(2)當(dāng)場強為E2的時候.帶正電微粒由靜止開始向上做勻加速直線運動.設(shè)0.20s后的速度為v.由動量定理有 (E2q-mg)t = mv , 解得:v=2m/s---------- 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示,水平虛線上方有場強為E1的勻強電場,方向豎直向下,虛線下方有場強為E2的勻強電場,方向水平向右;在虛線上、下方均有磁感應(yīng)強度相同的勻強磁場,方向垂直紙面向外,ab是一長為L的豎直絕緣細桿,位于虛線上方,b端恰在虛線上,將一套在桿上的帶電小環(huán)從a端由靜止開始釋放,小環(huán)先加速而后勻速到達b端,環(huán)與桿之間的動摩擦因數(shù)μ=0.3,小環(huán)的重力不計,當(dāng)環(huán)脫離桿后在虛線下方沿原方向做勻速直線運動,求:
(1)E1與E2 的比值;
(2)若撤去虛線下方的電場,小環(huán)進入虛線下方后的運動軌跡為半圓圓周半徑為
L3
,環(huán)從a到b的過程中克服摩擦力做功Wf與電場力做功WE之比有多大?

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如圖所示,在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸的有界勻強電場,方向如圖所示.y軸上一點P的坐標(biāo)為(0,y0),有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點垂直射入電場中,當(dāng)勻強電場的場強為E1時,電子從A點射出,A點坐標(biāo)為(xA,0),當(dāng)場強為E2時,電子從B點射出,B點坐標(biāo)為(xB,0).已知電
子的電荷量為e,質(zhì)量為m,不計電子的重力,E1、E2未知.
(1)求勻強電場的場強E1、E2之比;
(2)若在第Ⅳ象限過Q點放一張垂直于xOy平面的感光膠片,Q點的坐標(biāo)為(0,-y0),求感光膠片上曝光點的橫坐標(biāo)xA′、xB′之比.

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精英家教網(wǎng)如圖所示,在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸的有界勻強電場,方向如圖.y軸上一點P的坐標(biāo)為(0,y0),有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點垂直射入電場中,當(dāng)勻強電場的場強為E1時,電子從A點射出,A點坐標(biāo)為(xA,0),當(dāng)場強為E2時,電子從B點射出,B點坐標(biāo)為(xB,0).已知電子的電荷量為e,質(zhì)量為m,不計電子的重力.
(1)求勻強電場的場強E1、E2之比;
(2)求從A,B兩點出來時偏轉(zhuǎn)角的正切值;
(3)若在第Ⅳ象限過Q點放一張垂直于xOy平面的感光膠片,Q點的坐標(biāo)為(0,-y0),求感光膠片上曝光點的橫坐標(biāo)xA′、xB′之比.

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(12分)如圖18所示,在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸 的有界勻強電場,方向如圖所示.y軸上一點P的坐標(biāo)為(0,y0),有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點垂直射入電場中,當(dāng)勻強電場的場強為E1時,電子從A點射出,A點坐標(biāo)為(xA,0),當(dāng)場強為E2時,電子從B點射出,B點坐標(biāo)為(xB,0).已知電子的電荷量為e,質(zhì)量為m,不計電子的重力,E1、E2未知.

(1)求勻強電場的場強E1、E2之比;                            
(2)若在第Ⅳ象限過Q點放一張垂直于xOy平面的感光膠片,Q點的坐標(biāo)為(0,-y0),
求感光膠片上曝光點的橫坐標(biāo)xA′、xB′之比.

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(12分)如圖18所示,在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸 的有界勻強電場,方向如圖所示.y軸上一點P的坐標(biāo)為(0,y0),有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點垂直射入電場中,當(dāng)勻強電場的場強為E1時,電子從A點射出,A點坐標(biāo)為(xA,0),當(dāng)場強為E2時,電子從B點射出,B點坐標(biāo)為(xB,0).已知電子的電荷量為e,質(zhì)量為m,不計電子的重力,E1、E2未知.

(1)求勻強電場的場強E1、E2之比;                            

(2)若在第Ⅳ象限過Q點放一張垂直于xOy平面的感光膠片,Q點的坐標(biāo)為(0,-y0),

求感光膠片上曝光點的橫坐標(biāo)xA′、xB′之比.

 

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