)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO，SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl4的裝置示意圖。

實驗過程中，石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物，SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解，有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

請回答下列問題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式：_____________， 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學方程式是????????????????????????? 。

（2）裝置C中的試劑是?????????? ； D、E間導管短且粗的原因是????????????? 。

（3）G中吸收尾氣一段時間后，吸收液中肯定存在OH－、Cl－和SO42-。請設(shè)計實驗，探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子（忽略空氣中CO2的影響）。

【提出假設(shè)】假設(shè)1：只有SO32-；假設(shè)2：既無SO32-也無ClO－；假設(shè)3：?????? 。

【設(shè)計方案，進行實驗】可供選擇的實驗試劑有：3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。

取少量吸收液于試管中，滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性，然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中，分別進行下列實驗。請完成下表：

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl₄和CO，SiCl₄經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl₄的裝置示意圖。

實驗過程中，石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物，SiCl₄、AlCl₃、FeCl₃遇水均易水解，有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

請回答下列問題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式：_____________， 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學方程式是                          。

（2）裝置C中的試劑是           ； D、E間導管短且粗的原因是              。

（3）G中吸收尾氣一段時間后，吸收液中肯定存在OH^－、Cl^－和SO₄^2-。請設(shè)計實驗，探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子（忽略空氣中CO₂的影響）。

【提出假設(shè)】假設(shè)1：只有SO₃^2-；假設(shè)2：既無SO₃^2-也無ClO^－；假設(shè)3：       。

【設(shè)計方案，進行實驗】可供選擇的實驗試劑有：3 mol/L H₂SO₄、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO₄、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。

取少量吸收液于試管中，滴加3 mol/L H₂SO₄至溶液呈酸性，然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中，分別進行下列實驗。請完成下表：

)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl₄和CO，SiCl₄經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl₄的裝置示意圖。

實驗過程中，石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物，SiCl₄、AlCl₃、FeCl₃遇水均易水解，有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl₄和CO，SiCl₄經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl₄的裝置示意圖。

實驗過程中，石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物，SiCl₄、AlCl₃、FeCl₃遇水均易水解，有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：