路徑從A點移到B點的過程中，電場力一直不做功

D. 若將一個電子由A點移到C點，電場力做功為4eV

實驗過程一：擋板固定在O1點，推動滑塊壓縮彈簧，滑塊移到A處，測量O1A的距離，如圖甲所示．滑塊由靜止釋放，落在水平面上的P點，測出P點到桌面右端的水平距離為x1．

實驗過程二：將擋板的固定點移到距O1點距離為d的O2點，如圖乙所示，推動滑塊壓縮彈簧，滑塊移到C處，使O2C的距離與O1A的距離相等．滑塊由靜止釋放，落在水平面上的Q點，測出Q點到桌面右端的水平距離為x2．

（1）為完成本實驗，下列說法中正確的 ．

A．必須測出小滑塊的質(zhì)量 B．必須測出彈簧的勁度系數(shù)

C．彈簧的壓縮量不能太小 D．必須測出彈簧的原長

（2）寫出動摩擦因數(shù)的表達式μ= ．（用題中所給物理量的符號表示）

（3）小紅在進行實驗過程二時，發(fā)現(xiàn)滑塊未能滑出桌面．為了測量小滑塊與水平桌面間的動摩擦因數(shù)，還需測量的物理量是 ．

（4）某同學認為，不測量桌面高度，改用秒表測出小滑塊從飛離桌面到落地的時間，也可測出小滑塊與水平桌面間的動摩擦因數(shù)．此實驗方案 ．（選填“可行”或“不可行”）

A. 物體剛開始時可能做加速運動

B. 物體所受恒力的方向一定水平向左

C. 物體在P點的速度最小

D. 物體一定做勻變速運動

A. 兩電子在兩磁場中運動時，其半徑一定相同

B. 兩電子在兩磁場中運動的時間一定不相同

C. 進入圓形磁場區(qū)域的電子一定先飛離磁場

D. 進入圓形磁場區(qū)域的電子一定不會后飛出磁場

A. T1的副線圈兩端電壓的最大值為2010V

B. T2的原線圈兩端的電壓為2000V

C. 輸電線上損失的電功率為100W

D. T1原線圈輸入的電功率為10.1kW

(1)若粒子到達Q點，求粒子在P點的初速度大小v0；

(2)若粒子在P點的初速度大小在0~ v0之間連續(xù)可調(diào)則粒子到達圓弧上哪個點電勢能變化最大?求出電勢能變化的最大值△Ep。

A. 該金屬的逸出功為0.5eV

B. 根據(jù)該圖象能求出普朗克常量

C. 該金屬的極限頻率為4.27×1014Hz

D. 用n＝3能級的氫原子躍遷到m＝2能級時所輻射的光照射該金屬能使該金屬發(fā)生電效應

A. 這群氫原子能發(fā)出三種頻率不同的光，其中從n=3躍遷到n=2所發(fā)出的光波長最短

B. 這群氫原子能發(fā)出兩種頻率不同的光，其中從n=3躍遷到n=1所發(fā)出的光頻率最高

C. 金屬鈉表面所發(fā)出的光電子的初動能最大值為11. 11 eV

D. 金屬鈉表面所發(fā)出的光電子的初動能最大值為9. 60 eV

(1)該同學先測量圖甲中電源的電動勢E，實驗步驟如下：

①將兩表筆短接，調(diào)節(jié)R使毫安表指針滿偏；

②將阻值為200Ω的電阻接在兩表筆之間，此時毫安表指針位置如圖乙所示，該示數(shù)為___________mA；

③計算得電源的電動勢E=___________V；

(2)接著，他在電流刻度為5.00mA的位置標上0Ω，在電流刻度為2.00mA的位置標上___________Ω，并在其他位置標上相應的電刻度值。

(3)該歐姆表用久后，電池老化造成電動勢減小、內(nèi)阻增大，但仍能進行歐姆調(diào)零，則用其測得的電阻值___________真實值(填“大于”“等于”或“小于”)。

(4)為了減小電池老化造成的誤差，該同學用一電壓表對原電阻刻度值進行修正。將歐姆表的兩表筆短接調(diào)節(jié)R0使指針滿偏；再將電壓表接在兩表筆之間，此時電壓表示數(shù)為1.16V，歐姆表示數(shù)為1200Ω，則電壓表的內(nèi)阻為___________Ω，原電阻刻度值300Ω應修改為___________Ω。

a．用天平測出帶有擋光片的滑塊的質(zhì)量m；

b．用游標卡尺測出擋光片的寬度d；

c．如圖甲，在水平氣墊導軌上裝一光電門，接通氣源，把滑塊移至彈片處，擠壓彈片使彈片發(fā)生一定的形變；

d．釋放滑塊，測出擋光片經(jīng)過光電門時，光線被擋光片遮住的時間△t。

(1)釋放滑塊時彈片的彈性勢能Ep=___________(用m、d、△t表示)

(2)測擋光片寬度時游標卡尺的示數(shù)如圖乙所示，該示數(shù)d=___________cm。

(3)實驗測得滑塊質(zhì)量m=100.0g，擋光時間△t =0.012s，計算得釋放滑塊時Ep=___________J(保留2位有效數(shù)字)。