金屬單質(zhì)的性質(zhì): ⑴金屬晶體:金屬單質(zhì)形成的晶體都屬于金屬晶體.它們由 構(gòu)成,金屬晶體有 通性. ⑵金屬單質(zhì)的化學(xué)性質(zhì): ①金屬在化學(xué)反應(yīng)中都較容易失去電子被氧化:.可以根據(jù) 判斷金屬單質(zhì)還原性的強(qiáng)弱. ②金屬單質(zhì)跟酸反應(yīng)的規(guī)律: 按金屬活動(dòng)性順序表 A.與非氧化性酸反應(yīng): 能與非氧化性酸發(fā)生置換反應(yīng).實(shí)質(zhì)是: 金屬原子失去電子數(shù)與被還原的離子數(shù).生成的的分子數(shù)之間存在什么關(guān)系? = 等物質(zhì)的量的金屬與足量的酸反應(yīng).生成物質(zhì)的量多少?zèng)Q定于什么? 等質(zhì)量的金屬跟足量的酸反應(yīng)生成的多少應(yīng)如何判斷? B.與強(qiáng)氧化性酸的反應(yīng): 和遇冷的濃硫酸.濃硝酸發(fā)生鈍化反應(yīng). 強(qiáng)氧化性酸跟金屬反應(yīng)不能生成.為什么?寫出典型的幾個(gè)反應(yīng): 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

晶體硅是一種重要的非金屬材料.制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl
 300℃ 
.
 
SiHCl3+H2
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃.請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:
分餾
分餾

(3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
高溫下,普通玻璃會軟化
高溫下,普通玻璃會軟化
,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是
bd
bd

a.碘水b.氯水c.NaOH溶液d.KSCN溶液e.Na2SO3溶液.

查看答案和解析>>

晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備高純硅的主要流程如圖所示:

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),生成一種可燃燒的單質(zhì)氣體和兩種酸.請回答下列問題:
(1)寫出制備粗硅的化學(xué)方程式
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO

(2)在生成SiHCl3的反應(yīng)中,還原劑與還原產(chǎn)物的質(zhì)量比為
14:1
14:1

(3)整個(gè)制備過程必須控制無水無氧,若有水可能發(fā)生的反應(yīng)是
3SiHCl3+3H2O=H2SiO3+H2↑+3HCl、C+H2O
 高溫 
.
 
CO+H2
3SiHCl3+3H2O=H2SiO3+H2↑+3HCl、C+H2O
 高溫 
.
 
CO+H2

(4)下列關(guān)于硅及其化合物的敘述錯(cuò)誤的是
B C D
B C D
(填字母代號)
A.二氧化硅晶體中硅氧原子間以共價(jià)鍵結(jié)合
B.用于現(xiàn)代通訊的光導(dǎo)纖維的主要成分是高純度的硅
C.硅與碳位于同一主族,性質(zhì)相似,在自然界中廣泛存在著游離態(tài)的硅
D.SiO2和CO2都是酸性氧化物,均可與強(qiáng)堿(如NaOH)溶液反應(yīng),而不與任何酸反應(yīng).

查看答案和解析>>

 晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2。
③SiHCl3與過量的H2在1000~1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為____________________。
(2)用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置已略去):

①裝置B中的試劑是______________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_______________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_____________。
a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

查看答案和解析>>

晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅?

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClEquation.3SiHCl3+H2?

③SiHCl3與過量H2在1 000~1 100 ℃反應(yīng)制得純硅?

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。?

請完成下列問題:?

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為________________。?

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7 ℃),提純SiHCl3采用的方法為:________________。

(3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):?

①裝置B中的試劑是________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:________________。?

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是________________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為________________________。?

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。?

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是________。?

a.碘水 

b.氯水 

c.NaOH溶液 

d.KSCN溶液 

e.Na2SO3溶液

查看答案和解析>>

晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:

Si+3HClSiHCl3+H2

③SiHCl與過量H2在1 000—1 100℃反應(yīng)制得純硅

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自然。

請回答下列問題:

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為__________________________________________。

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為_______。

(3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如圖1-3-8(熱源及夾持裝置略去):

圖1-3-8

①裝置B中的試劑是_______。

裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_____________________________________________。

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________。

裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為______________________________。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及_______。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_______。

a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

查看答案和解析>>


同步練習(xí)冊答案