(1)求勻強電場的場強.E1.E2之比, (2)若在IV象限過Q點放一張垂直于xoy平面的感光膠片.Q點的坐標為求感光膠片上曝光點的橫坐標xA.xB之比. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示,水平虛線上方有場強為E1的勻強電場,方向豎直向下,虛線下方有場強為E2的勻強電場,方向水平向右;在虛線上、下方均有磁感應強度相同的勻強磁場,方向垂直紙面向外,ab是一長為L的豎直絕緣細桿,位于虛線上方,b端恰在虛線上,將一套在桿上的帶電小環(huán)從a端由靜止開始釋放,小環(huán)先加速而后勻速到達b端,環(huán)與桿之間的動摩擦因數(shù)μ=0.3,小環(huán)的重力不計,當環(huán)脫離桿后在虛線下方沿原方向做勻速直線運動,求:
(1)E1與E2 的比值;
(2)若撤去虛線下方的電場,小環(huán)進入虛線下方后的運動軌跡為半圓圓周半徑為
L3
,環(huán)從a到b的過程中克服摩擦力做功Wf與電場力做功WE之比有多大?

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如圖所示,水平虛線上方有場強為E1的勻強電場,方向豎直向下,虛線下方有場強為E2的勻強電場,方向水平向右;在虛線上、下方均有磁感應強度相同的勻強磁場,方向垂直紙面向外,ab是一長為L的絕緣細桿,豎直位于虛線上方,b端恰在虛線上,將一套在桿上的帶電小環(huán)從a端由靜止開始釋放,小環(huán)先加速而后勻速到達b端,環(huán)與桿之間的動摩擦因數(shù)μ=0.3,小環(huán)的重力不計,當環(huán)脫離桿后在虛線下方沿原方向做勻速直線運動,求:
(1)E1E2的比值;
(2)若撤去虛線下方的電場,小環(huán)進入虛線下方后的運動軌跡為半圓,圓周半徑為,環(huán)從ab的過程中克服摩擦力做功Wf與電場做功WE之比有多大?
   

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如圖所示,在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸的有界勻強電場,方向如圖所示.y軸上一點P的坐標為(0,y0),有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點垂直射入電場中,當勻強電場的場強為E1時,電子從A點射出,A點坐標為(xA,0),當場強為E2時,電子從B點射出,B點坐標為(xB,0).已知電
子的電荷量為e,質(zhì)量為m,不計電子的重力,E1、E2未知.
(1)求勻強電場的場強E1、E2之比;
(2)若在第Ⅳ象限過Q點放一張垂直于xOy平面的感光膠片,Q點的坐標為(0,-y0),求感光膠片上曝光點的橫坐標xA′、xB′之比.

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如圖所示,在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸的有界勻強電場,方向如圖所示.y軸上一點P的坐標為(0,y0),有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點垂直射入電場中,當勻強電場的場強為E1時,電子從A點射出,A點坐標為(xA,0),當場強為E2時,電子從B點射出,B點坐標為(xB,0).已知電
子的電荷量為e,質(zhì)量為m,不計電子的重力,E1、E2未知.
(1)求勻強電場的場強E1、E2之比;
(2)若在第Ⅳ象限過Q點放一張垂直于xOy平面的感光膠片,Q點的坐標為(0,-y0),求感光膠片上曝光點的橫坐標xA′、xB′之比.
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如圖所示,在xoy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸的有界勻強電場,方向如圖,y軸上一點P的坐標為(0,y)有一電子以垂直于x軸的初速度v0從P點垂直射入電場中,當勻強電場的場強為E1時,電子從A點射出,A點坐標為(xA,0)當場強為E2時,電子從B點射出,B點坐標為(xB,0),已知電子的電量為e,質(zhì)量為m,不計電子的重力。

   (1)求勻強電場的場強,E1、E2之比;

   (2)若在IV象限過Q點放一張垂直于xoy平面的感光膠片,Q點的坐標為(0,-y)求感光膠片上曝光點的橫坐標xA、xB之比。

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